模拟电子线路试题.docx

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模拟电子线路试题

模拟电子线路试题（第一部分）

一判断题：

1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而不发生变化。

（）

2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）

3.P、N型半导体都不带电。

（）

4.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。

（）

5.如果二极管的正反向电阻都很小或为零，则该二极管断路。

（）

6.二极管正反向电流值大，说明其单向导电性能差，且受温度影响大。

（）

7.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。

（）

8.在常温下，锗二极管的死区电压约为0.5V，正向导通电压为0.7V。

（）

9.单相全波整流电路中，二极管承受的最高反向电压UM=√2U2。

（）

10.在单相桥式整流电路中，若变压器次级电压有效值为150V，则输出电压平均值为135V。

（）

11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）

12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）

13.用万用表欧姆档粗测2AP9时用R×100档。

（）

14.单向桥式整流电路在输入交流电压时没半周内两只二极管都有可能导通。

（）

15.全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流不相等。

（）

16.PN结反向偏置时，电阻大，正向电流小，处于截止状态。

（）

17.桥式整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流。

（）

18.二极管加反向电压时，处于截止状态，此时没有电流流过二极管。

（）

19.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）

20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。

（）

21.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。

（）

22.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）

23.P型半导体带负电。

（）

24.PN结处于反向偏置时，处于导通状态，说明正向电流大，电阻小，。

（）

25.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管断路。

（）

26.二极管正反向电流值小，说明其单向导电性能好，且受温度影响小。

（）

27.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流就是流过负载电流。

（）

28.在常温下，硅二极管的死区电压约为0.1-0.2V，正向导通电压为0.3V。

（）

29单相全波整流电路中.二极管承受的最高反向电压UM=U2，。

（）

30.在单相全波整流电路中，若变压器次级电压有效值为150V，则输出电压平均值为135V。

（）

31.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，产生电击穿。

（）

32.锗二极管两端加上正向电压时不会立即导通。

（）

33.N型半导体带负电，P型半导体带正电。

（）

34.单向桥式整流电路在输入交流电压的正，负半周内4只二极管导通。

（）

35.变压器整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流相等。

（）

36.PN结反向偏置时，正向电流小，反向电阻大，处于截止状态。

（）

37.单向半波整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流的一半。

（）

38.二极管加反向电压时，处于导通状态，此时电流流过二极管。

（）

39.半导体加入外电的作用下存在数量不相等的空穴和自由电子两种载流子。

（）

40.二极管的电压和电流变化呈线性关系，其内阻是常数，所以二极管属于线性器件。

（）

41.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。

（）

42.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：

发射结正偏，集电结正偏。

（）

43.三极管按半导体材料分为PNP型和NPN型。

（）

44.晶体三极管工作在截止和道通状态时，如同开关的闭合和断开。

（）

45.三极管相当于两个反接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。

（）

46晶体二极管同晶体三极管一样都具有两个PN结。

（）

47.晶体三极管有三种工作状态，即：

放大状态，饱和状态，导通状态。

（）

48.NPN型和NPN型三极管都是由硅材料制成的。

（）

49.PNP型三极管工作在放大状态，三个极的电位必须符合不等式UE>UB>UC（）

50.三极管具有三个极，分别为：

栅极（B），源极（C），漏极（E）。

（）

二选择题：

1.以下属于半导体的是（）。

A.锗B.塑料　　Ｃ.铜　　　Ｄ.云母

2.P型半导体中的多数载流子是（）。

A.负电荷B.自由电子　　Ｃ.正电荷　　　Ｄ空穴.

