纳米材料的制备方法.docx

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纳米材料的制备方法

纳米材料的制备方法

一、前言

纳米材料和纳米科技被广泛认为是二十一世纪最重要的新型材料和科技领域之一。

早在二十世纪60年代，英国化学家Thomas就使用“胶体”来描述悬浮液中直径为1nm-100nm的颗粒物。

纳米材料是指任意一维的尺度小于100nm的晶体、非晶体、准晶体以及界面层结构的材料。

当粒子尺寸小至纳米级时，其本身将具有表面与界面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应，这些效应使得纳米材料具有很多奇特的性能。

自1991年Iijima首次制备了碳纳米管以来，一维纳米材料由于具有许多独特的性质和广阔的应用前景而引起了人们的广泛关注。

纳米结构无机材料因具有特殊的电、光、机械和热性质而受到人们越来越多的重视。

应用纳米技术制成超细或纳米晶粒材料时，其韧性、强度、硬度大幅提高，使其在难以加工材料刀具等领域占据了主导地位。

使用纳米技术制成的陶瓷、纤维广泛地应用于航空、航天、航海、石油钻探等恶劣环境下使用。

纳米材料的比热和热膨胀系数都大于同类粗晶材料和非晶体材料的值，这是由于界面原子排列较为混乱、原子密度低、界面原子耦合作用变弱的结果。

因此在储热材料、纳米复合材料的机械耦合性能应用方面有其广泛的应用前景。

由于晶界面上原子体积分数增大，纳米材料的电阻高于同类粗晶材料，甚至发生尺寸诱导金属——绝缘体转变（SIMIT）。

利用纳米粒子的隧道量子效应和库仑堵塞效应制成的纳米电子器件具有超高速、超容量、超微型低能耗的特点，有可能在不久的将来全面取代目前的常规半导体器件。

纳米巨磁电阻材料的磁电阻与外磁场间存在近似线性的关系，所以也可以用作新型的磁传感材料。

高分子复合纳米材料对可见光具有良好的透射率，对可见光的吸收系数比传统粗晶材料低得多，而且对红外波段的吸收系数至少比传统粗晶材料低3个数量级，磁性比FeBO3和FeF3透明体至少高1个数量级，从而在光磁系统、光磁材料中有着广泛的应用。

二、纳米材料的制备方法

（一）、机械法

机械法有机械球磨法、机械粉碎法以及超重力技术。

机械球磨法无需从外部供给热能，通过球磨让物质使材料之间发生界面反应，使大晶粒变为小晶粒，得到纳米材料。

机械粉碎法是利用各种超微粉机械粉碎和电火花爆炸等方法将原料直接粉碎成超微粉，尤其适用于制备脆性材料的超微粉。

超重力技术利用超重力旋转床高速旋转产生的相当于重力加速度上百倍的离心加速度，使相间传质和微观混合得到极大的加强，从而制备纳米材料。

机械力化学方法制备纳米材料的基本原理是利用机械能来诱发化学反应和诱导材料组织、结构和性能变化，以此来达到制备纳米材料的目的。

一般来说，有固相参加的多相化学反应过程是反应剂之间达到原子级别结合、克服反应势垒而发生化学反应的过程，其特点是反应剂之间有界面存在。

影响反应速度的因素有反应过程的自由能变化、温度、界面特性、扩散速度和扩散层厚度等。

粉末颗粒在高能球磨过程中机械力化学作用使晶格点阵排列部分失去周期性，形成晶格缺陷，发生晶格畸变。

粉末颗粒被强烈塑性变形，产生应力和应变，颗粒内产生大量的缺陷，颗粒非晶化。

这显著降低了元素的扩散激活能，使得组元间在室温下可显著进行原子或离子扩散；颗粒不断冷焊、断裂和组织细化，形成了无数的扩散/反应偶，同时扩散距离也大大缩短。

应力、应变、缺陷和大量纳米晶界、相界的产生，使系统储能很高（达十几kJ/mol），粉末活性大大提高，甚至产生多相化学反应，从而成功合成新物质。

评论：

机械力化学法在制备纳米陶瓷材料和纳米复合材料方面有了较大的发展，不仅能够制备出尺寸较均匀的纳米材料，同时对机械力化学法机理和过程的研究也有了进一步的发展。

此外，机械力化学法在制备其他纳米材料的应用上也有新的突破，再加上其具有工艺简单，成本低，易于实现工业化的特点，足以说明它已成为制备纳米材料的一种重要方法并具有广阔的应用前景。

