硅材料选择题精选DOCWord文档格式.docx

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A、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

B、单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

C、单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

D、单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

5、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）

A、分凝B、蒸发C、坩埚污染D、损坏

6、属于晶体缺陷中面缺陷的是（）

A、位错B、螺旋位错C、肖特基缺陷D、层错

7、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

A、越高B、不确定C、越低D、不变

8、用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于

9、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则（111）的面间距是多少？

A、0.786nmB、0.543nmC、0.941nmD、0.543nm

10、简述光生伏特效应中正确的是（）

A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；

B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；

C、平衡载流子破坏原来的热平衡；

D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；

若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。

答案AABADDCBCD

1、属于晶体缺陷中面缺陷的是（B）

A位错B层错C肖特基缺陷D螺旋位错

2、单晶硅晶胞常数为0.543nm,则（111）的面间距是多少？

（A）

A0.941nmB0.543nmC0.786nmD0.543nm

3、用能量（B）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

A低于B等于或大于C大于D小于或等于

4、下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（D）

A加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长

B加料—→熔化—→缩颈生长—→等径生长—→放肩生长—→尾部生长

C加料—→熔化—→等径生长—→放肩生长—→缩颈生长—→尾部生长

D加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长

5、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（C）

A越高B不确定C越低D不变

6、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（A）

A、损坏B、蒸发C、坩埚污染D、分凝

7、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？

（D）

A、6B、2C、4D、5

8、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（A）

单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

单晶生长→整形→硅片检测→抛光→蚀刻→切片→晶片研磨及磨边→打包

9、多晶硅的生产方法主要包含：

（C）

1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法

A、1234B、123C、2457D、4567

10、在制造成的电池片效率上看，单晶的效率明优于多晶硅，单晶电池片的转化效率一般能超过百分之（A），而多晶在百分之十几

A二十B十五C二十五D三十

A半导体 

B导体 

C绝缘体。

A线缺陷 

B面缺陷 

C点缺陷 

D体缺陷 

3 

下列是晶体的是__B__。

A玻璃 

B硅 

C松香 

D塑料 

A固相生长 

B液相生长 

C气相生长 

A90% 

B92% 

C95% 

D97% 

6对于铸造多晶硅氧浓度越__，钝化效果越__，少数载流子寿命增加越__A. 

A低，好，多 

B 

低，好，少 

C低，差，多 

D高，好，多 

A化学清洗 

Brca清洗 

C超声波清洗 

①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅 

A.①②④ 

B.①②③④ 

C.②③④ 

D.③④ 

A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 

B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包 

C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包 

A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大 

B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦 

C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减 

1.下列关于硅的说法不正确的是（）

A.硅是非金属元素，它的单质是灰黑色有金属光泽的固体

B.硅的导电性能介于金属与绝缘体之间，是良好的半导体材料

C.硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应

D.加热到一定温度时，硅能与氢气、氧气等非金属发生反应

2.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是（）

A.弗伦克尔缺陷B.肖特基缺陷C.位错D.层错

3.其中不属于多晶硅的生产方法的是（）

A.SiCl4法B.硅烷法C.直拉法D.西门子改良法

4.关于光生伏特效应叙述中错误的是（）

A用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；

Bp、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；

C非平衡载流子不破坏原来的热平衡；

D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；

5.下列说法错误的是（）

A调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大

B调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦

C调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减

D增大坩埚内径与晶体直径的比值

6.硅材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压UD是（）

A．0.2VB．0.7VC．-0.2VD．-0.7V

7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？

（）

籽晶熔接

引晶和缩颈

等径生长

收晶

A

B.

C.

D.

8.半导体硅工业产品不包括（）

多晶硅

单晶硅

外延片

非晶硅

9、硅片制备主要工艺流程是（）

A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包

10、下列说法错误的是（）

A通常，在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择低些，可以缩短扩散时间，有利于生产

B晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割

C直拉法生长单晶硅拉晶过程：

籽晶熔接、引晶和缩颈、放肩、等径生长、收晶

D缩颈的主要目的：

缩颈是指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部分

参考答案:

CDCCABBDAA

1.改良西门子法的显著特点不包括（A）

A.高能耗B成本低C产量高D质量稳定

2.制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（B）

A.氧及其相关缺陷B.参杂浓度C。

以间隙铁为主的过渡族金属杂质D材料中的缺陷密度及其分布

3.晶体缺陷不包含（B）

A.点缺陷B柱缺陷C。

面缺陷D体缺陷

4.铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（D）

A.头尾料和锅底料中含有的氧B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧C石墨加热器与坩埚反应引入的氧D外界空气的进入

5.铸造多晶硅中氢的主要作用包括（ABC）

A.钝化晶界B钝化错位C钝化电活性杂质

6.悬浮区熔的优点不包括（D）

A不需要坩埚B避免了容器污染C更易获得高纯度硅D成本低

7.CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（B）

A加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾B加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾C加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾D加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾

