ZnS电子结构的第一性原理研究毕业设计论文.docx

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ZnS电子结构的第一性原理研究毕业设计论文.docx

ZnS电子结构的第一性原理研究毕业设计论文

密级:

内部

 

ZnS电子结构的第一性原理研究

Theprimaryprincipleresearch oftheZnSelectronicstructure

 

学院:

信息科学与工程学院

专业班级:

电子科学与技术0602

学号:

*********

学生姓名:

***

指导教师:

***(讲师)

2015年8月

毕业设计(论文)指导教师审阅意见

题目:

ZnS电子结构的第一性原理研究

评语:

 

指导教师:

毕业设计(论文)评阅教师审阅意见

题目:

ZnS电子结构的第一性原理研究

评语:

 

评阅教师:

 

毕业设计(论文)答辩成绩评定

 

专业毕业设计(论文)第答辩委员会于年月日审定了班级学生的毕

业设计(论文)。

设计(论文)题目:

设计(论文)说明书共页,设计图纸张。

毕业设计(论文)答辩委员会意见:

 

成绩:

专业毕业设计(论文)答辩委员会

主任委员:

毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明

原创性声明

本人郑重承诺:

所呈交的毕业设计(论文),是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。

尽我所知,除文中特别加以标注和致谢的地方外,不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果,也不包含我为获得及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。

对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体,均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。

作者签名:

     日 期:

     

指导教师签名:

     日  期:

     

使用授权说明

本人完全了解大学关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定,即:

按照学校要求提交毕业设计(论文)的印刷本和电子版本;学校有权保存毕业设计(论文)的印刷本和电子版,并提供目录检索与阅览服务;学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文;在不以赢利为目的前提下,学校可以公布论文的部分或全部内容。

作者签名:

     日 期:

     

学位论文原创性声明

本人郑重声明:

所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。

除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。

对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。

本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。

作者签名:

日期:

年月日

学位论文版权使用授权书

本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。

本人授权    大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。

涉密论文按学校规定处理。

作者签名:

日期:

年月日

导师签名:

日期:

年月日

注意事项

1.设计(论文)的内容包括:

1)封面(按教务处制定的标准封面格式制作)

2)原创性声明

3)中文摘要(300字左右)、关键词

4)外文摘要、关键词

5)目次页(附件不统一编入)

6)论文主体部分:

引言(或绪论)、正文、结论

7)参考文献

8)致谢

9)附录(对论文支持必要时)

2.论文字数要求:

理工类设计(论文)正文字数不少于1万字(不包括图纸、程序清单等),文科类论文正文字数不少于1.2万字。

3.附件包括:

任务书、开题报告、外文译文、译文原文(复印件)。

4.文字、图表要求:

1)文字通顺,语言流畅,书写字迹工整,打印字体及大小符合要求,无错别字,不准请他人代写

2)工程设计类题目的图纸,要求部分用尺规绘制,部分用计算机绘制,所有图纸应符合国家技术标准规范。

图表整洁,布局合理,文字注释必须使用工程字书写,不准用徒手画

3)毕业论文须用A4单面打印,论文50页以上的双面打印

4)图表应绘制于无格子的页面上

5)软件工程类课题应有程序清单,并提供电子文档

5.装订顺序

1)设计(论文)

2)附件:

按照任务书、开题报告、外文译文、译文原文(复印件)次序装订

指导教师评阅书

指导教师评价:

一、撰写(设计)过程

1、学生在论文(设计)过程中的治学态度、工作精神

□优□良□中□及格□不及格

2、学生掌握专业知识、技能的扎实程度

□优□良□中□及格□不及格

3、学生综合运用所学知识和专业技能分析和解决问题的能力

□优□良□中□及格□不及格

4、研究方法的科学性;技术线路的可行性;设计方案的合理性

□优□良□中□及格□不及格

5、完成毕业论文(设计)期间的出勤情况

□优□良□中□及格□不及格

二、论文(设计)质量

1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?

□优□良□中□及格□不及格

2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?

□优□良□中□及格□不及格

三、论文(设计)水平

1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义

□优□良□中□及格□不及格

2、论文的观念是否有新意?

设计是否有创意?

□优□良□中□及格□不及格

3、论文(设计说明书)所体现的整体水平

□优□良□中□及格□不及格

建议成绩:

□优□良□中□及格□不及格

(在所选等级前的□内画“√”)

指导教师:

(签名)单位:

(盖章)

年月日

 

评阅教师评阅书

评阅教师评价:

一、论文(设计)质量

1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?

□优□良□中□及格□不及格

2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?