3.将PN结P区接电源负极，N区接电源正极，此时PN结处于（）偏置。

A.正向B..双向　　Ｃ.单向　　　Ｄ反向

4.将PN结两端加反向电压时，在PN结内参与导电的是（）。

A.空穴B.自由电子　　Ｃ.自由电荷　　　Ｄ.空穴和自由电子

5.PN结反向击穿后，若这种击穿时可逆的，称为（）。

A.电击穿B.热击穿　　Ｃ.反向击穿　　　Ｄ.完全击穿

6.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A、B两端的电压为（）。

A..-6VB.+6V　　Ｃ-12V　　　Ｄ.+12V

7.单相半波整流电路中，次级输出电压U2=9V，则二极管承受的最高反向电压为（）。

A.4.05VB.8.1V　　Ｃ.9√2V　　　Ｄ.18√2V

8.在单相桥式整流电路中，如果一只二极管接反，则（）。

A.正常工作B.成为半波整流

Ｃ.仍是全波整流Ｄ.将引起电源短路

9.能改善波形脉动程度的是（）电路。

A.滤波B.整流　　Ｃ.稳压　　　Ｄ.放大

10.在单相桥式整流电路中，次级输出电压U2为20V，负载为3Ω，则流过每只二极管的正向平均电流ID为（）。

A.1.5AB.3A　　Ｃ.6A　　　Ｄ.12A

11.N型半导体（）

A.带正电B.带负电　　Ｃ.呈中性　　　Ｄ.不确定

12.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）

A.正常B.断路　　Ｃ.被击穿　　　Ｄ.短路

13.如果二极管的正反向电阻都很小或者为零，则该二极管（）

A.正常B.被击穿　　Ｃ.断路　　　

14.在半导体材料中，其说法正确的是（）

A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电

B.P型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电

Ｃ.N型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电

Ｄ.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电

15.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）

A.正向偏置时导通，反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管.

Ｃ.反向击穿后立即烧毁　　　Ｄ导通时可等效为一线性电阻

16.把交流电转化为直流电的过程叫（）。

A.整流B.滤波　　Ｃ.稳压　　　Ｄ.放大

17.单相桥式整流电路的输出电压平均值为（）

A.U2B.0.45U2　　Ｃ.0.9U2　　Ｄ.0

18.某单相桥式整流电路中，当变压器次级电压为10V，则整流后输出电压为（）

A.10VB.4.5V　　Ｃ9V.　　　Ｄ.0V

19.桥式整流电路中，当次级电压U2为正半周时，导通二极管为（）

A.D1和D2B.D2和D3　　Ｃ.D3和D4　　　Ｄ.D1和D3

20.测量二极管反向电阻时，若用双手把管脚捏紧，则测量值比实际值（）

A.不变B.小　　Ｃ.大　　　Ｄ.不确定

21.以下属于半导体的是（）。

A.铁B.塑料　　Ｃ.云母　　　Ｄ.硅

22.P型半导体中的多数载流子是（）。

A.负电荷B.自由电子　　Ｃ.正电荷　　　Ｄ.空穴

23.将PN结P区接电源正极，N区接电源负极，此时PN结处于（）偏置。

A.反向B.双向　　Ｃ.单向　　　Ｄ.正向

24.将PN结两端加正向电压时，在PN结内参与导电的是（）。

A.空穴自由电子B.自由电子空穴　　Ｃ.自由电荷空穴　　　Ｄ.空穴自由电荷

25.PN结反向击穿后，存在哪两种击穿，称为（）。

A反向击穿热击穿B.热击穿电击穿　　Ｃ..电击穿反向击穿　　　Ｄ.完全击穿热击穿

26.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A、B两端的电压为（）。

A.+6VB-6V.　　Ｃ.-18V　　Ｄ.+18V

27.变压器整流电路中，次级输出电压U2=9V，则二极管承受的最高反向电压为（）。

A.4.05VB.8.1V　　Ｃ.9√2V　　　Ｄ.18√2V

28.在单相桥式整流电路中，正半周那两只二极管反向偏置（）。

A.D2和D4　B.D2和D3　　Ｃ.D1和D2　　Ｄ.D1和D3

29.能把交流电改为直流电的是（）电路。

A.整流B.滤波　　Ｃ.稳压　　　Ｄ.放大

30.在单相桥式整流电路中，次级输出电压U2为40V，负载为3Ω，则流过每只二极管的正向平均电流ID为（）。

A.1.5AB.12A　　Ｃ.6　Ｄ3A　　

31.P，N型半导体（）

A.带正电B.带负电　　Ｃ.呈中性　　　Ｄ.不确定

32如果二极管的反向电阻都很小或者为零，则该二极管（）

A.正常B.短路　　Ｃ.断路　　　Ｄ.被击穿

33.如果二极管的正向电阻都很大，则该二极管.（）

A.短路B.被击穿　　Ｃ.断路　　　Ｄ.正常

34.在半导体材料中，其说法正确的是（）

A.P型半导体和N型半导体材料本身带电

BN型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电.

