高压包原理文档格式.docx

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1、HV——阳极高压。

随着显示器尺寸不同，HV电压也不同。

通常14/15寸机的HV值是24KV到25KV；

17寸机是27KV到29KV，19寸和21寸机是30KV到35KV。

2、FV——聚焦电压，有时称为G4。

FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得，电压值是3KV到9KV。

如果是双聚焦的，就分为FV1和FV2，其实是内部多设一组电位器而已。

3、SV——加速极电压，也称为G2。

SV/G2电压也从HV端分压取得，其电压值是300V到800V。

注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压，而是在包内另设绕组，或在行管C极将逆程峰值整流获得，这样做的目的是使SV/G2受到电路控制，方便工业装配。

注意在行管C极整流时获得SV/G2电压时，必须采用高速整流管，否则响应不到逆程峰值，只能得到与B+一样的电压。

4、DF——动态聚焦。

显示器尺寸增大时，屏幕中央和四周的聚焦就容易变得不均匀，就需要加入动态聚焦电路，使FV电压在扫描到边缘时增大。

在双聚焦显象管中，动聚通常加入到水平聚焦极中。

其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。

5、SFR——包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端，通常是接地的，但有些机型将其用作信号取样，在高压变动时使电路作出补偿。

6、HVR——包内HV端取样电阻的冷端。

此电阻直接取样于HV端，阻值大到必须兆欧表才能测量。

其作用也是HV变动检测。

7、HVC——包内高压滤波电容的冷端。

通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样，检测高压变动。

8、G1——栅极负电压。

通常在包内绕组获得，G1电压值是-100V到-200V。

控制G1电压可控制光栅亮度，进入显象管的G1电压是-30V到-100V，关机消亮点通常也在G1控制电路内完成，使关机时G1负压变低，显象管就被截止了。

注意有些机型的G1电压是固定的甚至是接地的，它们的亮度控制方式是改变三枪阴极的电压，关机消亮点方式是瞬间降低阴极电压，光栅瞬时高亮，将高压释放掉。

两种亮度控制方式各有优劣，调制G1可得到较大的亮度范围，但期间白平衡不均匀；

调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定，但范围较小。

9、AFC——行逆程脉冲。

AFC原意是自动频率控制，在显示器中，送入扫描芯片的同步信号、CPU需要的行检测信号和OSD菜单所需要的行脉冲，都泛指为AFC。

AFC取样可以在高压包内绕组输出，也可以在行管C极用分压电压取得，后者故障率较高。

10、FB——高压或二次电源取样信号。

FB原意是频率返回，也就是行回扫脉冲，在显示器中，FB电压常作为高压包输出电压的参考点，反馈回二次电源，实现B+电压稳定输出。

有时FB信号也与AFC信号混在一起，并没有特别要求要独立取样。

11、ABL——自动亮度控制。

ABL端总是内接高压绕组的冷端，用来检测HV的电流大小，当亮度过大时，HV电流必然增大，ABL电路检测到这个情况，就可作出反应限制亮度再增加。

建议维修人员配备100K电阻量程的万用表（MF10型）或兆欧表，就可测量ABL端到HV帽的电阻，来判断高压硅堆是否有短路或漏电；

又可以测量包内高压电容是否漏电。

注意10K电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。

12、初次级绕组——接在高压包B+输入端和行管端的就是初级线圈，其他是次级线圈。

初级线圈线径大匝数也不多，发生故障几率非常小；

而次级高压线包的线径极小而匝数极多，就容易发生匝间短路。

13、电感量——交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。

对直流电而言，线圈的阻抗为零（忽略线材本身的电阻率），但对于高频信号，三几圈的感抗也很大。

