电力电子考试卷A_精品文档Word格式文档下载.doc
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从U相换到V相时)的输出电压等于
A、U相换相时刻电压uU,
B、V相换相时刻电压uV,
C、等于uU+uV的一半即:
D、无法判断
4、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()
A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度
B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作
C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度
D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度
5、晶闸管触发电路中,若使控制电压UC=0,改变
的大小,可使直流电动机负载电压Ud=0,使触发角α=90º
。
达到调定移相控制范围,实现整流、逆变的控制要求。
A、同步电压,
B、控制电压,
C、偏移调正电压D负载电压
6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是()
A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断
C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
7、直流斩波电路是一种()变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC
8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()
A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()
A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下
C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下
10、IGBT是一个复合型的器件,它是()
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
二、填空题(每题2分,共10题,共计20分)
1、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为
与
两大类。
2、对异步电动机实施变频调速控制,通常的控制方式有
、
、
等四种。
3、PWM逆变电路的控制方法有
三种。
其中调制法又可分为
两种。
4、通常变流电路实现换流的方式有
、
四种。
5、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是
,负载是阻感性时移相范围是
6、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有
;
和
等几种。
7、提高变流置的功率因数的常用方法有
、
几种。
8、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有
几种
…………………………………………………………密……………………封……………………线…………………………………………………………
三、判断题(每小题2分,共10题,共计20分)
1、三相桥式半控整流电路,带大电感性负载,有续流二极管时,当电路出故障时会发生失控现象。
(
)
2、晶闸管并联使用时,必须采取均压措施。
3、供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障。
也会引起逆变失败。
4、电压型逆变电路,为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
5、用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,使它更接近正弦波。
6、三相桥式全控整流电路,输出电压波形的脉动频率是150HZ。
7、在普通晶闸管组成的全控整流电路中,带电感性负载,没有续流二极管时,导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
8、在桥式半控整流电路中,带大电感负载,不带续流二极管时,输出电压波形中没有负面积。
9、提高电力电子装置的工作频率,可以使电力电子装置的体积和重量减小。
10、无源逆变电路,是把直流电能逆变成交流电能,送给电网,
四、问答题(每题10分,共2题,共计20分)
1、根据下图简述升压斩波电路的基本工作原理。
(图中设:
电感L、与电容C足够大)
2、单相桥式半控整流电路,电阻性负载。
当控制角
α=90º
时,画出:
负载电压ud、晶闸管VT1电压uVT1、整流二极管VD2电压uVD2,在一周期内的电压波形图。
五、大题(每题10分,共1题,共计10分)
1、
三相桥式全控整流电路,U2=100V,带电阻电感性负载,R=5Ω,L值极大。
当控制角α=60º
时,求:
A、
画出ud、id、iVT1、的波形。
B、
计算负载平均电压Ud、平均电流Id、流过晶闸管平均电流IdVT和有效电流IVT的值。
一、选择题
1、A;
2、B;
3、C;
4、C;
5、C;
6、A7、(C)8、(B)9、(A)10、(B)
二、填空
零电压电路,零电流电路,
2、
恒压频控制,转差频率控制,矢量控制,直接转矩控制,
3、
计算法,调制法,跟踪控制法。
异步调控法,同步调控法,
4、
器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流,
5、
,
,
6、
避雷器;
阻容吸收;
硒堆;
压敏电阻;
整流式阻容吸收;
7、
减小触发角;
增加整流相数;
采用多组变流装置串联供电;
设置补偿电容。
8、
GTO;
GTR;
MOSFET;
IGBT;
三判断题,
1、×
;
2、×
3、√;
4、√;
5、√
6、×
7、√;
8、×
9、√;
10、×
四、问答题
当V处于通态时,电源E向电感L充电,设充电电流为I1,L值很大,I1基本恒定,同时电容C向负载供电,C很大,使电容器电压U0基本不变,设V处于通态的时间为ton,在ton时间内,电感L上积蓄的能量为EI1ton;
当V处于断态时,E与L同时向电容充电,并向负载R提供能量。
设V处于断态的时间为toff,在toff时间内L释放的能量为(U0-E)I1toff,在一周期内L积蓄的能量与释放的能量相等。
可求得:
分析不难看出该斩波电路是升压斩波电路。
2、
(ud)
(uVT1)
(uVD1)
五、
Ud=117V;
Id=23.4A;
IdVT=7.8A;
IVT=13.5A;
一、选择题(每小题3分,共10题,共计30分)
1、三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0º
时,输出的负载电压平均值为()。
A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U2
2、变流装置的功率因数总是()。
A、大于1B、等于1C、小于1大于0D、为负
3、三相全控桥式整流电路带大电感负载时,控制角α的有效移相范围是()。
A、0°
-90°
B、30°
-120°
C、60°
-150°
D、90°
4、三相半波可控整流电路在换相时,换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关()。
A、α、Id、XL、U2φB、α、Id;
C、α、U2D、α、U2、XL;
5、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()。
A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
6、单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的作用是()。
A、增加晶闸管的导电能力B、抑制温漂
C、增加输出电压的稳定性D、防止失控现象的产生
7、功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:
集电极-发射极允许最高击穿电压,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和_______
A、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线
C、临界饱和线D、二次击穿功率线
8、直流斩波电路是一种______变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC
9、三相半波带电阻性负载时,α为
度时,