模拟电子技术模电之三极管和基本放大电路课件PPT格式课件下载.ppt
《模拟电子技术模电之三极管和基本放大电路课件PPT格式课件下载.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟电子技术模电之三极管和基本放大电路课件PPT格式课件下载.ppt（193页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
传送和控制载流子：
传送和控制载流子放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程2.2.电流分配关系电流分配关系根据传输过程可知根据传输过程可知IICC=IICNCN+IICBOCBO通常通常IICCIICBOCBO为电流放大系数。
它只与为电流放大系数。
它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般关，与外加电压无关。
一般=0.9=0.90.990.99。
IIEE=IIBB+IICC放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程所以所以IICC=IIEE+IICBOCBO是另一个电流放大系数。
同样，它也只与管是另一个电流放大系数。
同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般一般1。
又：
把又：
把IE=IB+IC代入代入IC=IE+ICBO且令且令ICEO=（1+）ICBO（穿透电流）（穿透电流）整理得：
整理得：
3.3.三极管的三种组态三极管的三种组态（c）（c）共集电极接法共集电极接法，集电极作为公共电极，用，集电极作为公共电极，用CCCC表示。
表示。
（b）（b）共发射极接法共发射极接法，发射极作为公共电极，用，发射极作为公共电极，用CECE表示；
表示；
（a）（a）共基极接法共基极接法，基极作为公共电极，用，基极作为公共电极，用CBCB表示；
BJTBJT的三种组态的三种组态集电结应加反向电压集电结应加反向电压（反向偏置）（反向偏置）发射结应加正向电压发射结应加正向电压（正向偏置）（正向偏置）共基极放大电路共基极放大电路4.4.放大作用放大作用若若vvII=20mV=20mV电压放大倍数电压放大倍数使使iiEE=-11mAmA，则则iiCC=iiEE=-0.98=-0.98mAmA，vvOO=-iiCCRRLL=0.98V=0.98V，当=0.98=0.98时，时，共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用）共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用）三极管的放大作用三极管的放大作用,主要是依靠它的主要是依靠它的IIEE能通过基区传输能通过基区传输,然后顺利到达集电极然后顺利到达集电极而实现的。
故要保证此传输而实现的。
故要保证此传输,一方面要一方面要满足满足内部条件内部条件,即发射区掺杂浓度要远即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度大于基区掺杂浓度,基区要薄基区要薄;
另一方面另一方面要满足要满足外部条件外部条件,即发射结正偏即发射结正偏,集电结集电结要反偏。
要反偏。
输输入入电电压压的的变变化化,是是通通过过其其改改变变输输入入电电流流,再再通通过过输输入入电电流流的的传传输输去去控控制制输输出出电电压压的的变变化化,所所以以BJTBJT是是一一种种电电流流控控制制器器件。
件。
两个要点两个要点特性曲线是指各特性曲线是指各电电极之间的电压与电极之间的电压与电流之间的关系流之间的关系曲线。
曲线。
将将BJTBJT看作一双口网看作一双口网络，我们主要考察：
络，我们主要考察：
输入特性曲线输入特性曲线输出特性曲线输出特性曲线4.1.3BJT4.1.3BJT的的VV-II特性曲线特性曲线iB=f（vBE）vCE=const.