然而，机械力化学法理论提出了已有几十年，但对它的机理研究和本质的认识还有待进一步深入，以及在机械力化学法制备的纳米粉体粒度均匀性、粉料分散和团聚问题以及能耗大、粉体易被污染等问题上需要进一步的研究和探讨。

（二）气相法

化学气相沉积是迄今为止气相法制备纳米材料应用最为广泛的方法，该方法是在一个加热的衬底上，通过一种或几种气态元素或化合物产生的化学元素反应形成纳米材料的过程。

它利用挥发性的金属化合物的蒸发，通过化学反应生成所需化合物在保护气体环境下快速冷凝，从而制备各类物质的纳米微粒。

化学气相沉积法制备纳米碳材料的原理是碳氢化合物在较低温度下与金属纳米颗粒接触时通过其催化作用而直接生成。

化学气相沉积法制备碳纳米管的工艺是基于气相生长碳纤维的制备工艺。

在研究气相生长碳纤维早期工作中就己经发现有直径很细的空心管状碳纤维，但遗憾的是没有对其进行更详细的研究[4]。

直到Iijima在高分辨透射电子显微镜发现产物中有纳米级碳管存在，才开始真正的以碳纳米管的名义进行广泛而深入的研究。

化学气相沉积法制备碳纳米管的原料气，国际上主要采用乙炔，但也采用许多别的碳源气体，如甲烷、一氧化碳、乙烯、丙烯、丁烯、甲醇、乙醇、二甲苯等。

在过渡金属催化剂铁钴镍催化生成的碳纳米管时，使用含铁催化剂，多数得到多壁碳纳米管；使用含钴催化剂，大多数的实验得到多壁碳纳米管；过渡金属的混合物比单一金属合成碳纳米管更有效。

铁镍合金多合成多壁碳纳米管，铁钴合金相比较更容易制得单壁碳纳米管。

此外，两种金属的混合物作为催化剂可以大大促进碳纳米管的生长。

许多文献证实铁、钴、镍任意两种的混合物或者其他金属与铁、钴、镍任何一种的混合物均对碳纳米管的生长具有显著的提高作用，不仅可以提高催化剂的性能，而且可以提高产物的质量或者降低反应温度。

催化裂解二甲苯时，将适量金属铽与铁混合，可以提高多壁碳纳米管的纯度和规则度。

因而，包括像烃及一氧化碳等可在催化剂上裂解或歧化生成碳的物料均有形成碳纳米管的可能。

LeeYT等[5]讨论了以铁分散的二氧化硅为基体，乙炔为碳源所制备的垂直生长的碳纳米管阵列的生长机理，并提出了碳纳米管的生长模型。

MukhopdayyaK等[6]提出了一种简单而新颖的低温制备碳纳米管阵列的方法。

该法以沸石为基体，以钴和钒为催化剂，仍是以乙炔气体为碳源。

PnaZW等[7]以乙炔为碳源，铁畦纳米复合物为基体高效生长出开口的多壁碳纳米管阵列。

评论：

化学气相沉积法该法制备的纳米微粒颗粒均匀，纯度高，粒度小，分散性好，化学反应活性高，工艺可控和连续，可对整个基体进行沉积等优点。

此外，化学气相沉积法因其制备工艺简单，设备投入少，操作方便，适于大规模生产而显示出它的工业应用前景。

因此，化学气相沉积法成为实现可控合成技术的一种有效途径。

化学气相沉积法缺点是衬底温度高。

随着其它相关技术的发展，由此衍生出来的许多新技术，如金属有机化学缺陷相沉积、热丝化学气相沉积、等离子体辅助化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积及激光诱导化学气相沉积等技术。

化学气相沉积法是纳米薄膜材料制备中使用最多的一种工艺，广泛应用于各种结构材料和功能材料的制备。

用化学气相沉积法可以制备几乎所有的金属，氧化物、氮化物、碳化合物、复合氧化物等膜材料。

总之，随着纳米材料制备技术的不断完善，化学气相沉积法将会得到更广泛的应用。

（三）、溶胶—凝胶法

溶胶－凝胶法是用易水解的金属化合物（无机盐或金属盐）在某种溶剂中形成均质溶液，溶质发生水解反应生成纳米级的粒子并形成溶胶，溶胶经蒸发干燥转变为凝胶（该法为低温反应过程，允许掺杂大剂量的无机物和有机物），再经干燥、烧结等后处理得到所需的材料，其基本反应有水解反应和聚合反应。

