DSB操作时序详解Word文档下载推荐.docx

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uinti;

//i定义为uchar型

ds=0;

i=103;

while（i>

0）i--;

ds=1;

//在这里不做存在检测

}

2.DS18B20写程序

时序分析：

单片机由高电平拉低至低电平产生写时间隙

15us之后就需要将所需要写的位送到总线上面

DS18B20在开始之后的15-60us内对总线进行采样（注意采样时间）

uintdswrite（uchardat）

uchari;

uintj;

sbittempbyte;

for（i=0;

i<

8;

i++）

tempbyte=dat&

0x01;

dat>

>

=1;

//从最低位开始每一位送到tempbyte临时位

//总线拉低为低电平

if（tempbyte）//写1

j++;

//延时个13us

j=8;

while（j>

0）j--//延时个71us

else

0）j--;

//保证大于1us-

3.DS18B20读时序

时序分析

单片机从高电平拉低至低电平

低电平保持4us后将总线拉高产生读时间隙

读时间在4us后到15us之前（注意一定在15us之前）读时间才有效

从拉低总线60us-120us之间释放总线（注意是在这个时间间隙之间，严格按照时序操作）

bittempbit（）

bitdat;

//延时个4us

//仿真结果在8.86us左右

dat=ds;

//确保在15us之前

returndat;

uchardsread（）//用uchar来装读到的数据足够

uchari,j,dat;

j=tempbit（）;

dat=（j<

<

7）|（dat>

1）;

//因为首先读到是低位的数据，后面读的数据加到高位，并依

//此往低位挪动