IGBT工作原理.docx

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IGBT工作原理

   IGBT的工作原理和工作特性

    IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。

IGBT的驱动方法和MOSFET

基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。

    当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减

小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

   IGBT的工作特性包括静态和动态两类：

   1．静态特性:

IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。

    IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。

输出

漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。

它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区

1、放大区2和击穿特性3部分。

在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承

担。

如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只

能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。

   IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。

它与MOSFET的转移特性

相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th）时，IGBT处于关断状态。

在IGBT导通后的大部分漏极电流

范围内，Id与Ugs呈线性关系。

最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。

    IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。

IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体

管为宽基区晶体管，所以其B值极低。

尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总

电流的主要部分。

此时，通态电压Uds（on）可用下式表示

                  Uds（on）＝Uj1＋Udr＋IdRoh  

  式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～IV；

       Udr——扩展电阻Rdr上的压降；

       Roh——沟道电阻。

  通态电流Ids可用下式表示：

                       Ids=（1+Bpnp）Imos       

  式中Imos——流过MOSFET的电流。

   由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。

     IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。

     2．动态特性IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds

下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。

td（on）为开通延迟时间，tri

为电流上升时间。

实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td（on）tri之和。

漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成，如图2－58所示   

   IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。

因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td（off）为关断延迟时间，trv为电压Uds（f）的上升时间。

实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图2－59中的t（f1）和t（f2）两段组成，而漏极电流的关断时间

                         t（off）=td（off）+trv十t（f）（2－16）

式中，td（off）与trv之和又称为存储时间。

IGBT的保护

绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。

它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。

在中大功率的开关电源装置中，IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点，已逐步取代晶闸管或GTO。

但是在开关电源装置中，由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下，使得它容易损坏，另外，电源作为系统的前级，由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大，故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。

因而，在选择IGBT时除了要作降额考虑外，对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。

1IGBT的工作原理

IGBT的等效电路如图1所示。

由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

——IGBT栅极与发射极之间的电压；

——IGBT集电极与发射极之间的电压；

——流过IGBT集电极－发射极的电流；

——IGBT的结温。

如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。

2保护措施

在进行电路设计时，应针对影响IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相应的保护措施。

2．1IGBT栅极的保护

IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V，如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。

另外，若IGBT的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极－发射极有电流流过。

这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使IGBT发热甚至损坏。

如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开，在不被察觉的情况下给主电路加上电压，则IGBT就可能会损坏。

为防止此类情况发生，应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几十kΩ的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。

如图2所示。

由于IGBT是功率MOSFET和PNP双极晶体管的复合体，特别是其栅极为MOS结构，因此除了上述应有的保护之外，就像其他MOS结构器件一样，IGBT对于静电压也是十分敏感的，故而对IGBT进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：

——在需要用手接触IGBT前，应先将人体上的静电放电后再进行操作，并尽量不要接触模块的驱动端子部分，必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉；

——在焊接作业时，为了防止静电可能损坏IGBT，焊机一定要可靠地接地。

2．2集电极与发射极间的过压保护

过电压的产生主要有两种情况，一种是施加到IGBT集电极－发射极间的直流电压过高，另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。

2.2.1直流过电压

直流过压产生的原因是由于输入交流电源或IGBT的前一级输入发生异常所致。

解决的办法是在选取IGBT时，进行降额设计；另外，可在检测出这一过压时分断IGBT的输入，保证IGBT的安全。

2.2.2浪涌电压的保护

因为电路中分布电感的存在，加之IGBT的开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt，威胁IGBT的安全。

通常IGBT的浪涌电压波形如图3所示。

图中：

vCE为IGBT?

电极－发射极间的电压波形；

ic为IGBT的集电极电流；

Ud为输入IGBT的直流电压；

VCESP=Ud＋Ldic/dt,为浪涌电压峰值。

如果VCESP超出IGBT的集电极－发射极间耐压值VCES，就可能损坏IGBT。

解决的办法主要有：

——在选取IGBT时考虑设计裕量；

——在电路设计时调整IGBT驱动电路的Rg，使di/dt尽可能小；

——尽量将电解电容靠近IGBT安装，以减小分布电感；

——根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。

由于缓冲保护电路对IGBT的安全工作起着很重要的作用，在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。

——C缓冲电路如图4（a）所示，采用薄膜电容，靠近IGBT安装，其特点是电路简单，其缺点是由分布电感及缓冲电容构成LC谐振电路，易产生电压振荡，而且IGBT开通时集电极电流较大。

——RC缓冲电路如图4（b）所示，其特点是适合于斩波电路，但在使用大容量IGBT时，必须使缓冲电阻值增大，否则，开通时集电极电流过大，使IGBT功能受到一定限制。

——RCD缓冲电路如图4（c）所示，与RC缓冲电路相比其特点是，增加了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大，避开了开通时IGBT功能受阻的问题。

该缓冲电路中缓冲电阻产生的损耗为

P=LI2f＋CUd2f式中：

L为主电路中的分布电感；

I为IGBT关断时的集电极电流；

f为IGBT的开关频率；

C为缓冲电容；

Ud为直流电压值。

——放电阻止型缓冲电路如图4（d）所示，与RCD缓冲电路相比其特点是，产生的损耗小，适合于高频开关。

在该缓冲电路中缓冲电阻上产生的损耗为

P=1/2LI2f+1/2CUf

根据实际情况选取适当的缓冲保护电路，抑制关断浪涌电压。

在进行装配时，要尽量降低主电路和缓冲电路的分布电感，接线越短越粗越好。

   2．3集电极电流过流保护

对IGBT的过流保护，主要有3种方法。

2.3.1用电阻或电流互感器检测过流进行保护

如图5（a）及图5（b）所示，可以用电阻或电流互感器与IGBT串联，检测流过IGBT集电极的电流。

当有过流情况发生时，控制执行机构断开IGBT的输入，达到保护IGBT的目的。

2.3.2由IGBT的VCE（sat）检测过流进行保护

如图5（c）所示，因VCE（sat）=IcRCE（sat），当Ic增大时，VCE（sat）也随之增大，若栅极电压为高电平，而VCE为高，则此时就有过流情况发生，此时与门输出高电平，将过流信号输出，控制执行机构断开IGBT的输入，保护IGBT。

2.3.3检测负载电流进行保护

此方法与图5（a）中的检测方法基本相同，但图5（a）属直接法，此属间接法，如图5（d）所示。

若负载短路或负载电流加大时，也可能使前级的IGBT的集电极电流增大，导致IGBT损坏。

由负载处（或IGBT的后一级电路）检测到异常后，控制执行机构切断IGBT的输入，达到保护的目的。

2．4过热保护

一般情况下流过IGBT的电流较大，开关频率较高，故而器件的损耗也比较大，如果热量不能及时散掉，使得器件的结温Tj超过Tjmax，则IGBT可能损坏。

IGBT的功耗包括稳态功耗和动态动耗，其动态功耗又包括开通功耗和关断功耗。

在进行热设计时，不仅要保证其在正常工作时能够充分散热，而且还要保证其在发生短时过载时，IGBT的结温也不超过Tjmax。

当然，受设备的体积和重量等的限制以及性价比的考虑，散热系统也不可能无限制地扩大。

可在靠近IGBT处加装一温度继电器等，检测IGBT的工作温度。

控制执行机构在发生异常时切断IGBT的输入，保护其安全。

   除此之外，将IGBT往散热器上安装固定时应注意以下事项：

——由