该法涉及到溶胶和凝胶两个概念。

所谓溶胶是指分散在液相中的固态粒子足够小，以致可以通过布朗运动保持无限期的悬浮；凝胶是一种包含液相组分且具有内部网络结构的固体，此时的液体和固体都呈现一种高度分散的状态。

采用溶胶－凝胶法制备材料的具体技术或工艺过程相当多，但按其产生溶胶－凝胶过程的机制不外乎三种类型，即传统胶体型、无机聚合物型和配合物型。

中国科学院固体物理研究所张立德研究员利用碳热还原、溶胶－凝胶软化学法并结合纳米液滴外延等新技术，首次合成了碳化钽纳米丝外包绝缘体二氧化硅纳米电缆。

在溶剂热合成纳米材料方面作了许多工作，并取得了很大的成果。

薛天峰，胡季帆等[9]在200mL烧杯中用少量水溶解一定比例的Al（NO3）39H2O，加入适量柠檬酸和少许聚乙二醇，65℃下搅拌，形成溶胶，直至脱水，形成原粉，前驱体450℃热处理，制备得掺杂Al3+的纳米ZnO，其平均晶粒分别为40nm和35nm。

Ken等[10]用凝胶法制备出粒径为2.5-4.7nm的CdSe纳米晶体，通过改变喷射时间和温度以及加入到TOPO溶剂中的（Me）2Cd/TOP和TOP-Se混合物的质量，可以控制晶体的尺寸。

Zhang等[11]用无水乙醇作为溶剂，盐酸作为水解催化剂，钛酸四丁酯水解得到二氧化钛溶胶，将二氧化硅溶胶与苯酚混合加入到庚烷中，在搅拌的同时，滴入甲醛溶液，然后在90℃下静止该反应体1.5h，得到象牙色的微球，最后在高温下焙烧象牙色的微球得到TiO2多孔球形纳米晶体，粒径为20-40nm。

试验过程中发现合适的热处理条件对纳米球体的体积和结构都有较大的影响，在300℃下焙烧得到无定形结构，700℃下焙烧得到金红石结构。

评论：

溶胶－凝胶法可在低温下制备纯度高、粒径分布均匀、化学活性高的单、多组份混合物,并可制备传统方法不能或难以制备的产物。

溶胶－凝胶法制备的材料具有多孔状结构，表面积大，有利于在气敏、湿敏及催化方面的应用，可能会使气敏、湿敏特性和催化效率大大提高。

这种方法得到的粉体均匀分布、分散性好、纯度高，且锻烧温度低、反应易控制、副反应少、工艺操作简单。

但一般来说，这种方法所用原料成本较高，所制的膜致密性较差，易收缩，开裂，适用范围不够广泛。

（四）分子束外延法

子束外延法是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。

在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸汽，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地生长在基片上形成薄膜。

随子束外延法是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。

在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸汽，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地生长在基片上形成薄膜。

随着超高真空技术的发展、源控制技术的进步、衬底表面处理技术以及生长过程实时监测技术的改进，这种方法已经成为比较先进的薄膜生长技术。

典型的MBE设备由束源炉、样品台、加热器、控制系统、超高真空系统和检测分析系统。

MBE技术自1986年问世以来有了较大的发展，MBE作为一种高级真空蒸发形式，因其在材料化学组分和生长速率控制等方面的优越性，非常适合于各种化合物半导体及其合金材料的同质结和异质结外延生长，并在技术半导体场效应晶体管、高电子迁移率晶体管、异质结构场效应晶体管、异质结双极晶体管等微波、毫米波器件及电路和光电器件制备中发挥了重要作用。

近几年来，随着器件性能要求的不断提高，器件设计正向尺寸微型化、结构新颖化、空间低维化、能量量子化方向发展。

目前世界上有许多国家和地区都在研究MBE技术，包括美国、日本、英国、法国、德国和我国台湾[13]。

国外已有报道取得了一些重要的成果，美国的RyuYR,ZhuS等已经制作出掺As的p型ZnO薄膜。

日本的TamuraK等用晶格匹配衬底制作了与体单晶质量相近的ZnO薄膜。

近年来，尤其是激光分子束外延法取得了显著的成果。

激光分子束外延法是集脉冲激光沉积和传统的分子束外延于一身，特别适合于多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜或超晶格的制备，它可以利用原位实时监控设备对生长条件进行实时控制，以实现原子尺度地控制薄膜的外延生长。

评论：

分子束外延法的优点是