光电检测习题解答Word文档格式.docx
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一般说来,信号都需要进一步放大并滤除噪声。
放大后的信号经模拟/数字变
换后得到数字信号,以便于微处理器或微控制器。
微处理器或微控制器是测控系统的核心,它
主要有两个作用·
一是对数字信号进行进一步处理并将信号输出显示、存储和控制。
一是管理测
控系统的各个部分以实现测控系统的智能化,即根据信号和测量条件的变化,自动地改变放大
器的增益、滤波器的参数及其它的电路参数。
在选用合适的传感器之后,就要设计传感器的接
口电路。
从电子学的角度来看,不同的传感器具有不同的电特性和需要不同的驱动信号(也有
的传感器不需要驱动信号),为取得更高的精度和最佳的性能,需要设计传感器接口电路。
3、影响检测测量精度的主要因素有哪些,而葺中哪几个因素有时最基本而且需要特别注意
测量器具本身存在的误差。
环境因素,如气温,气压,干燥程度,震动,磁场等。
人为因素,如视觉误差等等。
还有使用测量器具时的方法不得当造成的误差。
4、什么是噪声和干扰?
什么是有用信号?
噪声是来自元器件内部粒子;
而干扰是指其他的有害信号,有系统外部的,也可以有内部的。
有用信号指传递用户所需信息的信号,或是用来让接收设备收到信号后产生一个预先设定的动作的信号。
从物理角度看,噪声是由声源作无规则和非周期性振动产生的声音。
噪声为电子系统中任何不需要的信号。
噪声会导致信号质量下降以及精确测量方面的错误。
噪声包括固有噪声及外部噪
声,这两种基本类型的噪声均会影响电子电路的性能。
外部噪声来自外部噪声源,固有噪声由
电路元件本身生成,最常见的例子包括宽带噪声、热噪声以及闪烁噪声等。
干扰分3部分,干扰源、耦合通道和敏感对象。
在不同空间和时间尺度上偶然发生,不可预知。
5、如何判断干扰?
如何避免干扰?
常见的信号的干扰有:
(1)器件工作的噪声干扰,比如说数字电路正负逻辑的转换导致的电磁
场干扰,电搜索压电流变化产生的电磁场干扰。
(2)高频信号噪声干扰(串扰和回损),因为
高频电路能产生强电磁场,产生感应信号。
(3)电源噪声干扰,现在大部分电源系统采用的都
是开关电源,开关电路的高频开关动作会导致严重的高频噪声。
(4)地线噪声干扰,都知道只
要是线就会存在电阻,当一条地线上挂有多个设备时,而且工作电流较大时,小电阻也会产生
电位差,从而影响设备。
总之干扰无处不在,在设计电路或画PCB时可以考虑从3点处理,即
屏蔽干扰源、切断耦合通道、保护敏感对象。
6、电子计数器如何实现既能测量频率又能测量周期?
为什么要通过测量周期的方法来测量低
频信号的频率?
00
采用多周期同步测量技术,这种测量方法实际上是对信号周期进行测量信号的频率是经过倒数
运算求出来的。
因而,从测频的角度,上述测量方法也称为倒数计数器法。
数字频率计测量频率的原理:
石英振荡器IMHz标准脉冲信号,经过分频器分频为IHz周期Is
的尖波信号接到控制门的控制端,被测信号通过放大整形变为正半波尖脉冲信号,接到控制器
的信号端;
第一个秒信号触发控制门打开,尖脉冲通过控制门,第二个秒信号到来后控制门关
闭,脉冲计数器记录两个秒信号间隔时间内通过控制门的尖脉冲个数就等于被测信号的频率值。
数字频率计测量周期的原理:
采用上述方法测量低频信号时可能产生较大的误差,因为第一个
秒信号到来的时间是随机的,计数器从开启到关闭可能多记一个或少记一个数;
因此,为了保
证低频信号测量的精度,可以用周期测量法:
即用被测信号脉冲去控制门电路的开启,让标准
时间通过控制门,进入计数器进行计数,这样计数器的值就等于一个被测电压的周期内有几个
标准时间脉冲通过,相当于一个周期等于几个时间单位。
这就是为什么要通过测量周期来测定
低频型号的频率搜索的原因。
8、试叙述光电检测系统的组成及特点。
P6组
成:
(1)光学变换
时域变换:
调制振幅、频率、相位、脉宽空域变换:
光学扫描
光学参量调制:
光强、波长、相位、偏振
形成能被光电探测器接收,便于后续电学处理的光学信息。
(2)光电变换
光电/热电器件(传感器)、变换电路、前置放大
将信息变为能够驱动电路处理系统的电信息(电信号的放大和处理)。
(3)电路处理
放大、滤波、调制、解调、A/D、D/A、微机与接口、控制。
第2章
1、简述光电效应的工作原理。
什么是暗电流?
