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10.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式?
c
(A)复合强化(B)弥散强化(C)细晶强化
第3章晶体缺陷
11.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系?
(A)垂直(B)平行(C)交叉
12.能进行攀移的位错必然是a。
(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错
13.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为b。
(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷
14.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为b
(A)肖脱基缺陷(B)Frank缺陷(C)堆垛层错
15.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是b
(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金
16.大角度晶界具有____c______个自由度。
(A)3(B)4(C)5
第4章固体中原子及分子的运动
17.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随b变化。
(A)距离(B)时间(C)温度
18.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为c。
(A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制
19.原子扩散的驱动力是b。
(A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度
20.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则a。
(A)A组元的扩散速率大于B组元
(B)B组元的扩散速率大于A组元
(C)A、B两组元的扩散速率相同
21.下述有关自扩散的描述中正确的为c。
(A)自扩散系数由浓度梯度引起
(B)自扩散又称为化学扩散
(C)自扩散系数随温度升高而增加
22.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是b
(A)间隙机制(B)空位机制(C)交换机制
第5章材料的形变和再结晶
23.在弹性极限σe范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为b
(A)包申格效应(B)弹性后效(C)弹性滞后
24.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是a
(A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向
(B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向
(C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向
25.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中,____c_____具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。
(A)bcc(B)fcc(C)hcp
26.a,位错滑移的派-纳力越小。
(A)位错宽度越大(B)滑移方向上的原子间距越大(C)相邻位错的距离越大
27.已知Cu的Tm=1083︒C,则Cu的最低再结晶温度约为b。
(A)200︒C(B)270︒C(C)350︒C
28.已知Fe的Tm=1538︒C,则Fe的最低再结晶温度约为b。
(A)350︒C(B)450︒C(C)550︒C
29.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是:
a
(A)溶质原子再扩散到位错周围(B)位错增殖的结果(C)位错密度降低的结果
30.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的____a__________阶段。
(A)回复(B)再结晶(C)晶粒长大
31.再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着___b___________方向移动
(A)曲率中心(B)曲率中心相反(C)曲率中心垂直
32.纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核b
(A)小角度晶界(B)孪晶界(C)外表面
33.形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在a。
(A)回复阶段(B)再结晶阶段(C)晶粒长大阶段
34.形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是a。
(A)点缺陷的明显下降
(B)形成亚晶界
(C)位错重新运动和分布
35.对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为c。
(A)晶界合并(B)晶界迁移(C)晶界弓出
36.开始发生再结晶的标志是:
b
(A)产生多变化
(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织
(C)晶粒尺寸显著增大
37.由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在______c_____部位不易形核。
(A)大角度晶界和孪晶界(B)相界面(C)外表面
第6章单组元相图及纯晶体的凝固
38.凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径等于临界半径时,体系的自由能变化a。
(A)大于零(B)等于零(C)小于零
39.形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的b。
(A)1/3(B)2/3(C)3/4
40.以下材料中,结晶过程中以非小平面方式生长的是b。
(A)金属锗(B)氯化铵晶体(C)氧化硅
41.铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为a。
(A)树枝晶(B)柱状晶(C)胞状晶
42.凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法?