（2）
（2）当当vCE1V时，时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，集电结已进入反偏状态，开始收集电子开始收集电子，基区复合减少，同样的，基区复合减少，同样的vBE下下iB减小，特性曲线右移。
减小，特性曲线右移。
当当vCE1V时，保持时，保持vBE不变，发射区扩散到基区电子数目不变，曲线基不变，发射区扩散到基区电子数目不变，曲线基本重合。
本重合。
（1）
（1）当当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。
时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。
1.1.输入特性曲线输入特性曲线（以共射极放大电路为例）（以共射极放大电路为例）共射极连接共射极连接管子正常工作时，管子正常工作时，0.7V（0.7V（硅管）硅管）-0.2V（-0.2V（锗管）锗管）饱和区：
饱和区：
vCE很小，很小，iCiB，三极管，三极管如同工作于短接状态，如同工作于短接状态，一般一般vCEvBE，此管压降称为饱和压降。
，此管压降称为饱和压降。
此时，此时，发发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小小。
iC=f（vCE）iB=const.2.2.输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域:
截止区：
iB=0，iCiCEO0，三极管三极管如同工作于断开状态，如同工作于断开状态，此时，此时，vBE小小于死区电压于死区电压。
放大区：
vBEVth，vCE反电压大于反电压大于饱和压降，饱和压降，此时，此时，发射结正偏，集发射结正偏，集电结反偏电结反偏。
再次注意：
管子正常工作时，再次注意：
管子正常工作时，0.7V（0.7V（硅管）硅管）0.2V（0.2V（锗管）锗管）
（1）1）共射极直流电流放大系数共射极直流电流放大系数=（IICCIICEOCEO）/IIBBIICC/IIBBvvCECE=const.=const.1.1.电流放大系数电流放大系数4.1.4BJT的主要参数的主要参数与与iiCC的关系曲线的关系曲线
（2）
（2）共射极交流电流放大系数共射极交流电流放大系数=iiCC/iiBBvvCE=const.=const.在在iiCC一定范围内一定范围内为常数为常数（3）3）共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数=（IICCIICBOCBO）/IIEEIICC/IIEE（4）4）共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数=iiCC/iiEEvvCBCB=const.=const.当当IICBOCBO和和IICEOCEO很小时，很小时，、，可以不，可以不加区分。
加区分。
与与间的关系：
间的关系：
2.2.极间反向电流极间反向电流
（1）集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流ICBO发射极开路时，集电结的反向饱和电流。
发射极开路时，集电结的反向饱和电流。
与单个与单个PNPN结的反偏电流结的反偏电流相同，相同，TT一定时为常数一定时为常数（取决于温度和少子浓（取决于温度和少子浓度）度）IICBOCBO越小越好越小越好小功率硅管小功率硅管11AA小功率锗管小功率锗管1010AA左右左右
（2）集电极发射极间的反向饱和电流集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO=（1+）ICBOIICEOCEO越小越好越小越好小功率硅管几小功率硅管几微安以下微安以下小功率锗管几十小功率锗管几十微安以上微安以上温度变化大的场合宜选用硅管温度变化大的场合宜选用硅管
（1）
（1）集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM三极管正常工作时集电三极管正常工作时集电极所允许的最大工作电流，极所允许的最大工作电流，不宜过小不宜过小
（2）
（2）集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PCMPCM=ICVCE3.极限参数极限参数PPCMCM值值与与环环境境温温度度有有关关，温温度度愈愈高高，则则PPCMCM值值愈愈小小。
当当超超过过此此值值时时，管管子子性性能将变坏或烧毁。
能将变坏或烧毁。
结结温温：
硅硅管管150C，锗锗管管70C（3）反向击穿电压反向击穿电压V（BR）CBO发射极开路时的集电结反发射极开路时的集电结反向击穿电压。
向击穿电压。
V（BR）EBO集电极开路时发射结的反集电极开路时发射结的反向击穿电压。
V（BR）CEO基极开路时集电极和发射基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
极间的击穿电压。
几个击穿电压有如下关系几个击穿电压有如下关系V（BR）CBOV（BR）CEOV（BR）EBO4.1.5温度对温度对BJT参数及特性的影响参数及特性的影响
（1）温度对温度对ICBO的影响的影响温度每升高温度每升高10，ICBO约增加一倍。
约增加一倍。
（2）温度对温度对的影响的影响温度每升高温度每升高1，值约增大值约增大0.5%1%。
（3）温度对反向击穿电压温度对反向击穿电压V（BR）CBO、V（BR）CEO的影响的影响温度升高时，温度升高时，V（BR）CBO和和V（BR）CEO都会有所提高。
都会有所提高。
2.温度对温度对BJT特性曲线的影响特性曲线的影响1.温度对温度对BJT参数的影响参数的影响end1、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图图P1.9所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
4.2基本共射极放大电路基本共射极放大电路4.2.1基本共射极放大电路的组成基本共射极放大电路的组成4.2.2基本共射极放大电路的工作原理基本共射极放大电路的工作原理基本放大电路：
基本放大电路：
共射极放大电路共射极放大电路静态工作点静态工作点Q（IB，IC，VCE）电压增益电压增益Av输入电阻输入电阻Ri共集电极放大电路共集电极放大电路共基极放大电路共基极放大电路分析方法：
分析方法：
图解法图解法小信号模型分析法小信号模型分析法待求量：
待求量：
输出电阻
升级会员 