什么是亮电流?
P112.2.1暗电流指的
是在无光照时,山外电压作用下p·
N结内流过的单向电流。
光敏电阻两端加电压(直流或交流)。
无光照时,阻值很大,电流(暗电流)很小:
光照时,光
生载流子迅速增加,阻值急剧减少,在外场作用下,光生载流子沿一定方向运动,形成亮电流。
2、简述光生伏特效应的工作原理。
为什么光伏效应器件比光电导效应器件有更快的响应
速
答:
(1)光生伏特效应的工作基础是内光电效应,当用适当波长的光照射PN结时,山于内建场的作用(不加外电场),光生电子拉向n区,光生空穴拉向p区,相当于PN结上加一个正
电压。
(2)光伏效应中,与光照相联系的是少数载流子的行为,因为少数载流子的寿命通常很短,所以以光伏效应为基础的检测器件比以光电导效应为基础的检测器件有更快的响应速度。
3、
4、
简述光热效应工作原理。
热电检测器件有哪些特点?
P15
比较光电效应和热电效应在作用机理、性能及应用特点等方面的差异。
所谓光电效应是指,光辐射入射到光电材料上时,光电材料发射电子,或者其电导率发生
变化,或者产生感生电动势的现象。
光电效应实质上是入射光辐射与物质中束缚于晶格的电子
或自山电子的相互作用所引起的。
光电效应就对光波频率(或波长)表现出选择性。
在光子直
接与电子相互作用的情况下,其响应速度一般比较快。
按照是否发射电子,光电效应
又分为内
光电效应和外光电效应。
具体有光电子发射效应《光电导效应、一一光生伏特效应、光子牵引
效应和光电磁效应等。
光热效应的实质是探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸
收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件与温
度有关的电学性质或其他物理性质发生变化。
原则上,光热效应对光波频率(或波长)没有选
择性,因而物质温度的变化仅决定于光功率(或其变化率)
,而与入射光辐射的光谱成分无关。
因为温度升高是热积累的作用,所以光热效应的响应速度一般比较慢,而且容易受环境温度变
化的影响。
光热效应包括热释电效应、温差电效应和测热辐射计效应等第
3章
1、
试说明为什么本征光电导器件在越微弱的辐射作用下,时间响应越长,灵敏度越高
解,
在微弱信号的辐射下,將式
0一8的VI一趸1)代入(183),并对其
求导即可得半导体材料在弱辐射T的光电导灵敏度为
S
2、
20一0),由此可知时间t响应越长,灵敦度越高。
对于同一种型号的光敏电阻来讲,在不同光照度和不同环境温度下,其光电导灵敏度
与时间常数是否相同?
为什么?
如果照度相同而温度不同时情况又会如何?
解:
同一型号的光敏电阻,在不同光照度下和不同的环境温度下,其光电导灵敏度和时
闾锵数不相同。
在照度相同而温度不同时,其光电导灵度不相同和时间常数也不相同。
其材料性质已经一枷只是决定了的值0定,光照度和环境温度不同,则产生的光生电子浓度
和热生电子浓度各异决定了值不同,照度相同决定光生电子浓度相同,温度不同决定热生电
子浓度不同,同样也决定了值才同,由(185)和(188)推出光电灵敏度不相同,由0巧)
和(2-11)推出其时间常数不相同。
3、为什么结型光电器件在正向偏置时,没有明显的光电效应?
