模拟电子技术基础(王淑娟、于泳)全部课后答案(高等教育出版社)Word下载.doc
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5.反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(UZ),工作电流(IEmin),最大管耗(PZmax)和动态电阻(rZ)
6.增大;
【2-2】试分析图2.10.1电路,计算电位器调节端对地的输出电压范围。
图2.10.1题2-2电路图
解:
二极管的正向特性曲线,当电流较大时,比较陡直,也具有一定的稳压特性。
此题就是利用二极管的正向特性来获得比较稳定的低的直流电压值。
可以从其他电源转换而来,例如图中的±
12V直流电源,比通过电阻降压要好。
两个二极管正偏工作,a、b二点间的电压为1.4V。
330W的电位器跨接在a、b二点之间,a点是+0.7V,b点是-0.7V。
Uo对地电压的调节范围-0.7V~+0.7V,电位器的中点是0V。
【2-3】电路如图2.10.2所示,二极管均为理想二极管,电压U为220V市电,L1、L2和L3为3个灯泡,请分析哪个灯泡最亮。
图2.10.2题2-3电路图
[解]根据题意,电压U为220V交流市电,故该电路的分析应该从正半周和负半周两个方面进行。
在正半周,D2导通,L2被短路,D1和D3截止,L1和L3各分得电压110V;
在负半周,D1和D3导通,L1和L3被短路,L2上承受220V电压;
故L2灯最亮。
【2-4】在图2.10.3电路中,U1和U2分别为大小合适的电源,U1>
0、U2<
0。
二极管D1和D2的正向导通电压为UD,耐压为无穷大,且。
请画出该电路的电压传输特性曲线,并写出A点的电压表达式。
图2.10.3题2-4电路图
[解]当输入电压很低时,,D1二极管反向截止,此过程中D2二极管正向导通,计算可得:
此时输出电压为,定义此电压为Uth。
当时,二极管D1和D2均为导通状态,此时,输出电压跟随输入电压变化;
当时,二极管D1导通,D2截止,输出电压。
此题关键在于判断各二极管的工作状态,传输特性如图1.4.8所示。
图1.4.8例1.4.4解图
【2-5】电路如图2.10.4所示,其中ui=20sinωt(mV),f=1kHz,试求二极管VD两端电压和通过它的电流。
假设电容C容量足够大。
图2.10.4题2-5电路图
1.静态分析
静态,是指ui=0,这时ui视作短路,C对直流视作开路,其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设UD=0.6V
则
对于静态分析,也可以根据二极管的伏安特性曲线,用图解法求解。
2.动态分析
对于交流信号,直流电源和电容C视作短路;
二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内,故可用动态电阻rd等效,且,由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程:
(1.4.1)
由于二极管两端电压UDUT=26mV,故式1.4.1可简化为:
所以
3.交流和直流相叠加
4.uD和iD波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
图1.4.2例1.4.1解图
【2-6】分析图2.10.5所示电路的工作情况,图中I为电流源,I=2mA。
设20℃时二极管的正向电压降UD=660mV,求在50℃时二极管的正向电压降。
该电路有何用途?
电路中为什么要使用电流源?
图2.10.5题2-6电路图
该电路利用二极管的负温度系数,可以用于温度的测量。
其温度系数-2mV/℃。
20℃时二极管的正向电压降UD=660mV,50℃时二极管的正向电压降
UD=660-(2´
30)=600mV
因为二极管的正向电压降UD是温度和正向电流的函数,所以应使用电流源以稳定电流,使二极管的正向电压降UD仅仅是温度一个变量的函数。
【2-7】试分析图2.10.6所示电路的工作情况,图中二极管为理想二极管,u2=10sin100ptV。
要求画出uO的波形图,求输出电压uO的平均值UO(AV)。
图2.10.6题2-7电路图
当u2>
0时,VD1、VD3导通,VD2、VD4截止,uO为正;
当u2<
0时,VD2、VD4导通,VD1、VD3截止,uO仍为正。
实现桥式整流,波形如图1-12。
【2-8】在图2.10.7中,试求下列几种情况下输出端对地的电压UY及各元件中通过的电流。
(1)UA=10V,UB=0V;
(2)UA=6V,UB=5V;
(3)UA=UB=5V。
设二极管为理想二极管。
图2.10.7题2-8电路图
解:
(1)导通,截止
(2)导通,截止
(3)均导通
【2-9】设硅稳压管VDz1和VDz2的稳定电压分别为5V和10V,正向压降均为0.7V。
求2.10.9各电路的输出电压UO。
图2.10.9题2-10电路图
图(a)15V;
图(b)1.4V;
图(c)5V;
图(d)0.7V.
