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10.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒不属于一下哪种强化方式？
c
（A）复合强化（B）弥散强化（C）细晶强化
第3章晶体缺陷
11.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系？
（A）垂直（B）平行（C）交叉
12.能进行攀移的位错必然是a。
（A）刃型位错（B）螺型位错（C）混合位错
13.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为b。
（A）肖特基缺陷（B）弗仑克尔缺陷（C）线缺陷
14.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为b
（A）肖脱基缺陷（B）Frank缺陷（C）堆垛层错
15.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是b
（A）孪晶铜（B）中碳钢（C）亚共晶铝硅合金
16.大角度晶界具有____c______个自由度。
（A）3（B）4（C）5
第4章固体中原子及分子的运动
17.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随b变化。
（A）距离（B）时间（C）温度
18.在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为c。
（A）原子互换机制（B）间隙机制（C）空位机制
19.原子扩散的驱动力是b。
（A）组元的浓度梯度（B）组元的化学势梯度（C）温度梯度
20.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则a。
（A）A组元的扩散速率大于B组元
（B）B组元的扩散速率大于A组元
（C）A、B两组元的扩散速率相同
21.下述有关自扩散的描述中正确的为c。
（A）自扩散系数由浓度梯度引起
（B）自扩散又称为化学扩散
（C）自扩散系数随温度升高而增加
22.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是b
（A）间隙机制（B）空位机制（C）交换机制
第5章材料的形变和再结晶
23.在弹性极限σe范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为b
（A）包申格效应（B）弹性后效（C）弹性滞后
24.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是a
（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向
（B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向
（C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向
25.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，____c_____具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。
（A）bcc（B）fcc（C）hcp
26.a，位错滑移的派-纳力越小。
（A）位错宽度越大（B）滑移方向上的原子间距越大（C）相邻位错的距离越大
27.已知Cu的Tm=1083︒C，则Cu的最低再结晶温度约为b。
（A）200︒C（B）270︒C（C）350︒C
28.已知Fe的Tm=1538︒C，则Fe的最低再结晶温度约为b。
（A）350︒C（B）450︒C（C）550︒C
29.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：
a
（A）溶质原子再扩散到位错周围（B）位错增殖的结果（C）位错密度降低的结果
30.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的____a__________阶段。
（A）回复（B）再结晶（C）晶粒长大
31.再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着___b___________方向移动
（A）曲率中心（B）曲率中心相反（C）曲率中心垂直
32.纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核b
（A）小角度晶界（B）孪晶界（C）外表面
33.形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在a。
（A）回复阶段（B）再结晶阶段（C）晶粒长大阶段
34.形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是a。
（A）点缺陷的明显下降
（B）形成亚晶界
（C）位错重新运动和分布
35.对于变形程度较小的金属，其再结晶形核机制为c。
（A）晶界合并（B）晶界迁移（C）晶界弓出
36.开始发生再结晶的标志是：
b
（A）产生多变化
（B）新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织
（C）晶粒尺寸显著增大
37.由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在______c_____部位不易形核。
（A）大角度晶界和孪晶界（B）相界面（C）外表面
第6章单组元相图及纯晶体的凝固
38.凝固时在形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心，当形成的核胚半径等于临界半径时，体系的自由能变化a。
（A）大于零（B）等于零（C）小于零
