硅片行业术语大全中英文对照IZ.docx

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硅片行业术语大全中英文对照IZ

硅片行业术语大全（中英文对照I-Z）

Ingot-Acylindricalsolidmadeofpolycrystallineorsinglecrystalsiliconfromwhichwafersarecut.

晶锭-由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。

LaserLight-ScatteringEvent-Asignalpulsethatlocatessurfaceimperfectionsonawafer.

激光散射-由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。

Lay-Themaindirectionofsurfacetextureonawafer.

层-晶圆片表面结构的主要方向。

LightPointDefect（LPD）（Notpreferred;seelocalizedlight-

scatterer）

光点缺陷（LPD）（不推荐使用，参见“局部光散射”）

Lithography-Theprocessusedtotransferpatternsontowafers.

光刻-从掩膜到圆片转移的过程。

LocalizedLight-Scatterer-Onefeatureonthesurfaceofawafer,suchasapitorascratchthatscatterslight.Itisalsocalledalightpointdefect.

局部光散射-晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。

Lot-Wafersofsimilarsizesandcharacteristicsplacedtogetherin

ashipment.

批次-具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。

MajorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisdominantinaspecificregion,suchaselectronsinanN-Typearea.多

数载流子-一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。

MechanicalTestWafer-Asiliconwaferusedfortestingpurposes.

机械测试晶圆片-用于测试的晶圆片。

Microroughness-Surfaceroughnesswithspacingbetweentheimpuritieswithameasurementoflessthan100卩m.

微粗糙-小于100微米的表面粗糙部分。

MillerIndices,ofaCrystallographicPlane-Asystemthatutilizes

threenumberstoidentifyplanorientationinacrystal.

Miller索指数-三个整数，用于确定某个并行面。

这些整数是来自相同系统

的基本向量。

MinimalConditionsorDimensions-Theallowableconditionsfor

determiningwhetherornotawaferisconsideredacceptable.

最小条件或方向-确定晶圆片是否合格的允许条件。

MinorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisnotdominantinaspecificregion,suchaselectronsinaP-Typearea.少数载流子-在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。

Mound-Araiseddefectonthesurfaceofawafermeasuringmorethan

0.25mm.

堆垛-晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。

Notch-Anindentontheedgeofawaferusedfororientation

purposes.

凹槽-晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。

OrangePeel-Aroughenedsurfacethatisvisibletotheunaidedeye.桔皮-可以用肉眼看到的粗糙表面

OrthogonalMisorientation-

直角定向误差-

Particle-Asmallpieceofmaterialfoundonawaferthatisnot

connectedwithit.

颗粒-晶圆片上的细小物质。

ParticleCounting-Wafersthatareusedtotesttoolsforparticle

contamination.

颗粒计算-用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。

ParticulateContamination-Particlesfoundonthesurfaceofa

wafer.Theyappearasbrightpointswhenacollineatedlightisshinedonthewafer.

颗粒污染-晶圆片表面的颗粒。

Pit-Anon-removableimperfectionfoundonthesurfaceofawafer.深坑-一种晶圆片表面无法消除的缺陷。

PointDefect-Acrystaldefectthatisanimpurity,suchasalatticevacancyoraninterstitialatom.

点缺陷-不纯净的晶缺陷，例如格子空缺或原子空隙。

PreferentialEtch-

优先蚀刻-

PremiumWafer-Awaferthatcanbeusedforparticlecounting,measuringpatternresolutioninthephotolithographyprocess,andmetalcontaminationmonitoring.Thiswaferhasverystrict

specificationsforaspecificusage,butlooserspecificationsthan

theprimewafer.

测试晶圆片-影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。

对于具体应用该晶圆片有严格的要求，但是要比主晶圆片要求宽松些。

Primary

OrientationFlat-TheIongestflatfoundonthewafer.主定位边-晶圆

片上最长的定位边。

ProcessTestWafer-Awaferthatcanbeusedforprocessesaswellasareacleanliness.

加工测试晶圆片-用于区域清洁过程中的晶圆片。

Profilometer-Atoolthatisusedformeasuringsurfacetopography.

表面形貌剂-一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。

Resistivity（Electrical）-Theamountofdifficultythatchargedcarriershaveinmovingthroughoutmaterial.

电阻率（电学方面）-材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。

Required-Theminimumspecificationsneededbythecustomerwhenorderingwafers.

必需-订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。

Roughness-Thetexturefoundonthesurfaceofthewaferthatis

spacedverycloselytogether.

粗糙度-晶圆片表面间隙很小的纹理。

SawMarks-Surfaceirregularities

锯痕-表面不规则。

ScanDirection-Intheflatnesscalculation,thedirectionofthe

subsites.

扫描方向-平整度测量中，局部平面的方向。

ScannerSiteFlatness-

局部平整度扫描仪-

Scratch-Amarkthatisfoundonthewafersurface.

擦伤-晶圆片表面的痕迹。

SecondaryFlat-Aflatthatissmallerthantheprimaryorientationflat.Thepositionofthisflatdetermineswhattypethewaferis,

andalsotheorientationofthewafer.