电感量的单位是ML（毫亨）。

14、正程和逆程——简单的说行管导通时就是扫描正程，截止时为扫描逆程。

两者都有电流通过高压包（正程时高压包储能，逆程时释放能量）。

15、正程和逆程整流——由于正程和逆程的峰值相差8到10倍，因此一个绕组采用不同的整流方式，所产生的电压值也就相差8到10倍。

正程整流的电压低但电流大；

逆程整流的电压高而电流小，但两者的输出功率相同。

16、绕组的极性——因为扫描正程和逆程的峰值不同，绕组的输出必须要区分正负极。

如果高压包不需改动，那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的；

如果要在磁芯中加绕线圈，就不能不注意其极性了。

以800*600*60的分辩率即37K行频，在磁芯中绕一圈为例，将高压包引脚朝下，磁芯对着自己，则左边的线头是正端，右边的线头是负端。

将负端接地，在正端接以正整流可得到约20V电压，接以负整流可得到-3V电压；

将正端接地，在负端接以正整流可得到3V电压，接以负整流可得到-20V电压。

大家一定要将以上理解清楚，在加绕线圈时就可得心应手。

注意高电压就低电流，反之亦然。

以上电压参数会因电路设计差异而有所不同，但具体差距并不太大，在绕线估算电压时可以作为参考。

17、高压独立——高压包和行偏转分离的电路形式。

在传统行输出电路中，高压电流和偏转电流都要经过行管，使之负担较重，故障频生，于是新型的设计将高压电路独立出来，可以设计出更高效的电路形式，实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。

18、高压独立的电路结构——现在的高压独立电路大约有5种类型。

1）采用二次电源调整的单管输出形式。

如下图，以SONY-200GS为例，170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包，开关管一只单独的场效应管，这种方式与传统的行输出相类似。

2）没有二次电源的单管输出形式。

如下图，以SONY-E220为例，80V电压直接输入高压包，开关管是一只单独的场效应管，这种方式要求开关管的激励控制电路，能控制较大的占空比，以得到较大的高压调整范围。

3）采用高电压的双管对称输出方式。

如下图，以EMC/CTX等机型较多采用，180V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管，该管导通时初级线圈储能；

在初级线圈两端反接一只P型场效应管，输入反相的激励，在N型管截止时它就导通，将初级线圈能量快速释放，次级就感应出电压。

4）采用低电压的双管对称输出方式。

如下图，以飞利浦机芯较多采用，80V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管；

另外在高压包设一个绕组，其输出接一只场效应管。

激励信号被分成两路，一路驱动初级线圈开关管，使之导通时高压包储能；

另一路倒相后驱动另外一只管，使之导通时高压包可以快速释放能量。

它们之间的关系是一只导通则另一只截止。

5）采用储能变压器的双管输出方式。

如下图，这种方式最为复杂，以三星、DELL机芯较多采用。

190V电压先输入一只普通行管的C极，B极加以行激励，E极就输出以行频变化的方波，峰值仍是190V，之后进入储能变压器再到场效应管，另外行管E极也接到高压包初级，由高压包出来后以一只放电电容接回行管C极。

在场效应管导通时变压器储能，在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。

行管在此仅输出以行频变化的方波，提高效率，作用与一只二次电源管相当，真正的开关管是场效应管。

19、高压独立高压包的绕组特点——由于在高压包内的电流近似于方波，效率很高，它的初级绕组圈数就设计得较少（比传统高压包初级少1到3倍匝数）；

同时由于正程和逆程的差别较小，那么在磁芯上绕取线圈所得到的电压就有所不同，与上述15、16项对比，无论绕组在哪头接地，无论正整流还是负整流，所获得的电压值基本一样（类似于市电的交流变压器输出），也正是由于其初级匝数少，按照感应比例，次级每匝将获得较高的电压，在800*600*60分辩率下，每圈的电压是6V到8V，比传统高压包在正程时每圈仅获得3V的电压值要高。

