浅谈钙钛矿太阳能电池技术与发展Word文档下载推荐.docx

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关键词：

钙钛矿材料；

太阳电池；

光吸收层

1.钙钛矿太阳电池的发展历程

随着人类社会的不断发展与进步，由工业发展带来的能源和环境问题日益明显，化石燃料（石油、煤炭、天然气等）的有限储量及其燃烧带来的全球变暖问题使人们不得不去寻找和开发环保且可再生的新型能源。

太阳能来源丰富，取之不尽，用之不竭，而且太阳能绿色环保无污染，是未来有希望获得大规模应用的新能源之一，受到国际社会的广泛关注与研究。

将太阳能转换为电能的重要器件之一就是太阳电池。

2009年，日本人Kojim等首先将有机-无机杂化的钙钛矿材料应用到量子点敏化太阳电池中，制备出第一块钙钛矿太阳电池，并实现了3.8%的效率。

但这种钙钛矿材料在液态电介质中很容易溶解，该电池仅仅存在了几分钟级宣告失败，随后，Park等人于2011年将CH3NH3PbI纳米晶粒改为2-3nm，效率达到了6.5%。

由于仍然采用液态电解质，仅仅经过10min，电池效率就衰减了80%。

为解决钙钛矿的稳定性问题，2012年Kim等人将一种固态空穴传输材料（spiro-OMeTAD）引入到钙钛矿太阳电池中，制备出第一块全固态钙钛矿太阳电池，电池效率达到了9.7%。

即使未经封装，电池在经过500小时后，效率衰减很小。

空穴传输层（HTM）的使用，初步解决了液态电解质钙钛矿太阳电池不稳定和封装困难的问题。

随后Snaith等首次将Cl元素引入到钙钛矿中，并使用Al2O3代替TiO2,证明钙钛矿不仅可以作为光吸收层，还可以作为电子传输层（ETM），所得电池效率为10.9%。

同样是在2012年，瑞士的Etgar等在CH3NH3PbI后直接沉淀Au电极，形成CH3NH3PbI/TiO2异质结，所得的电池效率为7.3%。

这说明钙钛矿材料除了可以作为光吸收层和电子传输层，还可以作为空穴传输层。

钙钛矿太阳电池自2013年开始迅猛发展，Gratzel等人首次使用两部沉积法制备钙钛矿薄膜，电池效率达到了15%，随后Snaith等人采用共蒸发的方法制备钙钛矿薄膜，形成一种全新的平面异质结电池，引起了全世界的关注。

同样在2013年Yong等人采用溶液法和蒸发法相结合的方法制备钙钛矿薄膜，所得电池效率为12.1%。

2014年初韩国KRICT研究所已经将钙钛矿电池的转换效率提高到17.9%，到5月份，Yong等人通过掺Y修饰的TiO2层，将电池转换效率提高到19.3%。

现在KRICT研究所已经制备出转换效率达到20.2%的钙钛矿太阳电池，并已通过认证。

2.钙钛矿太阳电池的结构及原理

2.1钙钛矿太阳电池的结构

如图1（a）所示的介孔结构的钙钛矿太阳电池为:

FTO导电玻璃、TiO2致密层、TiO2介孔层、钙钛矿层、HTM层、金属电极。

在此基础上,Snaith等把多孔支架层n型半导体TiO2换成绝缘材料Al2O3，形成如图1（b）所示的一种介观超结构的异质结型太阳电池更进一步地，去掉绝缘的支架层，如图3（c）所示，制备出具有类似于P-I-N结构平面型异质结电池，

图1钙钛矿太阳电池结构（a）介孔结构（b）介观超结构（c）平面结构

2.2钙钛矿太阳电池的工作原理

在光照下，能量大于光吸收层禁带宽度的光子将被光吸收层中材料吸收，同时使该层中价带电子激发到导带中，并在价带中留下空穴；

由于光吸收层导带能级高于电子传输层的导带能级时，光吸收层中导带电子会注入到电子传输层的导带中；

电子进一步运输至阳极和外电路，而光吸收层的价带能级低于空穴传输层的价带能级时，光吸收层中的空穴注入到空穴传输层；

空穴运输到阴极和外电路构成完整的回路，其中，致密层的主要作用是收集来自钙钛矿吸收层注入的电子，从而导致钙钛矿吸收层电子－空穴对的电荷分离，此外致密层还起到阻挡作用，防止钙钛矿与FTO的接触从而造成电子与FTO的复合。