【2-10】有两个稳压管VDZ1和VDZ2,其稳定电压值分别为5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V。
如果要得到3V的稳定电压,应如何连接?
连接方法如图1-5。
图1-5
第四章
【4-1】填空:
1.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;
因而它又称做器件。
2.场效应管属于控制型器件,而双极型晶体管是控制型器件。
7.结型,绝缘栅型,多数,单极型。
8.电压,电流。
【4-2】两个场效应管的转移特性曲线分别如图4.7.1(a)、(b)所示,分别确定这两个场效应管的类型,并求其主要参数(开启电压或夹断电压,低频跨导)。
测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。
(a)(b)
图4.7.1题4-2特性曲线
:
(a)P沟道增强型MOS管,开启电压UGS(th)=-2V,IDO=-1mA
在工作点(UGS=-5V,ID=-2.25mA)处,
gm=
(b)N沟道耗尽型MOSFET,夹断电压,
在工作点(UGS=-2V,ID=1mA)处,
【4-3】已知图4.7.2(a)所示电路中场效应管的转移特性如图4.7.2(b)所示。
求解电路的Q点和Au。
(a)(b)
图4.7.2题4-3电路图解:
由图4.3(b)转移特性曲线可得:
UGS(th)=2V,过点(6,4)和(4,1)
代入,可得IDO=1mA
由图4.3(a)电路图可得:
UGSQ=3V
UDSQ=VDD-IDQRd=15V-0.25mA10kΩ=12.5V
Au=-gmRd=-0.5mS·
10kΩ=-5
【4-4】电路如图4.7.3所示,设MOS管的参数为UGS(th)=1V,IDO=500uA。
电路参数为VDD=5V,-VSS=-5V,Rd=10kΩ,R=0.5kΩ,IDQ=0.5mA。
若流过Rg1、Rg2的电流是IDQ的1/10,试确定Rg1和Rg2的值。
图4.7.3题4-4电路图图4.7.4题4-6电路图
,即0.5=0.5(uGS/1-1)2
由此可得:
uGS=2V
流过Rg1、Rg2的电流约为0.05mA,即有
Rg1+Rg2=10/0.05kΩ=200kΩ
于是可得:
Rg2=45kΩ,Rg1=155kΩ
【4-5】电路如图4.7.3所示,已知Rd=10kΩ,Rs=R=0.5kΩ,Rg1=165kΩ,Rg2=35kΩ,UGS(th)=1V,IDO=1mA,电路静态工作点处UGS=1.5V。
试求共源极电路的小信号电压增益Au=uo/ui和源电压增益Aus=uo/us。
UDSQ=VDD-(-VSS)-IDQ(Rd+R)=5V+5V-0.25mA10.5kΩ=7.375V
Ri=Rg1//Rg2=28.875kΩ
gm==1
【4-6】电路如图4.7.4,场效应管的rds>
>
RD,要求:
1.画出该放大电路的中频微变等效电路;
2.写出、Ri和Ro的表达式;
3.定性说明当Rs增大时,、Ri和Ro是否变化,如何变化?
4.若CS开路,、Ri和Ro是否变化,如何变化?
写出变换后的表达式。
此题的场效应管是增强型的,所以要用增强型的转移特性曲线方程式
由以上三个式子可求出电路的静态工作点。
1.略
2.电压增益Au=–gm(Rd//RL)
对转移特性曲线方程求导数,可得
输入电阻
输出电阻
3.Rs的增大,会使UGS有所下降,静态工作点的ID下降,gm有所减小,Au有所下降,对Ri和Ro没有什么影响。
4.Cs开路,对静态工作点没有影响,但电压增益下降。
Cs开路,对Ri和Ro没有什么影响。
【4-7】在图4.7.5所示电路中,已知UGS=-2V,管子参数IDSS=-4mA,Up=UGS(off)=-4V。
设电容在交流通路中可视为短路。
1.求电流IDQ和电阻RS。
2.画出中频微变等效电路,用已求得的有关数值计算Au,Ri和Ro(设rDS的影响可以忽略不计)。
3.为显著提高|Au|,