Ｃ.N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电

Ｄ.P型半导体中，多数载流子为空穴，它不带电

35.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）

A.正向偏置时截止，反向偏置时导通B.导通时可等效为一非线性电阻

Ｃ.反向击穿后立即烧毁　　　Ｄ.反向偏置时无电流流过二极管

36.半波整流电路的输出电压平均值为（）

A.0.9U2B.0.45U2　　Ｃ.U2　　　Ｄ.0

37.变压器中心抽头式整流电路的输出电压平均值为（）

A.0.9U2B.0.45U2　　Ｃ.U2　　　Ｄ.0

38.某单相桥式整流电路中，当变压器初级电压为10V，初次级匝数比为1：

10则整流后输出电压为（）

A.0VB.45V　　Ｃ.90VＤ100V　

39.桥式整流电路中，当次级电压U2为负半周时，导通二极管为（）

A.D1和D2B.D2和D4　　Ｃ.D3和D4　　　Ｄ.D1和D3

40.测量二极管反向电阻时，若用双手把管脚捏紧，则实际值比测量值（）

A..小B　大　Ｃ.不变　　　Ｄ.不确定

41.实现晶体三极管截止的条件是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结，集电结均正偏

C.发射极，集电结均反偏Ｄ.发射结反偏，集电结正偏

42.满足△IC=β△IB的关系时，三极管一定工作在（）

A.截止区B.放大区　　Ｃ.饱和区　　　Ｄ.以上都可以

43.测得三极管ib=10μA时ic=2.4mA而ib=30μA时ic=3.4mA，则该管的交流电流放大系数β为（）

A50B.60C..80Ｄ.100

44.有a,b两只三极管，a管β=80、ICEO=20mA,b管β=200、ICEO=10mA，其它参数相同，应选用（）管比较合适

A.aB.b　　Ｃ.a、b同样适合　　　Ｄ.a、b都不适合

45.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的

电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为：

（）

A.0.03mA流出三极管e、c、b

B.0.03mA流进三极管e、c、b

C.0.03mA流出三极管c、e、b

D.0.03mA流进三极管c、e、b

46.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）

A.饱和状态B.放大状态C.倒置状态Ｄ.截止状态

47.使用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）

A.饱和状态B.放大状态C.倒置状态Ｄ.截止状态

48.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。

A.VC>VB>VEB.VC>VE>VB　　Ｃ.VE>VB>VC　　　Ｄ.VE>VC>VB

49.PNP型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。

A..发射极、基极、集电极

B.集电极、基极、发射极

Ｃ.集电极、发射极、基极　　

Ｄ基极、集电极、发射极

50.用模拟万用表红表笔接三极管一脚，用黑表笔分别接另两脚，测得的电阻均较大，则说明该晶体管是（）。

A.NPN型B.N沟道　　Ｃ.PNP型　　　Ｄ.P沟道

模拟电子线路试题（第二部分）

一判断题：

1.晶体三极管的集电极和发射极不可互换使用。

（）

2.晶体三极管工作在放大状态的条件是：

集电结反偏，发射结正偏。

（）

3.三极管按半导体材料分为NPN型和PNP型。

（）

4.晶体三极管工作在放大状态时，如同开关闭合。

（）

5.三极管相当于两个反接的二极管，所以任何一极断开后还可以作为二极管使用。

（）

6晶体三极管具有两个PN结，二极管具有一个PN结，因此可以把两个二极管反向连接起来

当作一只三极管使用（）

7.放大状态，饱和状态，截止状态称为晶体三极管的三种工作状态。

（）

8.NPN型三极管是由硅材料制成的。

（）

9.NPN型三极管工作在放大状态，三个极的电位必须符合不等式UC>UB>UE（）

10.三极管具有三个极，分别为：

基极（B），集电极（C），发射极（E）。

（）

11.β称为交流电流放大系数，它表示三极管放大交流电流的能力（）

12三极管的电流放大作用主要指的是在一定条件下流过流过基极电流IB是集电极的电流IC的若干倍（）

13.场效应管分为PNP管和NPN型场效应管两大类。

（）

14.场效应管有三个极，分别为：

基极（B），漏极（D），源极（S）。

（）

15.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。

（）

16.三极管中电流分配关系是：

IE=IC+IB（）

17.三极管构成的放大电路有：

放大、饱和、截止三种连接形式。

（）

18.N沟道增强型MOS管的符号是