39.形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的b。
（A）1/3（B）2/3（C）3/4
40.以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长的是b。
（A）金属锗（B）氯化铵晶体（C）氧化硅
41.铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时，则固态显微组织主要为a。
（A）树枝晶（B）柱状晶（C）胞状晶
42.凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法？
（A）加入形核剂（B）减小液相过冷度（C）对液相实施搅拌
第7章二元系相图及其合金的凝固
43.在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法则用于b。
（A）单相区中（B）两相区中（C）三相平衡水平线上
44.对离异共晶和伪共晶的形成原因，下述说法正确的是b。
（A）离异共晶只能经非平衡凝固获得
（B）伪共晶只能经非平衡凝固获得
（C）形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分
45.任一合金的有序结构形成温度a无序结构形成温度。
（A）低于（B）高于（C）可能低于或高于
多项选择题：
（每一道题2分）
1.以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是ac。
（A）共价键（B）离子键（C）氢键（D）金属键（E）范德华力
2.晶体区别于其它固体结构的基本特征有abce。
（A）原子呈周期性重复排列（B）长程有序（C）具有固定的熔点（D）各向同性（E）各向异性
3.以下具有多晶型性的金属是bce。
（A）铜（B）铁（C）锰（D）钛（E）钴
4.以下abce等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。
（A）镁（B）锌（C）镉（D）铬（E）铍
5.铁具有多晶型性，在不同温度下会形成ab等晶体结构。
（A）面心立方（B）体心立方（C）简单立方（D）底心立方（E）密排六方
6.具有相同配位数和致密度的晶体结构是ae。
第6章
7.关于均匀形核，以下说法正确的是acd。
（A）体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二
（B）非均匀形核比均匀形核难度更大
（C）结构起伏是促成均匀形核的必要因素
（D）能量起伏是促成均匀形核的必要因素
（E）过冷度△T越大，则临界半径越大
8.以下说法中，abcd说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。
（A）非均匀形核所需过冷度更小
（B）均匀形核比非均匀形核难度更大
（C）一旦满足形核条件，均匀形核的形核率比非均匀形核更大
（D）均匀形核试非均匀形核的一种特例
（E）实际凝固过程中既有非均匀形核，又有均匀形核
9.晶体的长大方式有ade。
（A）连续长大（B）不连续长大（C）平面生长（D）二维形核生长（E）螺型位错生长
10.控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有ace。
（A）加入形核剂（B）减小液相过冷度（C）增大液相过冷度（D）增加保温时间（E）施加机械振动
第7章
11.二元相图中，属于共晶方式的相转变有abcd。
（A）共晶转变（B）共析转变（C）偏晶转变（D）熔晶转变（E）合晶转变
12.二元相图中，属于包晶方式的相转变有abc。
（A）包晶转变（B）包析转变（C）合晶转变（D）偏晶转变（E）熔晶转变
13.二元相图必须遵循以下几何规律：
abcde。
（A）相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分
（B）两个单相区之间必定有一个由该两相组成的两相区把它们分开，而不能以一条线接界
（C）两个两相区必须以单相区或三相水平线隔开
（D）二元相图中的三相平衡必为一条水平线
（E）两相区与单相区的分界线与等温线相交时，其延长线应进入另一两相区内
14.构成匀晶合金的两种组元之间必须满足以下条件：
acde。
（A）具有相同的晶体结构，晶格常数相近
（B）具有相同的熔点
（C）具有相同的原子价
（D）具有相似的电负性
（E）原子半径差小于15%
15.固溶体的平衡凝固包括abd等几个阶段。
（A）液相内的扩散过程（B）固相内的扩散过程（C）液相的长大（D）固相的继续长大（E）液固界面的运动
判断题：
（在题后括号内填入“对”或“错”，每题1分，共15分）
第一章
1.离子键的正负离子相间排列，具有方向性，无饱和性。
（错）
2.共价键通过共用电子对而成，具有方向性和饱和性。
（对）
3.同位素的原子具有相同的质子数和中子数。
（错）
第二章
4.复杂晶胞与简单晶胞的区别是，除在顶角外，在体心、面心或底心上有阵点。
（对）
5.晶体结构的原子呈周期性重复排列，即存在短程有序。
（错）
6.立方晶系中，晶面族{111}表示正八面体的面。
（对）
7.立方晶系中，晶面族{110}表示正十二面体的面。
（对）
8.晶向指数<
uvw>
和晶面指数（hkl）中的数字相同时，对应的晶向和晶面相互垂直。
9.bcc的间隙不是正多面体，四面体间隙包含于八面体间隙之中。
10.溶质与溶剂晶体结构相同是置换固溶体形成无限固溶体的必要条件。
11.非金属和金属的原子半径比值rx/rm>
0.59时，形成间隙化合物，如氢化物、氮化物。
12.晶体中的原子在空间呈有规则的周期性重复排列；
而非晶体中的原子则是无规则排列的。
13.选取晶胞时，所选取的正方体应与宏观晶体具有同样的对称性。
14.空间点阵是晶体中质点排列的几何学抽象，只有14种类型，而实际存在
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