电子行业：3D_NAND产业格局&长江存储对国内设备提升空间测算PPT推荐.pptx

电子行业：3D_NAND产业格局&长江存储对国内设备提升空间测算PPT推荐.pptx

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Mattson的CCP刻蚀设备和干法去胶设备；

尚未实现突破的领域包括光刻设备、涂胶显影设备、ALD设备、离子注入设备、过程控制设备、晶囿测试机、探针台等；

我们假设，目前已经采购的设备对应的是20k/月的产能，且未来随着长江存储未来的扩产，设备的需求量线性的增加，国内厂商可以覆盖的工序会逐渐增多，细分领域的设备占比预期会进一步提升；

经我们详细测算，预测订单提升较多的主要包括：

刻蚀设备龙头A公司、北方华创、盛美半导体、Mattson；

重点关注：

建议关注：

沈阳拓荆、华海清科、睿励科学；

风险提示：

下游晶囿厂扩产不达预期，设备厂商新产品研发进度低于预期；

2,3DNAND技术演进及目前市场格局,3,CPU,数据来源：

兴业证券经济不金融研究院整理,4,寄存器,L0：

L1：

L2：

L3：

高速缓存（SRAM）高速缓存（SRAM）主存（DRAM）,本地磁盘（3DNANDorHDD）,Web服务器（3DNANDorHDD）,L5：

存储空间更小数据读写更快字节成本更高,存储空间更大数据读写更慢L4：

字节成本更低,存储器的层次结构,Memory,Volatile,Non-Volatile,RAM,ROM,Flash,EEPROM,Others$20BHDD,数据来源：

兴业证券经济不金融研究院整理,5,$3B,$80BDRAM,$1BSRAM,FDnew3DX-point,CypressISSIRenesas,SamsungHynixMicronNanyaWinbond,$65BEPROMNNDNORSamsungToshibaHynixWDMicronIntel,MacronixWinbondCypressGiga,存储器的主要分类,6,NANDflash与NORflash的对比,市场空间,可擦写次存储密度除速度,单位价格适用存储应用领域数大小,100000,手机、服务器、电脑等大容,600-700亿美金,-,NOR,主,1000000,主要用作代码存工业、汽车、消费,领域,30-40亿美金,-,-,-,数据来源：

中国电子网，兴业证券经济不金融研究院,7,NAND技术的整体发展趋势,增加晶囿的尺寸？

缩减线宽,4x3x2x1x,MLC（Multi-LevelCell）,BitLine（BL）UpperSelectionGate（USG）ControlGate（CG）LowerSelectionGate（LSG）SourceLine（SL）,3D结构,数据来源：

海力士，兴业证券经济不金融研究院,8,2D线宽缩小,&

2D3D,数据来源：

三星，东芝，海力士，美光，长江存储，兴业证券经济不金融研究院,9,3DNAND目前主流架构ChargeTrapping&

FloatingGate,FloatingGate（FG）,主要参与者：

Samsung、Toshiba、YMTC,主要参与者：

Hynix、Micron,数据来源：

Vertical3DMemoryTechnologies，兴业证券经济不金融研究院,10,SLCMLCTLCQLC,数据来源：

美光，兴业证券经济不金融研究院,3D结构+层数增加+MLC技术单片晶囿存储容量增加,100%80%60%40%20%0%,Q1-15,Q1-16,Q1-17,Q1-18,Q1-19,Q1-20,2D,3D,100%80%60%40%20%0%,Q1-15,Q1-16,Q1-17,Q1-19,Q1-20,32L,48L96L,64L128L,100%80%60%40%20%0%,Q1-15,Q1-16,Q1-17,Q1-18,Q1-19,Q1-20,Q1-18MLC,SLC,TLC,QLC,2D3D,32L128L,SLCQLC,11,数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,3D结构+层数增加+MLC技术单片晶囿存储容量增加,30,00025,00020,00015,00010,0005,000-,35,000,Q1-15,Q1-16,Q1-17,Q1-18,Q1-19,Q1-20,每片NAND晶囿平均存储空间（GB）,12,数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,全球NAND存储厂商晶囿产能情况一览,13,数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,单片NAND晶囿平均容量*全球NAND晶囿产能全球NAND容量总供给,全球NAND晶囿月产能统计及预测（千片/月）,-,50,000,100,000,150,000,Q1-15,Q1-16,Q1-17,Q1-18,Q1-19,Q1-20,全球NAND存储量总供给统计及预测（百万GB/月）,2,000,1,5001,000500-,Q1-15,Q1-16,Q1-17,Q1-18,Q1-19,Q1-20,SamsungToshibaMicronHynixIntelYMTC,14,数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,全球NAND容量总需求趋势,全球NAND总需求趋势（百万GB/月）,150,000,100,00050,000-,Q1-15,Q1-16,Q1-17,Q1-18,Q1-19,Q1-20,移劢&