（）

19.场效应管具有热稳定性好、输入电阻高、易集成、成本低等优点。

（）

20.三极管极间反向饱和电流随温度而改变。

（）

21.β称为直流电流放大系数，它表示三极管放大直流电流的能力（）

22三极管的电流放大作用主要指的是在一定条件下流过集电极的电流IC是流过基极电流IB的若干倍（）

23.场效应管分为结场效应管，面接触型，点接触型和绝缘栅型场效应管两大类。

（）

24.场效应管有三个极，分别为：

栅极（G），漏极（D），源极（S）。

（）

25.三极管是一种电流控制器件，场效应管是一种电压控制器件。

（）

26.三极管中电流分配关系是：

发射极电压等于基极电压和集电极电压之和（）

27.三极管构成的放大电路有三种组态，分别为：

共发射极组态、共集电极组态和共基极组态。

（）

28.P沟道增强型MOS管的符号是

（）

29.场效应管具有热稳定性差、输入电阻低、易集成、成本高等优点。

（）

30.三极管极间正向饱和电流随温度而改变。

（）

31.放大器放大信号的能量来源于电源输入的交流信号。

（）

32.放大电路的静态是指输出信号短路，输入信号为零的情况。

（）

33.三极管的β值,在电路中一般取30到80为宜。

（）

34.设置静态工作点的目的是为了使信号在整个周期内不发生线性失真。

（）

35.有人用直流电压表测量某工作于放大状态的晶体管的UBE=0.3V，则判断为硅型三极管。

（）

36.射极输出器其电流放大倍数小于等于1，输入电阻高，输出电阻小。

（）

37共基极放大电路其电流放大倍数约等于1。

.（）

38.射极输出器又叫共集电极放大电路，其放大电路的输出电压约等于输入电压，则电压放大倍数约等于1。

（）

39.共发射极放大器的输出信号和输入信号同相，射极输出器输出信号和输入信号反相。

（）

40.在画直流通路时，电源UCC保留。

（）

41.单级共发射极放大电路中，ui为正弦信号时，uo负半周出现削顶，表明放大器出现截止失真。

（）

42.小信号交流放大器造成截止失真的原因是工作点选得太低，可以减小Rb使Ib增大，从而使工作点上升到所需要的位置。

（）

43.对共基极极电路而言，输出信号和输入信号同相，相位相差180。

（）

44.单级共发射极放大电路中，ui为正弦信号时，uo正半周出现削顶，表明放大器出现饱和失真。

（）

45.放大器采用分压式偏置电路，主要是因为分压式偏置电路可以稳定静态工作点。

（）

46.在基本共射级放大电路中，电压放大倍数随β增大成反比例减小。

（）

47.放大器的输出电阻越小越好，带负载能力强。

（）

48.放大器的输出电阻越小越好，减小信号源的负担。

（）

49.放大器的输入电阻越大越好，减小信号源的负担。

（）

50.放大器的输入电阻越大越好，带负载能力强。

（）

二选择题：

1.实现晶体三极管放大的条件是（）

A.发射极，集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结，集电结均正偏Ｄ.发射结反偏，集电结正偏

2.满足△IC=β△IB的关系时，三极管一定工作在（）

A.截止区B.放大区　　Ｃ.饱和区　　　Ｄ.以上都可以

3.测得三极管ib=30μA时ic=2.4mA而ib=40μA时ic=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）

A.60B..75C80Ｄ.100

4.有a,b两只三极管，a管β=120、ICEO=200mA,b管β=50、ICEO=10mA，其它参数相同，应选用（）管比较合适

A.aB.b　　Ｃ.a、b同样适合　　　Ｄ.a、b都不适合

5.测得工作在放大状态的某三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的

电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为：

（）

A.0.03mA流进三极管c、e、b

B.0.03mA流出三极管c、e、b

C.0.03mA流进三极管e、c、b

D.0.03mA流出三极管e、c、b

6.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）

A.饱和状态B.放大状态C.倒置状态Ｄ.截止状态

7.使用万用表直流电压档，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）

A.倒置状态B.饱和状态C.放大状态Ｄ.截止状态

8.NPN型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。

A.VC>VB>VEB.VC>VE>VB　　Ｃ.VE>VB>VC　　　Ｄ.VE>VC>VB

9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。

A.基极、集电极、发射极

B.发射极、基极、集电极

Ｃ.集电极、发射极、基极　　

Ｄ集电极、基极、发射极.

