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2、以下各种结合键中,结合键能最大的是

A、离子键、共价键

B

、金属键

C、分子键

3、以下各种结合键中,结合键能最小的是

5、已知铝元素的电负性为1.61,氧元素的电负性为3.44,则Al2O3中离子键结合的比

例为。

A、28%B、45%C、57%D、68%

6、以下关于结合键的性质与材料性能的关系中,是不正确的。

P54

A、结合键能是影响弹性模量的主要因素,结合键能越大,材料的弹性模量越大。

B、具有同类型结合键的材料,结合键能越高,熔点也越高。

C、具有离子键和共价键的材料,塑性较差。

D、随着温度升高,金属中的正离子和原子本身振动的幅度加大,导电率和导热率

都会增加。

(应该是自由电子的定向运动加剧)

7、组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是。

A、两组元的电子浓度相同B、两组元的晶体结构相同

C、两组元的原子半径相同D、两组元电负性相同

11、晶体中配位数和致密度之间的关系是。

A、配位数越大,致密度越大B、配位数越小,致密度越大

C、配位数越大,致密度越小D、两者之间无直接关系

三、填空题:

2、构成陶瓷化合物的两种元素的电负性差值越大,则化合物中离子键结合的比例

越大。

3、体心立方结构的晶格常数为a,单位晶胞原子数为2、原子半径为

1

a,配位数为8。

4、面心立方结构的晶格常数为a,原子半径为a,配位数为12。

5、通常把平衡距离下的原子间的相互作用能量定义为原子的。

6、材料的结合键决定其弹性模量的高低,氧化物陶瓷材料以离子键键为

主,结合键强故其弹性模量高;

金属材料以金属键为主,结合键

故其弹性模量;

高分子材料的分子链上是键,分子链之间是键,

故其弹性模量。

第3章晶体结构(原子的规则排列)

一、名词解释:

1、阵点

2、晶胞

3、配位数

4、致密度

二、填空题:

、原子半径为

a,

面心立方结构的晶格常数为a,单位晶胞原子数为

配位数为

2、体心立方结构的晶格常数为

a,原子半径为a

,配位数为

3、下图中表示的晶向指数是

,晶面指数是

4、绝大多数金属的晶体结构都属于体心立方、面心立方和密排六方三种典型的紧密结构。

三、判断题:

1、晶体结构的配位数越大,致密度越大。

(T)

2、面心立方晶体结构的原子最密排晶向族为<

110>

(F)T

3、面心立方晶体结构的晶胞中的原子数为4。

(T)

4、室温下,纯铁的晶体结构为体心立方晶格,纯铜的晶体结构为面心立方晶格。

纯铁在912C°

以上是面心立方晶格(γ),以下是体心立方晶格(α)

5、纯铁加热到912C时,从体心立方晶格变为面心立方晶格,体积会膨胀。

(T)F

6、体心立方结构的晶格常数为a,则原子半径r2a。

(F)

4

7、面心立方晶格的配位数为8。

(F)

四、选择题:

2

1、晶体中配位数和致密度之间的关系是

A、配位数越大,致密度越大

、配位数越小,致密度越大

C、配位数越大,致密度越小

、两者之间无直接关系

2、面心立方晶体结构的原子最密排晶向族为

D。

A、[111]

、<

111>

C

、[110]

3、金属的典型晶体结构有面心立方、体心立方和密排六方三种,它们的晶胞中原子数

分别为:

A、4;

2;

6

B、6;

2;

C、4;

4;

、2;

6

4、室温下,纯铝的晶体结构为

晶格。

A、简单立方

、体心立立

C、面心立方

D、密排六方

五、简答与计算题:

1、试画出立方晶系中具有下列密勒指数的

(010)、(110)、(121)、(312)晶面。

2、试画出立方晶系中具有下列密勒指数的

[111]、[123]、[110]和[211]晶向。

3、画出立方晶系中具有下列密勒指数的晶面和晶向:

(211)

晶面和

[113]

(331)

[123]

晶向。

2、(6%)画出立方晶系中具有下列密勒指数的晶面和晶向:

(112)、(110)晶面

和[101]、[011]晶向,并写出下列各图中所标的晶面或晶向指数。

3、(6%)画出立方晶系中具有下列密勒指数的晶面和晶向:

(201)

[101]

(122)

[021]晶向,并写出下列各图中所标的晶面或晶向指数。

4、(6%)写出下列各图中所标的晶面或晶向指数,并在图中画出(112)晶面和[112]晶

向。

3

5、试计算面心立方(FCC)晶体的晶格致密度。

6、试计算体心立方(BCC)晶体的晶格致密度。

^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^

第3章晶体缺陷(原子的不规则排列)一、名词解释:

1、点缺陷:

原子排列不规则的区域在空间三个方向尺寸都很小,主要指空位、间隙原子、置换原子等。

(书:

+杂质或者溶质原子)

2、线缺陷:

原子排列的不规则区域在空间一个方向上的尺寸很大,而在其余两个方向上的尺寸很小。

如位错。

3、面缺陷:

原子排列不规则的区域在空间两个方向上的尺寸很大,而另一方向上的尺寸很小。

如晶界和亚晶界。

4、亚晶粒:

在多晶体的每一个晶粒内,晶格位向也并非完全一致,而是存在着许多尺

寸很小、位向差很小的小晶块,它们相互镶嵌而成晶粒,称亚晶粒。

-?