它必须在哪种偏置状态?
因为p-n结在外加正向偏压时,即使没有光照,电流也随着电压指数级在增加,所以有光
照时,光电效应不明显。
p-n结必须在反向偏压的状态下,有明显的光电效应产生,这是因为
p-n结在反偏电压下产生的电流要饱和,所以光照增加时,得到的光生电流就会明显增加。
在如图
3一
70
所示的照明灯控制电路中,将题
3所给的
Cds
光敏电阻用作光电传感
器
&
在如右图所示的照明灯控制电路种,用
光敏电阻用作光电传感器,光敏电阻
最大功耗为
300m
光电导灵敏度
Sg=0.
一
5
×
10
一6S/Ix,暗电导
go
一0,若已
知继电器绕组的电阻为
5k0
继电器的吸合电流为
2,电阻R=1kQ:
试求:
为使继
电器吸合所需要的照度;
0要使继电器在照度为
3Ix
时吸合,应如何调整电阻
R.
(10分)
光电
阻
的光电
已
弱
光照射下
=欧
的接时
0为使鼷
山敏电
即所盂照
0照度为
22吖无
,
屮光敏电的陨电陌團v.即使催这到这么的电兆敏可能拙坏园无论怎么整
电衲,都不会使鼷电器吸
5、光电导器件响应时间(频率特性)受哪些因素限制?
光伏器件与光电导器件工作频率哪个
咼?
实际使用时如何改善其工作频率响应?
响应时间主要受光电导器件中载流子的平均寿命有关,减小0则频率响应提高;
其次,光电导
器件的响应时间与运用状态也有光,例如,光照强度和温度的变化,因为它们都影响载流子的
寿命。
光伏特器件的工作频率高于光电导器件。
要改善光伏器件的频率响应,主要是减小响应
时间,所以采取的措施主要有:
@减小负载电阻;
@减小光伏特器件中的结电容,即减小光伏
器件的受光面积;
@适当增加工作电压。
6、硅光电池的开路电压为什么随着温度的升咼而下降?
影响光电倍增管工作的环境因素有哪
些?
如何减少这些因素的影响?
温度升高时,半导体的导电性将发生一定的变化,即少数载流子浓度随着温度的升高而指数式增大,相对来说多数载流子所占据的比例即越来越小,这就使得多数载流子往对方扩散的作用
减弱,从而起阻挡作用的p-n结势垒高度也就降低。
从Fermi能级的变化上来理解:
温度越高,半导体Ferm能级就越靠近禁带中央(即趋于本征化),则两边半导体的Fermi能级之差也就越小,所以p-n结势垒高度也就越低,也就是开压降低。
光电倍增管的响应度受多方面的因素影响,比如:
偏置电压的高低、环境光和温度变化等多方面因素的影响。
无光时光电倍增管对光的响应度更趋于平稳,使实验数据也更具有可靠性。
因此,无光环境是决定光电倍增管对微弱光信号的检测能力的重要因素之一。
光电倍增管工作时由于阴极材料发热,这样对光电倍增管的响应度产生较大的影响,因此不稳定的工作温度对光电倍增管的响应度也会带来不同程度的影响。
降低光电倍增管的使用环境温度可以减少热电子发射,从而降低暗电流。
另外,光电倍增管的灵敏度也会受到温度的影响。
7、分析光电信号输出电路工作原理。
试以光电导器件为例,说明为什么光电检测器件的工作
波长越长,工作温度就越低?
