材料科学基础选择题Word格式文档下载.docx
《材料科学基础选择题Word格式文档下载.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《材料科学基础选择题Word格式文档下载.docx（14页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。
2B:
4
6D:
8
7、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。
八面体空隙的半数B:
四面体空隙的半数
全部八面体空隙D:
全部四面体空隙
8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。
4
9、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（D）。
10、硅酸盐晶体的分类原则是（B）。
正负离子的个数B:
结构中的硅氧比
化学组成D:
离子半径
11、锆英石Zr[SiO4]是（A）。
岛状结构B:
层状结构
链状结构D:
架状结构
12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（C）。
同质多晶B:
有序—无序转变
同晶置换D:
马氏体转变
13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。
14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（A）。
沸石>
萤石>
MgOB:
MgO>
萤石
萤石>
沸石>
MgOD:
沸石
15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。
2 B:
6 D:
16、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（A）连接。
共顶 B:
共面
共棱 D:
A+B+C
17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。
A：
弗仑克尔缺陷B：
肖特基缺陷
C：
杂质缺陷D：
A+B
18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
攀移B:
攀移
增值D:
减少
19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。
负离子空位B:
间隙正离子
间隙负离子D:
A或B
20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。
正离子空位B:
间隙负离子
负离子空位D:
21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（D）。
稳定晶格B:
活化晶格
固溶强化D:
22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。
固溶体有有限和无限之分，其中（B）。
结构相同是无限固溶的充要条件
B:
结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
结构相同是有限固溶的必要条件
D:
结构相同不是形成固溶体的条件
23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。
点缺陷B:
线缺陷
面缺陷D:
24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。
热缺陷B:
杂质缺陷
非化学计量缺陷D:
25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。
线性增加B:
呈指数规律增加
无规律D:
线性减少
26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。
讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。
杂质质点大小B:
晶体（基质）结构
电价因素D:
27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。
外力B:
热应力
化学力D:
结构应力
28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为（A），其符号表示为（）。
刃位错；
⊥B:
刃位错；
VXC:
螺位错；
D:
29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。
当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。
正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小
正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。
生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（A）。
间隙和空位质点同时成对出现
B:
正离子空位和负离子空位同时成对出现
正离子间隙和负离子间隙同时成对出现
D:
正离子间隙和位错同时成对出现
31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。
位错不一定是直线B:
位错是已滑移区和未滑移区的边界
位错可以中断于晶体内部D:
位错不能中断于晶体内部
32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。
螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移
刃位错只作滑移，螺位错只作攀移
螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移
螺位错只作滑移，刃位错只作攀移
33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（D）因素的影响。
组成B:
温度
时间D:
34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C），粘度（）。
降低；
增加B:
不变；
降低
增加；
降低D:
不变
35、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。
36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（B），随温度下降而（）。
降低，增大
增大，增大D:
降低，降低
37、由结晶化学观点知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。
极性共价键 B:
离子键
共价键 D:
金属键
38、Na2O·
Al2O3·
4SiO2熔体的桥氧数为（D）。
1B:
2
3D:
39、Na2O•CaO•Al2O3•SiO2玻璃的桥氧数为（B）。
2.5B:
3
3.5D:
4
40、如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（B）。
加和效应B:
混合碱效应
中和效应D:
交叉效应
41、对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A）。
降低B:
升高
不变D:
42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。
43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（C）的过程。
可逆与突变B:
不可逆与渐变
可逆与渐变D:
不可逆与突变
44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（C）。
突变性B:
不变性
连续性D:
45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。
（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B
46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。
二分之一B:
三分之二
四分之一D:
五分之一
47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出10－6体积分数的晶体的时间是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。
愈困难B:
愈容易
质量愈好D:
质量愈差
48、不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。
聚合程度越低，形成玻璃（A）。
越不容易B:
越容易
49、当熔体中负离子集团以（C）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。
低聚合B:
不聚合
高聚合D:
A或C
25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的很多性质取决于Y值。
在形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D），膨胀系数（）。
A:
增大；
不变B:
增大
降低D:
50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表面的质点处于（A）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。
较高B:
较低
相同D:
51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正常位置的上、下位移，称为（B）。
表面收缩B:
表面弛豫
表面滑移D:
表面扩张
52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，其固体的表面能（B）液体的表面能。
小于B:
大于
小于等于D:
等于
53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（），垂直方向的层间距与体内（A）。
不同；
相同B:
相同；
相同
不同D:
不同
54、粘附剂与被粘附体间相溶性（C），粘附界面的强度（）。
越差；
越牢固B:
越好；
越差
越牢固D:
55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（C，这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。
收缩B:
弛豫
双电层D:
B+C
56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材
升级会员 