8.热处理中氧沉淀的形态不包括（A）

A球状沉淀B片状沉淀C棒状沉淀D多面体沉淀

9.可用作硅片的研磨材料是（B）

A.AL2O3B.MGOC.BA2O3D.NACL

10.硅片抛光在原理上不可分为（C）

A.机械抛光法B.化学抛光法C手工抛光法.D.机械--化学抛光法

1、对于临界晶核，即与母相达成平衡，可以稳定存在的晶核来说，下列应该满足的条件是（）答案：

B

（1）、母相压强等于外压强

（2）、三个相的化学势相等

（3）、新相压强大于外压强（4）、新相压强必须小于外压强

A、

（1）、

（2）、（4）

B、

（1）、

（2）、（3）

C、（4）

D、

（1）、

（2）、（3）、（4）

2、一下哪一种属于金刚石结构（）答案：

A.SiB.CuC.FeD.Al

3、下列不属于三氯氢硅性质的是（）答案：

C

A、无色透明B、易燃易爆

C、不易挥发和水解D、有刺激性气味

4、下列不属于工业吸附要求的是（）答案：

A.具有较大的内表面，吸附容量大

B.具有一定的机械强度，耐热冲击，耐腐蚀

C.不易得，昂贵

D.容易再生

5、下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）答案：

D

A、氧B、硼

C、温度D、湿度

6、下列属于单晶硅片的一般形状（）答案：

A.方形B.三角形C.圆形D.梯形

7、尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（）答案：

A、形状太凹B、形状太凸

C、过于平整D、无变化

8、固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上

进行常规热处理。

答案：

A.300B.400C.500D.600

9、正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）答案：

A、能B、不能

C、不确定D、有时可以，有时不可以

10、通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。

A、温度场B、磁场

C、重力场D、电场

1、 

在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称（B 

） 

Ａ．光电效应 

B．光生伏特效应 

C．内光电效应 

D．外光电效应

2光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（ 

A 

）。

使材料的电学性质发生变化。

通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。

光子效应所制成的红外探测器。

A．光子效应 

B．霍尔效应 

C．热电效应 

D．压电效应

3P型半导体中的多数载流子是（A） 

A. 

空穴 

B.电子 

C. 

自由电子 

D.光子

4PN结的基本特性是（A）

单向导电性 

B. 

半导性 

C.电流放大性 

D.绝缘性

5下列哪个不是单晶常用的晶向（B）

A（100）B（001）C（111）D（110）

6常见的晶格结构有（D）

1简单立方结构

2体心立方结构

3面心立方机构

4金刚石结构

5闪锌矿结构

6三棱锥结构

A①②③④⑥B④⑤⑥C②③④⑤D①②③④⑤

7下列哪一个不是半导体的导电类型（D）

1本征半导体

2N型半导体

3P型半导体

A②③B①②C②D①②③

8下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（A）

A漂移迁移率B电导迁移率C霍尔迁移率D磁阻迁移率

9下列哪个不是半导体材料的分类（D）

A元素半导体B化合物半导体C有机半导体D定形半导体

10原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（D）

A减小，减小B减小，增大C增大，增大D增大，减小

1、影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是：

原材料中杂质的种类和含量；

杂质的分凝效应；

杂质的蒸发效应；

生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；

加入杂质量；

A.

2、当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率____A_____。

A.上升B.下降C.不变D.不确定

3、制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是__A___。

A.汽-固B.液-固C.固-固D.汽-液

4、测量硅中氧浓度常用的方法是___D__。

A.带电粒子活化法B.熔化分析法C.离子质谱法D.红外光谱分析法

5、在设计合理的生长系统时，其驱动力场满足的要求中。

晶体-流体界面附近_____B______。

A.负相变驱动力，Δg>

0B.负相变驱动力，Δg<

0

C.正相变驱动力，Δg<

0D.正相变驱动力，Δg>

6、原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距_______而迅速地___A____。

A.增加减小B.减小减小C.增加增加D.不确定

7、下列铸造多晶硅的制备方法中，__C_____没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。

A.布里曼法B.热交换法C.电磁铸锭法D.浇铸法

8、下列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是____B__。

A.加热B.化料C.晶体生长D.冷却

9、在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是___B___。

A.上部和边缘部分B.中部和边缘部分C.上部和底部D.底部和边缘部分

10、在制备多晶硅薄膜时，要调整工艺参数，使得多晶硅的晶粒_____,晶界__B___。

A.尽量大尽量大B.尽量大尽量小C.尽量小尽量小D尽量小尽量大

1.一下哪一种属于金刚石结构（A）

2.下列与硼氧复合体缺陷无关的是（D）

A.氧B.硼C.温度D.湿度

B.

