HiFi音响知识培训文档格式.docx

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主要技术指标有：

频率特性、信噪比、动态范围、瞬态响应、立体声分离度、立体声平衡度。

频率特性：

音响设备重放时的频率范围（频率响应）以及信号幅度随频率的变化关系（幅频特性）。

幅度的单位是dB，频率的单位是Hz。

音响系统的频率响应至少达到32-18000Hz，在此频率范围内信号幅度变化应小于2dB。

信噪比：

在同一参考点有用信号、与噪音的比值的对数。

在音箱输入点信噪比70dB，人耳距音箱一米噪音几乎不可闻，Hi-Fi系统一般达到100dB以上。

动态范围：

音响设备重放时最大不失真输出功率与静态时系统噪音输出功率之比的对数。

Hi-Fi系统一般达到100dB以上。

失真度：

音响设备重放时，音源信号的失真程度。

有谐波失真、交调失真、瞬态失真。

Hi-Fi系统谐波失真一般小于1%。

立体声分离度：

左右两声道的分离度。

反映左右两声道的串扰程度。

立体声平衡度：

左右两声道的信号增益之差。

常用术语

神经线：

低电平、小电流的信号线。

发烧线：

截面较大、股数较多的音箱线。

煲机：

短时间完成器材磨合期的方法（过程）。

摹机：

Modify，对音响器材的改造过程。

胆机：

电子管功放。

石机：

晶体管功放。

胆石机：

电子管、晶体管混合功放。

环牛：

环型变压器。

环牛漏磁较小。

大水塘：

10000uF以上电容滤波的电源系统。

Hi-Fi和Hi-End的区别

一、一般说来，Hi-Fi与Hi-end在常规的客观技术参数上，都有着优秀的指标。

通常的Hi-Fi器材，所追求和保证的基本上是常规的技术参数，而且往往去努力达到尽可能高的指标。

Hi-end器材除了常规的技术参数之外，往往要注重更深层的技术参数和技术特性。

所以Hi-end器材在常规的技术参数上很可能未见其有何明显的优势，但其主观听感却给人留下了很深刻的印象。

二、制造工艺和材料的选取是Hi-Fi与Hi-end的差别之一。

一般说来，Hi-Fi器材需求量较大，生产过程中制造工艺的设计往往尽可能简单以降低成本。

元器件的选取也尽可能选用性能价格比较高的品种。

Hi-end的市场远比Hi-Fi小，而且如果器材的素质不够，使用者也不会认为它是Hi-end级的器材。

所以Hi-end级器材对制造工艺极为重视，往往对一根导线，一个焊点的位置都极为注重。

所用的原件则尽可能地选用一些名牌的优质品。

电子管

电子管，是一种在气密性封闭容器（一般为玻璃管）中产生电流传导，利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件。

早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中，近年来逐渐被晶体管和集成电路所取代，但目前在一些高保真音响器材中，仍然使用电子管作为音频功率放大器件（香港人称使用电子管功率放大器为“煲胆”）。

电子管的表示

电子管在电器中用字母“V”或“VE”表示，旧标准用字母“G”表示。

电子管引脚的识别

电子管的基本参数

1.灯丝电压：

V；

2.灯丝电流：

mA；

3.阳极电压：

4.阳极电流：

5.栅极电压：

6.栅极电流：

7.阴极接入电阻：

Ω；

8.输出功率：

W；

9.跨导：

mA/v；

10.内阻:

kΩ。

电子管的发明简介

　1904年电子管，世界上第一只电子管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。

弗莱明为此获得了这项发明的专利权。

人类第一只电子管的诞生，标志着世界从此进入了电子时代。

说起电子管的发明，我们首先得从“爱迪生效应”谈起。

爱迪生这位举世闻名的大发明家，在研究白炽灯的寿命时，在灯泡的碳丝附近焊上一小块金属片。

结果，他发现了一个奇怪的现象：

金属片虽然没有与灯丝接触，但如果在它们之间加上电压，灯丝就会产生一股电流，趋向附近的金属片。

这股神秘的电流是从哪里来的？

爱迪生也无法解释，但他不失时机地将这一发明注册了专利，并称之为“爱迪生效应”。

后来，有人证明电流的产生是因为炽热的金属能向周围发射电子造成的。

但最先预见到这一效应具有实用价值的，则是英国物理学家和电气工程师弗莱明。

电子管的优缺点

由于电子管电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点，现在它的绝大部分用途已经基本被固体器件晶体管所取代。

但是电子管负载能力强，线性性能优于晶体管，在高频大功率领域的工作特性要比晶体管更好，所以仍然在一些地方（如大功率无线电发射设备）继续发挥着不可替代的作用。

（一）按用途分类

　　电子管高周波机使用的电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率放大管、充气管、闸流管、引燃管、混频或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指示管（电眼）、稳压管等。

（二）选择电子管的类型　　

电子管的种类繁多，功能各异。

选用时，应根据应用的电路的具体要求（例如，是电压放大管还是功率放大管）来选择合适的类型及型号。

在功率放大器中，电压放大管可选用*、6N8P、6N11、12AX7、6922、6DJ8等型号；

电压驱动管可选用12AU7、12AT7、6SN7、6DJ6、6CG7、6NP8、ECC82、6N6等型号；

功率输出管可选用KT88、EL34、300B、6650C等型号。

晶体管

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。

晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

定义

严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，不过从国内的习惯上讲，晶体管有时多指晶体三极管，中国脱离电子管的时代不长，在1970S后至1980S早期，当时习惯以晶体管特指晶体三极管，语境的歧义就是那时留下的。

晶体管（transistor　计：

MOStransistor;

npn　化：

transistor）

优越性

构件没有消耗

无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。

由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。

随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。

消耗电能极少

　　仅为电子管的十分之一或几十分之一。

它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。

一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。

不需预热

　　一开机就工作。

例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。

电子管设备就做不到这一点。

开机后，非得等一会儿才听得到声音，看得到画面。

显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的。

结实可靠

　　比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。

另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。

晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。

分类

按半导体材料和极性分类

　　按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。

按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。

按结构及制造工艺分类

　　晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。

按电流容量分类

　　晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。

按工作频率分类

　　晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。

按封装结构分类

　　晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。

其封装外形多种多样。

按功能和用途分类

　　晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

种类

半导体三极管

　　是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。

它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。

输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。

TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。

半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。

半导体三极管主要分为两大类：

双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

晶体管有三个极；

双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）；

场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地、集电极接地。

最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

电力晶体管

　　　　电力晶体管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT），所以有时也称为PowerBJT；

其特性有：

耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；

GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。

光晶体管

　　　光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。

光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。

光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。

光晶体管所用材料通常是砷化镓（CaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。

双极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光放大。

场效应光