8、简述发光二极管的发光原理及半导体激光器的工作原理。
P44
它们的结构简单说就是三明
治的夹心结构,中间的夹心是有源区。
二者的结构上是相似的,但是
LED
没有谐振腔,
LD
有谐振腔。
工作原理是基于受激辐射、
是基于自发辐射。
发射功率较高、光谱较窄、直接调制带宽较宽,而
发射功率较小、光谱较宽、直接调
制带宽较窄。
00
9、试判别下列结论,正确的在括号里填写
T,错误的则填写
F:
(1)光电导器件在方波辐射的作用下,其上升时间大于下降时间。
(2)光敏电阻的阻值与环境温度有关,温度升高时光敏电阻的阻值也随之升高。
(T)
(3)光敏电阻的是由于被光照后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长时间,而且,随着复合的进行,光生电子与空穴的浓度与复合几率不断减小,使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间。
10、简述光电耦合器件的工作原理?
P51
光电偶合器件(简称光耦)是把发光器件(如发光二极体)和光敏器件(如光敏三极管)组装
在一起,通过光线实现耦合构成电一光和光一电的转换器件。
11、利用光敏电阻等器件设计楼梯内的节能灯控制电路及测量应用中的自动增益控制电路。
2楼道照明灯自动控制电路设计原理图
褛道照明灯0动控制电路设计总电路图如7和图10所示,它由电电路、光控.电路和延时控制电路、热释电红外感应电路以及电话控制电路四部份组成。
.220v电压经过电源电路部分进行降压、整流、涟波及稳压.0为其它电路提供12V的直流工作电压。
同时通过光敏电阻、新型热释电红外传感器及时基集成电路N巧55共同控旀使白天灯不亮,夜间有人来的时候灯白动走亮,人走
后延时一段时闷白动熄灭/从而达到能的」的。
电路还扉上一个电话控制系统以保证电路在异常情况下可以远程控制。
就
阁7楼道照明灯自动控制电话控制电路
2但2刀照明灯自动控制电路,
其工作原理:
当灯所处环境光线较时,儲s光敏电殂的值很脔,电
器K的组电流变得很小,不能雄特工作卣关闭.当有适当大小的@
音时·
声控延时开关K连通,灯亮·
特过一定时伺后·
声控迂时开关Ti
自动断卅,灯熄灭·
3伊67如图2所示的照明灯所不电路中,s光敏电用做光电传感0
“光敏电最大功耗为3闐mW.光电导巭敏度、=晒×
10“丷派,
哈电导
g。
=伍着己知慧电器绕粗的电为
5·
塑电
12、
试分析图
72(a),(b)
所示的放大电路中,光敏电阻
Rp
的作用。
(a)无光照时,Rp阻值很大,即同相反馈支路的反馈电阻很大,输出电压高。
光强增加吓
使得Rp0使得同相反馈支路阻值减小,输出电压下降。
(b)无光照时,Rp阻值很大,输入近似开路,输出电压低。
光强增加0使得Rp0使得输入信
号进入,《一输出信号增大。
13、为什么在光照度增大到一定程度后,硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增
大?
硅光电池的最大开路电压为多少?
为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开
路电压?
当光照强度增大到某个特定值时,硅光电池的p-n结产生的光生载流子数达到了最大值,即出现饱和,再增大光照强度,其丌路电压不再随之
增大、硅光电池的丌路电压表达式为
0“
(l产)巾代入
dU
的表达式并求关十的一阶导数,鋈
一0,求得最大开路电压,由
十轮出电压0:
0&
翎0一0@百一的。
即包含了扩散电流
“和/暗电流
7。
的
影响,使得硅光电池的有载输出电压
总小于开路电压0。
14、硅光电池的内阻与哪些因素有关?
在什么条件下硅光电池的输出功率最大?
(1)极电容,串接电阻,串接电阻越小越好。
(2)显然,存在着最佳负载电阻Ropt,在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率Pmaxo
15、光生伏特器件有几种偏置电路?
各有什么特点?