四、如何判断高压包是否损坏。

根据高压包病灶的6个类型，损坏后的症状略有不同。

1、包内高压电容击穿。

这是造成高压包损坏的最大成因，大约有四成的高压包损坏与它有关。

包内高压电容的容量约为2700P，比显象管锥体所形成的电容1600P高一些，两个电容并联在一起总容量就有4300P以上，可以帮助减少屏幕的呼吸效应。

由于包内高压电容的绝缘介质的绝缘强度远及不上显象管的玻璃，而且电极间距小，当高压过高或工作时间过长就很容易发生击穿。

注意高压电容击穿后HV端对地阻值不一定为零，而是通常出现数千欧到数百千欧的阻值。

这是因为电容内的绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值，将万用表设10K档，测高压帽对地或对HVC端的阻值，正常时为无穷大，如出现阻值，可判断包内高压电容击穿。

高压电容击穿后使HV输出短路，开机则行电流巨大，通常会锁机或出现间歇啸叫，并且很容易烧行管。

包内高压电容击穿后，在通电瞬间绕组电流剧增，ABL端子所外接的电阻通常会过流烧焦，这是一个判断其损坏的明显表徵。

2、包内高压绕组匝间短路。

这也是经常导致高压包损坏的原因，由于包内次级短路，造成行电流大增，轻则锁机保护，重则烧行管。

由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发生，因此包体发热严重，很容易判断。

如果被保护快速锁机，就用低行压供电使其继续工作，诱使故障病灶出现，而且行电流不至于巨大，行管还是安全的。

3、包内高压硅堆击穿或漏电。

高压硅堆击穿或漏电后，不经整流的交流高压加在滤波电容上，但电容不能隔离交流电压，其结果相当于短路，与高压电容击穿所造成的表象很接近，相比之下症状要轻一些，所以通常高压硅堆损坏后，ABL电阻并不一定烧毁，但行电流一样巨大。

怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢？

只能使用兆欧表或带有100K量程的万用表，将黑笔接地或ABL端（如果高压包已拆离电路，就只能黑笔接ABL端），红笔接高压帽，正常时会有10兆欧左右阻值，（高压硅堆导通的内阻），将表笔对调，测量时表针会划动一下就归零，（包内高压电容充放电），如果测得阻值较低（小于5兆欧），就基本可以确定包内高压硅堆漏电或击穿了。

4、包内初次级绕组短路。

这种症状就不需要多说了，B+被直接短路到地了，结果与行管击穿一样。

5、包内聚焦组件老化。

这种故障也很直观，就是聚焦电压或加速电压不稳，随着开机时间延长，图像聚焦越来越差。

在排除了管座、G2滤波电容及机内潮湿漏电后，故障仍然存在，就可以肯定聚焦组件损坏了。

6、包体绝缘下降。

这种情况在潮湿天气或老机中经常发生，表现为包体对外放电，轻则产生小电弧有嘶嘶声，重则电弧大并有啪啪声；

如果包体对内打火，就只听到啪啪声而没有电弧产生。

因为高压放电，HV电压瞬间下降，势必造成图像亮度及大小变动，甚至锁机或烧行管等。

五、高压损坏后的补救工作。

高压包的有些损坏情形是可以补救的。

第5类损坏情形，聚焦组件老化。

现在大家可以买到一种单焦或双焦的外接聚焦器，其中双焦的还带DF动聚输入。

它的原理与包内聚焦组件一样。

注意将聚焦组件取代后，原来的线头要做好绝缘处理，用热熔胶封口即可。

第1类损坏情形，包内高压电容击穿。

只要看到HVC端是接地的，该高压包就可以修补恢复使用，而不需更换高压包。

在测得高压帽对地电阻很低，并且HVC端接地后，就可大胆将高压包挖补修复。

方法很简单，就是将损坏的高压电容去掉。

用电钻对着HVC端钻孔，钻头大小随意，一般我用6到8MM，顺着HVC端子引线（有时HVC引线会横着走到其它地方，不理它跟着找到尽头）打孔深度不能超过1CM，否则打穿了高压电容内层，在