(A)加入形核剂(B)减小液相过冷度(C)对液相实施搅拌
第7章二元系相图及其合金的凝固
43.在二元系合金相图中,计算两相相对量的杠杆法则用于b。
(A)单相区中(B)两相区中(C)三相平衡水平线上
44.对离异共晶和伪共晶的形成原因,下述说法正确的是b。
(A)离异共晶只能经非平衡凝固获得
(B)伪共晶只能经非平衡凝固获得
(C)形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分
45.任一合金的有序结构形成温度a无序结构形成温度。
(A)低于(B)高于(C)可能低于或高于
多项选择题:
(每一道题2分)
1.以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是ac。
(A)共价键(B)离子键(C)氢键(D)金属键(E)范德华力
2.晶体区别于其它固体结构的基本特征有abce。
(A)原子呈周期性重复排列(B)长程有序(C)具有固定的熔点(D)各向同性(E)各向异性
3.以下具有多晶型性的金属是bce。
(A)铜(B)铁(C)锰(D)钛(E)钴
4.以下abce等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。
(A)镁(B)锌(C)镉(D)铬(E)铍
5.铁具有多晶型性,在不同温度下会形成ab等晶体结构。
(A)面心立方(B)体心立方(C)简单立方(D)底心立方(E)密排六方
6.具有相同配位数和致密度的晶体结构是ae。
第6章
7.关于均匀形核,以下说法正确的是acd。
(A)体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二
(B)非均匀形核比均匀形核难度更大
(C)结构起伏是促成均匀形核的必要因素
(D)能量起伏是促成均匀形核的必要因素
(E)过冷度△T越大,则临界半径越大
8.以下说法中,abcd说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。
(A)非均匀形核所需过冷度更小
(B)均匀形核比非均匀形核难度更大
(C)一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大
(D)均匀形核试非均匀形核的一种特例
(E)实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核
9.晶体的长大方式有ade。
(A)连续长大(B)不连续长大(C)平面生长(D)二维形核生长(E)螺型位错生长
10.控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有ace。
(A)加入形核剂(B)减小液相过冷度(C)增大液相过冷度(D)增加保温时间(E)施加机械振动
第7章
11.二元相图中,属于共晶方式的相转变有abcd。
(A)共晶转变(B)共析转变(C)偏晶转变(D)熔晶转变(E)合晶转变
12.二元相图中,属于包晶方式的相转变有abc。
(A)包晶转变(B)包析转变(C)合晶转变(D)偏晶转变(E)熔晶转变
13.二元相图必须遵循以下几何规律:
abcde。
(A)相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分
(B)两个单相区之间必定有一个由该两相组成的两相区把它们分开,而不能以一条线接界
(C)两个两相区必须以单相区或三相水平线隔开
(D)二元相图中的三相平衡必为一条水平线
(E)两相区与单相区的分界线与等温线相交时,其延长线应进入另一两相区内
14.构成匀晶合金的两种组元之间必须满足以下条件:
acde。
(A)具有相同的晶体结构,晶格常数相近
(B)具有相同的熔点
(C)具有相同的原子价
(D)具有相似的电负性
(E)原子半径差小于15%
15.固溶体的平衡凝固包括abd等几个阶段。
(A)液相内的扩散过程(B)固相内的扩散过程(C)液相的长大(D)固相的继续长大(E)液固界面的运动
判断题:
(在题后括号内填入“对”或“错”,每题1分,共15分)
第一章
1.离子键的正负离子相间排列,具有方向性,无饱和性。
(错)
2.共价键通过共用电子对而成,具有方向性和饱和性。
(对)
3.同位素的原子具有相同的质子数和中子数。
(错)
第二章
4.复杂晶胞与简单晶胞的区别是,除在顶角外,在体心、面心或底心上有阵点。
(对)
5.晶体结构的原子呈周期性重复排列,即存在短程有序。
(错)
6.立方晶系中,晶面族{111}表示正八面体的面。
(对)
7.立方晶系中,晶面族{110}表示正十二面体的面。
(对)
8.晶向指数<
uvw>
和晶面指数(hkl)中的数字相同时,对应的晶向和晶面相互垂直。
9.bcc的间隙不是正多面体,四面体间隙包含于八面体间隙之中。
10.溶质与溶剂晶体结构相同是置换固溶体形成无限固溶体的必要条件。
11.非金属和金属的原子半径比值rx/rm>
0.59时,形成间隙化合物,如氢化物、氮化物。
12.晶体中的原子在空间呈有规则的周期性重复排列;
而非晶体中的原子则是无规则排列的。
13.选取晶胞时,所选取的正方体应与宏观晶体具有同样的对称性。
14.空间点阵是晶体中质点排列的几何学抽象,只有14种类型,而实际存在