图2钙钛矿太阳能电池结构示意图

2.3钙钛矿吸收层

钙钛矿作为吸收层，在电池中起着至关重要的作用。

以CH3NH3PbI为例，钙钛矿薄膜作为直接带隙半导体，禁带宽度为1.55eV电导率为10-3S/m，载流子迁移率为50cm2/（V·

s）吸收系数105，消光系数较高，几百纳米厚薄膜就可以充分吸收800nm以内的太阳光，对蓝光和绿光的吸收明显要强于硅电池。

且钙钛矿晶体具有近乎完美的结晶度，极大地减小了载流子复合，增加了载流子扩散长度，可高达1µ

m（掺Cl），这些特性使得钙钛矿太阳电池表现出优异的性能。

钙钛矿型光吸收材料的基本结构为ABX3，A离子的作用为提供晶格内的电荷补偿，并且A粒子的大小可以影响材料的光学特性和禁带宽度。

B离子的作用也会影响到形成半导体材料的禁带宽度。

目前已有用Sn2+替代Pb2+制备出的钙钛矿吸收层，这不仅有利于钙钛矿太阳电池的商业化生产，还减少了重金Pb造成的污染。

卤族X的作用主要体现在随着半径的增加，吸收光谱向长波段方向移动。

例如，通过掺入Br和调整Br的含量，使得钙钛矿材料的禁带宽度可在1.5~2.2eV可以调整，这为以钙钛矿太阳电池作为顶电池的叠层电池提供了很好的基础。

图3典型的钙钛矿晶体和与之匹配的高效空穴传输材料

在以钙钛矿吸材料为光吸收层的太阳电池中，自由电荷的产生有两种方式：

一是光照下热力学能直接将电子和空穴分离开来；

二是受束缚的电子在电子传输材料和钙钛矿吸收层材料的界面处分离以及受束缚的空穴在钙钛矿吸收层材料和空穴传输层的界面处分离出来。

最后形成的自由电子和空穴分别传输到对应电极上。

钙钛矿吸收层主要作用是：

吸收太阳光产生电子－空穴对，并能髙效传输电子－空灰对、电子、空穴至相应的致密层和有机空穴传输层；

有机空穴传输层主要作用是收集与传输来自钙钛矿吸收层注入的空穴，并与ｎ型致密层一起共同促进钙钛矿吸收层电子－空穴对的电荷分离。

2.4空穴传输层

HTM作为空穴传输层，必须满足以下条件：

HOMO能级要高于钙钛矿材料的价带最大值，以便于将空穴从钙钛矿层传输到金属电极；

具有较高的电导率，这样可以减小串联电阻及提高FF；

HTM层和钙钛矿层需紧密接触。

目前应用最广泛的HTM层材料spiro-OMeTAD是小分子结构，可与钙钛矿层保持良好的接触，能够更好地实现空穴的传输。

另外HTM的选择可以影响电池的填充因子，韩国的Seok小组采用不同的材料（spiro-OMeTAD，PTAA、PCDTBT等）作为空穴传输层，做了一系列的对比试验。

结果表明采用spiro-OMeTAD作为HTM层PCE=8%，FF=58.8%，PTAA作为HTM层PCE=12%，FF=72.7%。

即通过提高填充因子，电池效率得到了较大提升。

虽然钙钛矿材料相对便宜，spiro-OMeTAD价格昂贵，而且空穴迁移率较低。

Christians等发现采用CuI制成的无机空穴导电材料可以替代spiro-OMeTAD。

CuI的空穴迁移率要比spiro-OMeTAD高两个数量级，所得电池串联电阻变小，但是电池的开压较小（仅为0.62V），因此电池效率仅为8.3%。

除CuI外，CuSCN，NiO也被用作HTM层，这些无机HTM层的应用提高了电池的稳定性。

表1部分以Spiro-OMeTad为空穴传输材料PSC的光电效率

相比于有机空穴传输材料,CuI,CuSCN和NiO等无机P型半导体材料因为具有可溶剂处理、空穴迁移率高和带隙宽等特点,显示出了作为廉价、高效的空穴传输材料的应用前景。