第二定位边-比主定位边小的定位边，它的位置决定了晶圆片的类型和晶向。

Shape-

形状-

Site-Anareaonthefrontsurfaceofthewaferthathassides

parallelandperpendiculartotheprimaryorientationflat.（This

areaisrectangularinshape）

局部表面-晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域。

SiteArray-aneighboringsetofsites

局部表面系列-一系列的相关局部表面。

SiteFlatness-

局部平整-

Slip-Adefectpatternofsmallridgesfoundonthesurfaceofthewafer.

划伤-晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。

Smudge-Adefectorcontaminationfoundonthewafercausedby

fingerprints.

污迹-晶圆片上指纹造成的缺陷或污染。

Sori-

Striation-Defectsorcontaminationsfoundintheshapeofahelix.

条痕-螺纹上的缺陷或污染。

Subsite,ofaSite-Anareafoundwithinthesite,alsorectangular.Thecenterofthesubsitemustbelocatedwithintheoriginalsite.局

部子表面-局部表面内的区域，也是矩形的。

子站中心必须位于原始站点内部。

wafer

SurfaceTexture-Variationsfoundontherealsurfaceofthethatdeviatefromtherefereneesurface.

表面纹理-晶圆片实际面与参考面的差异情况。

TestWafer-Asiliconwaferthatisusedinmanufacturingfor

monitoringandtestingpurposes.

测试晶圆片-用于生产中监测和测试的晶圆片。

ThicknessofTopSiliconFilm-Thedistaneefoundbetweentheface

ofthetopsiliconfilmandthesurfaceoftheoxidelayer.

顶部硅膜厚度-顶部硅层表面和氧化层表面间的距离。

TopSiliconFilm-Thelayerofsilicononwhichsemiconductor

devicesareplaced.Thisislocatedontopoftheinsulatinglayer.

顶部硅膜-生产半导体电路的硅层，位于绝缘层顶部。

TotalIndicatorReading（TIR）-Thesmallestdistaneebetweenplanes

onthesurfaceofthewafer.

总计指示剂数（TIR）-晶圆片表面位面间的最短距离。

VirginTestWafer-Awaferthathasnotbeenusedinmanufacturing

orotherprocesses.

原始测试晶圆片-还没有用于生产或其他流程中的晶圆片。

thesiteofbonding.

无效-在应该绑定的地方没有绑定（特别是化学绑定）

waferthat

ofawafer

Waves-Curvesandcontoursfoundonthesurfaceofthecanbeseenbythenakedeye.

波浪-晶圆片表面通过肉眼能发现的弯曲和曲线。

Waviness-Widelyspacedimperfectionsonthesurface波纹-晶圆片表面经常出现的缺陷。

Acceptor-Anelement,suchasboron,indium,andgalliumusedtocreateafreeholeinasemiconductor.Theacceptoratomsarerequiredtohaveonelessvaleneeelectronthanthesemiconductor.

受主-一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。

受主原子必须比半导

体元素少一价电子

AlignmentPrecision-Displacementofpatternsthatoccursduringthephotolit

hographyprocess.

套准精度-在光刻工艺中转移图形的精度。

Anisotropic-Aprocessofetchingthathasverylittleornoundercutting

各向异性-在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。

AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthe

surfaceofawafer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,etc.

沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。

由沾污、手印和水滴产生的污染。

Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxisoftheellipse.

椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。

Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.（Note:

Thistermisnotpreferred;instead,use‘baclsurface'.）

背面-晶圆片的底部表面。

（注：

不推荐该术语，建议使用背部表面”

BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,whichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer.

底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。

Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers.

双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicon

dioxide,whichactsasaninsulatinglayer.

绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。

BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs.

绑定面-两个晶圆片结合的接触区。

BuriedLayer-Apathoflowresistaneeforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyandarsenic.

埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。

BuriedOxideLayer（BOX）-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers.

氧化埋层（BOX）-在两个晶圆片间的绝缘层。

Carrier-Valeneeholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargethroughasolidsurfaceinasiliconwafer.

载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

Chemical-MechanicalPolish（CMP）-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatutilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationprocess.

化学-机械抛光（CMP）-平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式

此工艺在前道工艺中使用。

ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffector,achuck,orawand.

卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred.

解理面-破裂面

Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength.

裂纹-长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。

Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferth

atcanbedistinguishedindividually.

微坑-在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。

Conductivity（electrical）-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial.

传导性（电学方面）-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。

ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas"Ntype”and"-type”.

导电类型-晶圆片中载流子的类型，N型和P型。

Contaminant.Particulate（seelightpointdefect）

污染微粒（参见光点缺陷）

ContaminationArea-Anareathatcontainsparticlesthatcannegativelyaffect

thecharacteristicsofasiliconwafer.

沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。

ContaminationParticulate-Particlesfoundonthesurfaceofasiliconwafer.

沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。

CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanhaveanimpactonacircuitelectricalperformanee.

晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

CrystalIndices（seeMillerindices）

晶体指数（参见米勒指数）

DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutchargecarriers.

耗尽层-晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。

Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunderthecorrectlightingconditions.

表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“freeeiectrons,thusmakingawafer"NType”.

施主-可提供自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。

Dopant-Ane