10.用万用表红表笔接三极管一脚，用黑表笔分别接另两脚，测得的电阻均较小，则说明该晶体管是（）。

A.NPN型B.N沟道　　Ｃ.PNP型　　　Ｄ.P沟道

11.某放大器中三极管三个极的电位分别是2V，1.7V，5V，可判断该管为（）。

A.PNP型锗管B.PNP型硅管　　Ｃ.NPN型硅管　　　Ｄ.NPN型锗管

12.工作在放大区的某三极管，当ib从20微安增加到40微安，ic从1mA增加到2mA，则β为（）。

A.10B.20　　Ｃ.50　　　Ｄ.100

13.在三极管构成的三种基本放大电路中，电压放大倍数小于1的是（）。

A.共射极B.不定　Ｃ.共基极　　　Ｄ共集电极.

14.三极管按半导体内部结构不同分为（）。

A低频管和高频管B.硅管和锗管C.放大管和开关管Ｄ.NPN型和PNP型

15.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。

A.截止区B.放大区C.饱和区Ｄ.击穿区

16.场效应管是（）型三极管。

A.单极B.双极C.单向Ｄ.双向

17.下面不是场效应管的管脚的是（）

A.，漏极（D）B.栅极（G）C.源极（S）Ｄ.基极（B）

18.场效应管具有（）作用

A.电压放大B.电流放大C.电阻变换Ｄ.以上都有

19.场效应管是通过改变（）来控制漏极电流的

A栅极电流B..栅极电压C.源极电压Ｄ.源极电流

20.三极管输出特性曲线中，每一条曲线对应一个特定的（）。

AuCEB..iBC.βＤ.iC

21.某放大器中三极管三个极的电位分别是2V，1.3V，5V，可判断该管为（）。

A.PNP型锗管B.NPN型锗管　　Ｃ.NPN型硅管　　　Ｄ.PNP型硅管

22.工作在放大区的某三极管，当ib从10微安增加到40微安，ic从1mA增加到4mA，则β为（）。

A.100B.50　　Ｃ.　20　　Ｄ10.

23.在三极管构成的三种基本放大电路中，电流放大倍数等于1的是（）。

A共基极.B.共集电极　　Ｃ.共射极　　　Ｄ.不定

24.三极管按半导体材料结构不同分为（）。

A.NPN型和PNP型B.硅管和锗管C.放大管和开关管Ｄ.低频管和高频管

25.三极管输出特性曲线可分为三个区，为（）。

A.击穿区截止区饱和区B.放大区饱和区击穿区

C.放大区截止区击穿区Ｄ放大区饱和区截止区.

26.三极管是（）型三极管。

A.单向B.单极C.双极Ｄ.双向

27.下面场效应管的管脚的名字与字母对应正确的是（）

A.，漏极（B）B栅极（B）C.源极（C）Ｄ..栅极（G）

28.三极管管具有（）作用

A.电压放大B.电流放大C.电阻变换Ｄ.以上都有

29.三极管管是通过改变（）来控制集电极电流的

A..基极电流B.发射极电流C.源极电流Ｄ基极电压

30.工作在放大区的某三极管，当ib=20微安时ic=1mA，放大以后ib=40微安时ic=2.5mA，则β为（）。

A.10B.20　　Ｃ.75　　　Ｄ.100

31.单级共集电极放大电路中uo与ui相位相差（）。

A.2700B1800.C.900D0.

32.单级共射极放大电路中uo与ui相位相差（）。

A.2700B.900C.00D.1800

C.防止输出的交流信号对地短路，把放大了的电流转换成电压。

33.在共射极基本电路中，当用直流电压表测得UCE=0时，有可能是因为。

（）

A.Rb开路B.Rb过小C.Rc开路DRb开路

34.分压式偏置放大电路用作音频放大器，Ucc=12V,现用500型万用表测得UCE=12V则表明。