(1)光生伏特器件有反向偏置电路,零偏置电路,自偏置电路。
(2)特点:
自偏置电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功率,且当负载为最佳负载电阻时具有最大的输出功率,但是自偏置电路的输出电流或输出电压与入射辐射间的线性关系很差,因此在测量电路中好少采用自偏置电路。
反向偏置电路:
光生伏特器件在反向偏置状态,PN结势垒区加宽,有利于光生载流子的漂移运动,使光生伏特器件的线性范围加宽,因此反向偏置电路被广泛应用到大范围的线性光电检测与光电变换中。
零偏置电路:
光生伏特
器件在零伏偏置下,输出的短路电流Isc与入射辐射量(如照度)或线性关系变化,因此零伏偏置电路是理想的电流放大电路。
16、试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线,说明它们的差异。
答.比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线可知:
当没有光辐射时,二者的伏安特性曲线是一样的;
当有光辐射时,则硅光电二极管的全电流为负值,特性曲线向下平移,且向下平移的程度随辐照度的不同而变化。
但是硅整流二极管的伏安特性曲线不受光照的影响。
此
外,正常工作状态下,硅光电二极管两端所加正向电压必须小于0.7v,否则不能产生光电效
应。
该值通常为负,即处于反偏状态;
硅整流二极管两端所加偏压须为正,且要大于开启电压
Uth值。
、写出硅光电二极管的全电流方程,说明各项的物理意义。
硅光电二极管的仝电流方程为
式中,为光电材料的光电为材料对光的吸收系数“转
换效率,光电流为
比较2CU型硅光电二极管和
(1)U型硅光电二极管的结构特点,说明引入环
极的意义·
答,2CU
型硅光电二极管是采用
n型硅材料作基底,在
n区的一曲扩肷二价元素硼而生成重
掺杂型层,尹型层和
n型硅相接触彬成
p-n
鲒,引出电极
0在光敏曲上涂上
堡保铲膜:
。
2DU
型硅光电
0极管是轻
0杂、高阴值帥
p型硅材料做基底,在
p型基底上扩
五价元紊,
形成质掺杂的型层,
p型硅和的型硅接触形成到结,在区引出正极,
涂以透明的
堡作为
保护膜,基底镀镍蒸铝后引出负电极:
在硅光电
0极管的制造过程中,在光敏面上涂
02.區护层的过程中,不可避免的会沾污一些杂质正离子,通过靜电感、应引,起表面电
流,亓进而产生隋电流和散粒噪声、:
因此,为了减少由干&
中少量正鬲子的静电感应所产生
的表面漏电流,在氧化层中也犷散一个环形p、n结而将受光面包围起来,即
引入环极,以增加高阻区宽度,避免边缘过曱“击穿
4
19、影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?
为什么
PN结型硅光电二极管的最高
工作频率小于等于
107?
怎样提高硅光电二极管的频率响应?
(1)影响光生伏特器件频率响应的主要因素有三点:
1)在PN结区内产生的光生载流了渡越结
区的时间Tdr,即漂移时间;
2)在PN结区外产生的光生载流子扩散到
PN结区内所需的时
间T
p,即扩散时间;
3)由PN结电容q、管芯电阻
Ri及负载电阻RL构成的RC延迟时间T
RCO
(2)对于PN结型硅光电二极管,光生载流子的扩散时间
Tp是限制硅光电二极管频率响应的
主要因素。
由于光生载流子的扩散运动很慢,因此扩散时间
Tp很长,约为
100nS,则其最高
107砌
(3
月)减小PN
结面积;
2)增加势垒区宽度,提高材料体电阻率和增加结深;
3)适当增加
工作电压;
4)尽量减少结构造成的分布电容;
5)增加
PN
结深,减小串联电阻;
6)设计选
用最佳负载阻值。
20、
为什么说发光二极管的发光区在
PN结的p区?
这与电子、空穴的迁移率有关吗?
对于
结注入发光的发光二极管,当
结处于平衡位置时,存在一定的势垒区。
当加
正向偏压时,
结区势垒降低,从扩散区注入的大量非平衡载流子不断地复合发光,并