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1）内存类型分类

•RAM（RandomAccessMemory）

随机读写存储器

•ROM（ReadOnlyMemory）

只读存储器

•SRAM（StaticRandomAccessMemory）

静态随机读写存储器

•DRAM（DynamicRandomAccessMemory）

动态随机读写存储器

2）内存芯片分类

•FPM（Fast-PageMode）DRAM

快速页面模式的DRAM

•EDO（ExtendedDataOut）DRAM

即扩展数据输出DRAM速度比FPMDRAM快15%~30%

•BEDO（BurstEDO）DRAM

突发式EDODRAM性能提高40%左右

•SDRAM（SynchronousDRAM）

同步DRAM与CPU的外部工作时钟同步

•RDRAM（RambusDRAM）

•DDR（DoubleDataRate）DRAM

3）按内存速度分

•PC66

•PC100

•PC133

•PC200

•PC266

4）按内存接口形式分

•SIMM（Single-InLineMemoryModule）

•单边接触内存条,分为30线和72线两种。

•DIMM（DualIn-LineMemoryModule）

•双边接触内存条，168线，184线，200线等，目前广泛使用168线DIMM。

•SODIMMSmallOutlineDualIn-lineMemoryModule

144线DIMM主要用于笔记本型电脑

•RIMM

5）按是否有缓冲分

•Unbuffered

•Registered

6）按是否有校验分

•Non-ECC

•ECC

3、PC66/100SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

　这类版本内存标注格式为：

PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；

b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；

c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；

d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；

e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。

5，越短越好；

f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合IntelPC100规范的为1。

2版本以上；

g代表修订版本；

h代表模块类型；

R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

　　其格式为：

PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；

c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；

d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；

ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC；

ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；

g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；

4、PC133SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

　威盛和英特尔都提出了PC133SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；

英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

　　PC133SDRAM标注格式为：

PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；

b代表模块类型（R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；

c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；

d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；

e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；

ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC；

g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

5、PC1600/2100DDRSDRAM（版本为1.0）内存标注格式

PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；

a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；

cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；

ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5nstAC；

g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

6、RDRAM内存标注格式

aMB/bcdPCe，例如256MB/16ECCPC800，其中a表示内存容量；

b代表内存条上的内存颗粒数量；

c代表内存支持ECC；

d保留；

e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

7、各厂商内存芯片编号

（1）HYUNDAI（现代）

　　现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：

HY5abcdefghijklm-no

　　其中HY代表现代的产品；

5a表示芯片类型（57=SDRAM，5D=DDRSDRAM）；

b代表工作电压（空白=5V，V=3.3V,U=2.5V）；

cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef）；

fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；

h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；

I代表接口（0=LVTTL［LowVoltageTTL］接口）；

j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；

k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；

lm代表封装形式（JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，TG=16mmTSOP-II）；

no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100CL2或3］，10s=10ns［PC-100CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

　　例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh　cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400milTSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

　　市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；

编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；

编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。

一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS［LGSemicon］

　　LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。

　　LGSSDRAM内存芯片编号格式为：

GM72Vabcde1fgThi

　　其中GM代表LGS的产品；

72代表SDRAM；

ab代表容量（16=16Mbits，66=64Mbits）；

cd表示数据位宽（一般为4、8、16等）；

e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；

f表示内核版本，至少已排到E；

g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；

T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；

hi代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100CL2或3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。

　　例如GM72V661641CT7K，表示LGsSDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

　　LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；

8是真正的8nsPC100内存，速度快于7K/7J；

7K和7J属于PC100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；

10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax（胜创）

　　Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。

采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如KingmaxPC150内存在某些KT133主板上竟然无