□优□良□中□及格□不及格

二、论文(设计)水平

1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义

□优□良□中□及格□不及格

2、论文的观念是否有新意?

设计是否有创意?

□优□良□中□及格□不及格

3、论文(设计说明书)所体现的整体水平

□优□良□中□及格□不及格

建议成绩:

□优□良□中□及格□不及格

(在所选等级前的□内画“√”)

评阅教师:

(签名)单位:

(盖章)

年月日

 

教研室(或答辩小组)及教学系意见

教研室(或答辩小组)评价:

一、答辩过程

1、毕业论文(设计)的基本要点和见解的叙述情况

□优□良□中□及格□不及格

2、对答辩问题的反应、理解、表达情况

□优□良□中□及格□不及格

3、学生答辩过程中的精神状态

□优□良□中□及格□不及格

二、论文(设计)质量

1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?

□优□良□中□及格□不及格

2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?

□优□良□中□及格□不及格

三、论文(设计)水平

1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义

□优□良□中□及格□不及格

2、论文的观念是否有新意?

设计是否有创意?

□优□良□中□及格□不及格

3、论文(设计说明书)所体现的整体水平

□优□良□中□及格□不及格

评定成绩:

□优□良□中□及格□不及格

教研室主任(或答辩小组组长):

(签名)

年月日

教学系意见:

系主任:

(签名)

年月日

摘要

ZnS是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料中一种重要的半导体材料,它具有优异的机械性能和光学性能,其结构有闪锌矿(β-ZnS)和纤锌矿(α-ZnS)两种,均有着非常宽的带隙,具有优良的电光特性和广泛的应用前景,并已经为越来越多的人们所关注。

从上世纪90年代开始,人们就已经对ZnS进行了大量的试验研究,近几年来ZnS材料更是倍受人们的关注。

本文目的就是通过对一些典型材料的理论计算,从而对材料的实验研究进行一些理论解释、补充甚至预言的作用。

第一性原理作为一种既古老而又年轻的方法,在材料计算这个领域已经取得了很大的进展,目前大型高速电子计算机的应用,使得此理论研究的优越性越来越突出。

本文即尝试利用计算机模拟技术,应用MaterialsStudio4.0CASTEP软件,通过使用第一性原理研究方法,对ZnS的电子结构和晶格参数等性质进行计算。

并根据所计算的结果来预测材料的宏观特性,为发展和制备新型ZnS光电子材料体系提供理论参考。

论文的主要内容如下:

1、介绍了ZnS的结构、基本性质、研究现状和应用情况。

讨论了我们的计算工具—CASTEP及其理论基础。

2、研究了纯ZnS的电子结构、光学性质以及键布居情况。

计算了ZnS系统的能带结构、键布居参数、电子态密度和吸收光谱。

结果表明,ZnS为直接禁带半导体材料,其带隙为3.68eV。

纯ZnS在能量低于4eV的范围内几乎没有吸收;由于价带与导带间的跃迁,在3.6eV(345nm)附近有强的带边吸收;吸收主峰位于8.3eV附近。

ZnS晶体中Zn原子失去电子,为电子的给与体,S原子得到电子,是电子受主,且Zn原子与S原子形成的是共价键。

3、分析了V掺杂情况下ZnS晶胞的电子结构、光学性质和键布居情况。

结果显示,V掺杂为n型掺杂,掺杂后发生了Mort转变,系统从半导体变为金属。

掺杂后系统的带隙变小,吸收边红移,并且在2.3eV(540nm)附近出现了新的吸收峰,在可见光区有较强的吸收。

V所带正电荷为0.25e,比任何一类Zn原子都要小,同时S—V键的共价性强,键长短。

关键词:

ZnS;电子结构;第一性原理

Abstract

ZnSisanimportantsemiconductormaterialoftheⅡ-Ⅵclansemiconductormaterials,ithasexcellentmechanicalpropertiesandopticalproperties,itsstructurehastwokinds,sphalerite(betaZnS)andSpiauterite(alphaZnS),bothofthemhaveverywideband,withexcellentelecto-opticpropertiesandbroadprospectofapplication,andhasbeenformoreandmorepeopleconcerned.Sincethe1990s,peoplehavemadelotsofexperimentofZnS,Inrecentyears,theexperimentofZnSmaterialshasbeenmoreparticularly.

Thepurposeofthisarticleisthroughthetheoreticalcalculationofsometypicalmaterials,andtheexperimentsofmaterials,andevensometheoreticalinterpretationofprophecy.Theprimaryprincipleasanancientand

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