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从U相换到V相时)的输出电压等于 

A、U相换相时刻电压uU, 

B、V相换相时刻电压uV,

C、等于uU+uV的一半即:

D、无法判断

4、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()

A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度

B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作

C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度

D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度

5、晶闸管触发电路中,若使控制电压UC=0,改变 

的大小,可使直流电动机负载电压Ud=0,使触发角α=90º

达到调定移相控制范围,实现整流、逆变的控制要求。

A、同步电压, 

B、控制电压, 

C、偏移调正电压D负载电压

6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是()

A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断

C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件

7、直流斩波电路是一种()变换电路。

A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC

8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()

A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路

9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流()

A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下

C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下

10、IGBT是一个复合型的器件,它是()

A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

二、填空题(每题2分,共10题,共计20分)

1、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为 

与 

两大类。

2、对异步电动机实施变频调速控制,通常的控制方式有 

、 

 

等四种。

3、PWM逆变电路的控制方法有 

三种。

其中调制法又可分为 

两种。

4、通常变流电路实现换流的方式有 

、 

四种。

5、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是 

,负载是阻感性时移相范围是 

6、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有 

和 

等几种。

7、提高变流置的功率因数的常用方法有 

、 

几种。

8、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 

几种

…………………………………………………………密……………………封……………………线…………………………………………………………

三、判断题(每小题2分,共10题,共计20分)

1、三相桥式半控整流电路,带大电感性负载,有续流二极管时,当电路出故障时会发生失控现象。

( 

2、晶闸管并联使用时,必须采取均压措施。

3、供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障。

也会引起逆变失败。

4、电压型逆变电路,为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。

5、用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,使它更接近正弦波。

6、三相桥式全控整流电路,输出电压波形的脉动频率是150HZ。

7、在普通晶闸管组成的全控整流电路中,带电感性负载,没有续流二极管时,导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。

8、在桥式半控整流电路中,带大电感负载,不带续流二极管时,输出电压波形中没有负面积。

9、提高电力电子装置的工作频率,可以使电力电子装置的体积和重量减小。

10、无源逆变电路,是把直流电能逆变成交流电能,送给电网, 

四、问答题(每题10分,共2题,共计20分)

1、根据下图简述升压斩波电路的基本工作原理。

(图中设:

电感L、与电容C足够大)

2、单相桥式半控整流电路,电阻性负载。

当控制角

α=90º

时,画出:

负载电压ud、晶闸管VT1电压uVT1、整流二极管VD2电压uVD2,在一周期内的电压波形图。

五、大题(每题10分,共1题,共计10分)

1、 

三相桥式全控整流电路,U2=100V,带电阻电感性负载,R=5Ω,L值极大。

当控制角α=60º

时,求:

A、 

画出ud、id、iVT1、的波形。

B、 

计算负载平均电压Ud、平均电流Id、流过晶闸管平均电流IdVT和有效电流IVT的值。

一、选择题

1、A;

2、B;

3、C;

4、C;

5、C;

6、A7、(C)8、(B)9、(A)10、(B)

二、填空

零电压电路,零电流电路,

2、 

恒压频控制,转差频率控制,矢量控制,直接转矩控制,

3、 

计算法,调制法,跟踪控制法。

异步调控法,同步调控法,

4、 

器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流,

5、 

, 

6、 

避雷器;

阻容吸收;

硒堆;

压敏电阻;

整流式阻容吸收;

7、 

减小触发角;

增加整流相数;

采用多组变流装置串联供电;

设置补偿电容。

8、 

GTO;

GTR;

MOSFET;

IGBT;

三判断题,

1、×

2、×

3、√;

4、√;

5、√

6、×

7、√;

8、×

9、√;

10、×

四、问答题

当V处于通态时,电源E向电感L充电,设充电电流为I1,L值很大,I1基本恒定,同时电容C向负载供电,C很大,使电容器电压U0基本不变,设V处于通态的时间为ton,在ton时间内,电感L上积蓄的能量为EI1ton;

当V处于断态时,E与L同时向电容充电,并向负载R提供能量。

设V处于断态的时间为toff,在toff时间内L释放的能量为(U0-E)I1toff,在一周期内L积蓄的能量与释放的能量相等。

可求得:

分析不难看出该斩波电路是升压斩波电路。

2、

(ud) 

(uVT1) 

(uVD1)

五、

Ud=117V;

Id=23.4A;

IdVT=7.8A;

IVT=13.5A;

一、选择题(每小题3分,共10题,共计30分)

1、三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0º

时,输出的负载电压平均值为()。

A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U2

2、变流装置的功率因数总是()。

A、大于1B、等于1C、小于1大于0D、为负

3、三相全控桥式整流电路带大电感负载时,控制角α的有效移相范围是()。

A、0°

-90°

B、30°

-120°

C、60°

-150°

D、90°

4、三相半波可控整流电路在换相时,换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关()。

A、α、Id、XL、U2φB、α、Id;

C、α、U2D、α、U2、XL;

5、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用()。

A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路

6、单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的作用是()。

A、增加晶闸管的导电能力B、抑制温漂

C、增加输出电压的稳定性D、防止失控现象的产生

7、功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:

集电极-发射极允许最高击穿电压,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和_______

A、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线

C、临界饱和线D、二次击穿功率线

8、直流斩波电路是一种______变换电路。

A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC

9、三相半波带电阻性负载时,α为 

度时,

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