Christians等首次将CuI作为空穴传输材料应用于CH3NH3PbI3钙钛矿电池中,就得到了高达6%的PCE,对应器件的JSC,VOC和FF分别为17.8mA/cm2，0.55V和0.62。

对应条件制备的Spiro-OMeTad为空穴传输材料的电池的PCE、JSC、VOC和FF分别为7.9%，16.1mA/cm2,0.79V和0.61。

阻抗谱测试表明CuI制备的电池与spiro-OMeTAD制备的电池相比,具有较低的复合电阻,器件内的电荷复合较多,致使开路电压VOC较低。

CuI的电导率比Spiro-OMeTAD的电导率高2个数量级,因而CuI制备的器件有着较高的FF。

降低CuI制备的器件的复合可以使CuI成为spiroOMeTAD在钙钛矿电池中作为空穴传输材料的有力竞争者。

氧化石墨烯（Grapheneoxide,GO）已经作为无机空穴传输材料应用在有机发光二极管和有机太阳能电池中。

Wu等首次使用GO作为反型钙钛矿电池的空穴传输材料,制备的电池结构为ITO/GO/CH3NH3PbI3−xClx/PCBM/ZnO/Al，电池效率最高为12.4%，对应的JSC，VOC和FF分别为17.46mA/cm2，1.00V和0.71XRD测试表明GO膜上制备的钙钛矿膜结晶性得到显著增强,且有明显的（110）面取向，GO膜的存在还增加了钙钛矿膜的覆盖率,同时更有利于空穴的提取。

以上无机空穴传输材料在钙钛矿电池中的应用,为钙钛矿电池的商业化途径提供了新的选择。

部分无机空穴传输材料制备的电池性能见表2。

表2几种无机空穴传输材料的PSC性能参数

2.5电子传输层

电子传输材料的基本作用是与钙钛矿吸收层形成电子选择性接触（electronselectivecontact）,则要满足能级匹配（图4列举了一些常见电子传输材料的LUMO或者导带能级）,提高光生电子抽取效率,并有效地阻挡空穴向阴极方向迁移,通过分别控制电子传输层和空穴传输层的厚度,能平衡载流子在各层的传输,避免电荷积累对器件寿命的影响。

另外,在钙钛矿太阳能电池中,电子传输材料经常被用于形成介观框架,除了有利于钙钛矿晶体的生长,同时缩短光生电子从钙钛矿体内到n型半导体间的迁移距离,能有效降低复合率。

鉴于钙钛矿吸收材料的优越载流子传输性能，CH3NH3PbI3的电子和空穴迁移率达到10cm2·

V−1·

s−1量级并拥有大于100nm的扩散长度（在CH3NH3PbI3−xClx中更高达1µ

m），最近出现不少无空穴传输层（hole-conductor-free）的异质结钙钛矿太阳能电池取得高效率的报道,但并没有高效无电子传输层钙钛矿太阳能电池器件的相关报道,曾经有学者直接在FTO制备CH3NH3PbI3太阳能电池,仅得到1.8%的效率和0.33的填充因子，而相同制备工艺但以TiO2为电子传输层的器件最高效率可达13.7%。

可见,至少在目前电子传输层对于钙钛矿太阳能电池来说是不可或缺的。

图4几种常见的电子传输材料LUMU能级示意图

在钙钛矿太阳电池中致密TiO2作为电子传输层（阻挡层），在FTO与TiO2之间形成了肖特基势垒，有效地阻止了电子由FTO向HTM及空穴由HTM向FTO的回流。

致密层的厚度对电池的性能起着重要的影响，一般取40~70nm。

电子传输层需要具有较高的电子迁移率，其导带最小值要低于钙钛矿材料的导带最小值，便于接收由钙钛矿层传输的电子，并将其传输到FTO电极中。

目前，钙钛矿太阳电池中多采用介孔TiO2作为ETM。

介孔TiO2层的厚