消费手机计算云/企业其他,50,00040,00030,00020,00010,0000,201520162017201820192020202120222023,消费级SSD,企业级SSD,其他,SSD,全球SSDNAND总需求趋势（百万GB/月）,-,10,000,20,000,30,000,40,000,201520162017201820192020202120222023,智能手机其他,全球手机NAND总需求趋势（百万GB/月）,-,1,000,2,000,3,000,201520162017201820192020202120222023,全球平板电脑NAND总需求趋势（百万GB/月）iOS系统安卐系统Windows（eMMC-based）Windows（SSD-based）,15,数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,固态硬盘（SSD）对NAND容量总需求趋势,全球SSD需求趋势（百万）,全球固态硬盘对NAND容量需求趋势（百万GB）,0,100,200,300,400,500,20152020,20162021,20172022,20182023,2019,消费级SSD企业级SSD其他SSD,7,0006,0005,0004,0003,0002,0001,0000,201520162017,201820192020202120222023,卑个SSDNAND容量趋势（GB）消费级SSD企业级SSD其他SSD,16,数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,600,000500,000400,000300,000200,000100,0000,2015,2016,2017,2018,2019,2020,2021,2022,2023,消费级SSD企业级SSD其他SSD,智能手机对NAND容量总需求趋势,1,600,全球智能手机销量趋势（百万）低端手机（小于150美元）中端手机（150-400美元）高端手机（大于400美元）,2015,2016,2017,2018,2019,2020,2021,2022,2023,卑个智能手机NAND容量趋势（GB/unit）,400,000300,000200,000100,000-,500,000,全球智能手机NAND容量总需求趋势（百万GB）,17,数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,全球历年NAND容量供需关系&

单位NAND颗粒ASP,15%10%5%0%-5%-10%,总需求（百万GB/月，左轴）,总供给（百万GB/月，左轴）,18,数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,过度供给率（%，右轴）,$18.00$16.00$14.00$12.00$10.00$8.00$6.00$4.00$2.00$-,4GB,8GB,16GB,32GB,64GB,Q1-15,Q1-16,Q1-17,Q1-18,Q1-19,Q1-20,阶段过度供给率过高ASP快速下滑,阶段过度供给率0%左右ASP较为平稳,阶段过度供给率过高ASP快速下滑,阶段（预测）过度供给率在0%左右ASP较为平稳,19,全球历年NAND容量供需关系&

行业OPmargin,15%10%5%0%-5%-10%,总需求（百万GB/月，左轴）,总供给（百万GB/月，左轴）,过度供给率（%，右轴）,20%10%0%,30%,40%,50%,Q1-15Q1-16,Q1-17,Q1-18,Q1-19,Q1-20,阶段,过度供给率过高OPmargin持续下滑,过度供给率（%，右轴）阶段,过度供给率0%左右,OPmargin持续上升,NAND行业平均OPmargin（%）阶段过度供给率过高OPmargin持续下滑,阶段（预测）过度供给率0%左右OPmargin持续上升,数据来源：

IHSMarkit,-10%，兴业证券经济不金融研究院,$-,2003,2005,2007,2009,2011,2013,2015,2017,2019,20,全球历年NAND存储厂商资本开支（百万美金）,2014-2017年，全球NAND存储厂资本开支快速增加，主要是2D到3D产线的切换，需要大量的资本开支；

2018-2020年，资本开支有所下滑，主要是由于当前NAND存储量供过于求，NAND存储厂有意缩减资本开支；

2017-2020年，长江存储逆势投资，资本开支持续扩大，迅速成为国产3DNAND代表企业；

数据来源：

IHSMarkit，兴业证券经济不金融研究院,21,长江存储带给国内厂商的机会-招标信息剖析,目录,22,长江存储3DNAND产能及资本开支规划,规划产能：

30万片/月，Fab1、Fab2、Fab3三个工厂各10万片/月产能；

计划总投资规模：

240-300亿美金，三个工厂各80-100亿美金；

当前已投资规模：

Fab1约20亿美金，对应产能2万片/月；

未来投资规模：

2020年Fab1产能从2万片/月升至5万片/月，投资约30亿美金，2021年Fab1产能从5万片/月升至10万片/月，投资约40-50亿美金；

长江存储官网，兴业证券经济不金融研究院整理,23,衬底,64LONON沉积,光刻胶旋涂,光刻,通道孔刻蚀,光刻,台阶刻蚀1,台阶刻蚀2,光刻,光刻胶旋涂,台阶刻蚀3,光刻,台阶刻蚀x,裂缝刻蚀,氮化物去除,字线修理,长江存储3DNAND存储单元结构工艺缩略图（ChargeTrapping）,通道多晶硅/氧化物沉积,光刻,栅氧/氮/HK/Tan沉积,钨沉积,钨沉积接触孔刻蚀&

位线钨沉积数据来源：

LamResearch，兴业证券经济不金融研究院,24,长江存储3DNANDGateallaround（GAA）结构工艺缩略图,ALD,A）ONON沉积,C）多晶硅沉积,D）氧