3.晶体生长过程亦即相变过程，也可以看做相界面的推移过程，由此可将晶体生长过程分为三类，以下正确的是（B）。

（1）、固相生长

（2）、液相生长（3）、气象生长（4）、边缘生长

4.固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（D）摄氏度以上进行常规热处理。

A、300B、400

C、500D、600

5.化学提纯高纯多晶硅的生产方法大多数分为三个步骤，一下正确的是（B）。

（1）、中间化合物的合成

（2）、中间化合物的分离提纯

（3）、中间化合物被还原或者是分解高纯硅（4）、中间化合物的去除

6..多晶硅的工艺流程是（C）

A.清洗，装料，化料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装

B.清洗，化料，装料，晶体生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装

C.清洗，装料，化料，等径生长，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装

D.清洗，晶体生长，化料，装料，退火，冷却，出炉，破锭，切割，包装

7.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段（A）

A.润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光

B.熔化、润晶、放肩、等径生长、拉光

C.润晶、熔化、放肩、等径生长、拉光

D.润晶、缩颈、放肩、等径生长、尾部生长

B.以下哪个是错误的（D）

（2）杂质对材料的导电类型有影响

（3）B.杂质对材料的电阻率会有影响

C.杂质对非平衡载流子寿命有影响

D.杂质对平衡载流子的寿命有影响

9.考虑原料与坩埚引入杂质影响，在拉制电阻率ρ1--ρ2范围单晶时，应加入杂质使熔体中含有杂质浓度为（C）

A.都为CL=C1-C2B.都为CL=C1+C2

C.试拉单晶为同型CL=C1-C2不同型CL=C1+C2

D.试拉单晶为同型CL=C1+C2不同型CL=C1-C2

10.为保证生产的稳定，减少外来污染引起的电阻率起伏（D）

A固定拉晶时间B应用控制电阻率径向和纵向均匀性方法

C固定拉晶参数D重复使用复拉料

1.下列关于硅的说法中，不正确的是 

（C） 

A．硅是人类将太阳能转换为电能的常用材料 

B．硅的导电性能介于金属和绝缘体之间，是良好的半导体材料 

C．硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应 

D．加热到一定温度时，硅能与氯气、氧气等非金属反应

2.10g含有杂质的CaCO3和足量的盐酸反应，产生CO20.1mol，则此样品中可能含有的杂质是（ 

A．KHCO3和MgCO3 

B．MgCO3和SiO2 

C．K2CO3和SiO2 

D．无法确定 

3.在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（D）以上。

A.90%

B.92%

C.95%

D.97%

4.石墨炸弹爆炸时，能在方圆几百米范围内撒下大量的石墨纤维，造成输电线、电厂设备损坏。

这是由于石墨（ 

C 

A．有剧毒 

B．易燃、易爆 

C．能导电 

D．有放射

5.二氧化硅是酸酐的原因是（ 

A．它溶于水得相应的酸 

B．它对应的水化物是可溶性强酸 

C．它与强碱溶液反应只生成盐和水 

D．它是非金属氧化物

6.下列属于晶体缺陷中的面缺陷的是（D）

A.弗伦克尔缺陷

B.肖特基缺陷

C.位错

D.层错

7.晶体生长过程亦即相变过程，也可以看做相界面的推移过程，由此可将晶体生长过程分为三类，以下正确的是（B）。

A、固相生长

B、液相生长

C、气象生长

D、边缘生长

8.关于光生伏特效应叙述中错误的是（C）

A.用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；

B.p、n区都产生电子—空穴对，产生非平衡载流子；

C.非平衡载流子不破坏原来的热平衡；

D.非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散

9.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段（A）

D.熔化、润晶、放肩、等径生长、拉光

B.润晶、缩颈、放肩、等径生长、尾部生长

10.多晶硅的工艺流程是（C）

1.硅材料是太阳能电池及电脑芯片不可缺少的材料，随着一批多晶硅生产企业在乐山建成投产，乐山将成为我国重要的硅材料产业基地。

下面是多晶硅生产过程中的一个重要反应：

SiO2+2C

Si+2CO↑，该反应的基本类型是C

A．化合反应B．分解反应C．置换反应D．复分解反应

2.面心立方晶格中原子密度最大的晶向是?

B

A[100]B[110]C[111]D[121]

3下列哪个不是化学法提纯高纯多晶硅的方法B

A．三氯氢硅还原法B区域熔化提纯法C硅烷法D流态化床法

4关于直拉单晶硅的说法错的是C

A提纯效果好B对硅材料的要求一般C生产成本低D产量高

5在铸造多晶硅晶体生长时，需要解决以下的问题。

除了a

A尽量增大环境温度B尽量均匀的固液界面温度C尽量大的晶粒D尽量少的外界污染

6铸造多晶硅中的金属杂质形成沉淀有什么影响B

A电活性升高B影响少子寿命C影响载流子浓度D不会影响多晶硅的制备

7多晶硅片少子寿命的影响因素A

A温度B杂质含量C硅片厚度D晶粒尺寸均匀性

8单晶硅中的点缺陷不包括D

A空位B自间隙原子C杂质原子D载流子浓度

9集成电路硅片的规格要求比较严格，必须有