5、亚晶界:

两相邻亚晶粒间的边界称为亚晶界。

6、刃型位错:

位错可认为是晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体的局部滑移而造成。

滑移部分与未滑移部分的交界线即为位错线(刀刃位错线)。

如果相对滑移的结果上半部分多出一半原子面,多余半原子面的边缘好像插入晶体中的一把刀的刃口,故称“刃型位错”。

7、单晶体:

如果一块晶体,其内部的晶格位向完全一致,则称这块晶体为单晶体。

8、多晶体:

由多种晶粒组成的晶体结构称为“多晶体”。

9、柏氏矢量(上课时:

反映位错区畸变的方向与程度。

书:

借助一个规定的矢量揭示位错的本质P33)

10、置换固溶体:

溶质原子代替溶剂晶格结点上的一部分原子而组成的固溶体称置换固溶体。

(P74)

11、间隙固溶体:

溶质原子填充在溶剂晶格的间隙中形成的固溶体,即间隙固溶体。

二、判断题:

1、位错的密度可以用柏氏矢量表示。

?

2、刃型位错的柏氏矢量与其位错线垂直,螺旋位错的柏氏矢量与其位错线平行。

3、金属中点缺陷的存在使其电阻率增大。

4、在晶体滑移过程中,由于位错不断移出滑移面,位错密度随形变量的增加而减少。

(F)

5、小角度晶界的晶界能比大角度晶界的晶界能高。

三、选择题:

1、下图中,2表示的点缺陷是B。

A、弗兰克尔空位

B、肖脱基空位

C、复合空位

D、置换原子

2、在晶体滑移过程中B。

A、由于位错不断移出滑移面,位错密度随形变量的增加而减少

B、由于位错的增殖,位错密度随形变量的增加而增高

C、由于晶界不断吸收位错,位错密度随形变量的增加而减少

D、由于位错的消失(移出滑移面)和增殖的共同作用,位错的密度基本不变

4、位错运动方向处处垂直于位错线,在运动中是可变的,晶体做相对滑动的方向C。

A、随位错线运动方向而改变B、始终是柏氏矢量方向

C、始终是外力的方向D、垂直于柏氏矢量方向

5、单晶体的临界分切应力值与C有关。

A、外力相对于滑移系的取向B、拉伸时的屈服应力

C、晶体的类型和纯度D、拉伸时的应变大小

6、面心立方晶体结构的滑移系是。

A、{111}<

B、{110}<

5

C、{110}<

112>

、{110}<

123>

7、体心立方晶体结构的原子最密排晶向族为

C、[110]

8、下图中,5表示的点缺陷是

9、单晶体产生塑性变形时,主要取决于滑移面上的。

A、正应力B、切应力C、正应力或切应力D、正应力和切应力

四、填空题:

1、晶体缺陷按照其几何特征可将其分为点缺陷、面缺陷和线缺陷

三种类型。

位错属于线缺陷,分为螺型位错、刃型位错、混合

位错三种类型。

滑移、攀移是位错运动的两种方式。

2、金属塑性变形的主要方式是滑移,其次是孪生和。

滑移

是沿着滑移面面和滑移方向方向进行的。

(P191)

3、对于刃型位错线,柏氏矢量垂直于位错线,其滑移运动方向平行于

柏氏矢量,其攀移运动方向于柏氏矢量,其滑移运动方向于柏氏矢量;

于螺旋位错线,柏氏矢量于位错线,其滑移运动方向于柏氏矢量,其交滑

移运动方向于柏氏矢量;

对于混合位错线,柏氏矢量于位错线,其滑移运

动方向于柏氏矢量。

柏氏矢量的方向就是晶体滑移的方向。

答:

垂直;

平行;

即不垂直也不平行;

4、面心立方晶体的一个最密排面是(111),该面上的三个最密排方向分别为

[111]、、。

1、试写出下图中各种点缺陷的名称。

1.6⋯⋯置原子

2⋯⋯肖脱基空位

3⋯⋯空位缺陷异原子的隙原子

4⋯⋯缺陷空位

5⋯⋯弗克空位

5、

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