基本光刻工艺流程.docx

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基本光刻工艺流程

第八章基本光刻工艺流程-表面准备到曝光

概述

最重要的光刻工艺是在晶圆表面建立图形。

这一章是从解释基本光刻工艺十步法和讨论光刻胶的化学性质开始的。

我们会按照顺序来介绍前四步（表面准备到对准和曝光）的目的和执行方法。

目的

完成本章后您将能够：

1．勾画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面。

2．解释正胶和负胶对光的反应。

3．解释在晶圆表面建立空穴和凸起所需要的正确的光刻胶和掩膜版的极性。

4．列出基本光刻十步法每一步的主要工艺选项。

5．从目的4的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的图形。

6．解释双重光刻，多层光刻胶工艺和平整化技术的工艺需求。

7．描述在小尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比增强工艺的应用。

8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。

9．比较每一种对准和曝光设备的优点。

介绍

光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上的所规定的特定区域的基本操作（图8.1）。

Photolithography是用来定义这个基本操作的术语。

还有其它术语为Photomasking,Masking,Oxide或者MetalRemoval（OR,MR）和Microlithography。

光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序，它是用来在不同的器件和电路表面上建立图形（水平的）工艺过程。

这个工艺过程的目标有两个。

首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形。

这个目标被称为晶圆的分辨率（resolution）。

图形尺寸被称为电路的特征图形尺寸（featuresize）或是图像尺寸（imagesize）。

第二个目标是在晶圆表面正确定位图形（称为Alignment或者Registration）。

整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面，电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的（图8.2）。

请记住，最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。

图形定位的的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确的对准。

很容易想象，如果建筑物每一层和每一层不能很好地对准，那么它会对电梯以及楼梯带来什么样的影响。

同样，在一个电路中，如果每层和它的上一层不能很好地对准可能会导致整个电路的失效。

因为在光刻蚀工艺过程中的每一步都会有变异，所以对特征图形尺寸和缺陷水平的控制是很难的。

光刻的过程是一个权衡的过程（请看光刻工艺每一步的介绍）。

除了对特征图形尺寸和图形对准的控制，在工艺过程中的缺陷水平的控制同样也是非常重要的。

光刻操作步骤的数目之多和光刻工艺层的数量之大可以看出光刻工艺在半导体工艺过程中是一个主要的缺陷来源。

图8.1基本光刻工艺

Wafer晶圆

Surfacelayer表面层

Patternedlayer图形层

图8.2五层掩膜的硅栅二极管

Gatemask栅掩膜

Wellmask阱掩膜

Contactmask接触掩膜

Metalmask金属掩膜

PadmaskPAD掩膜

光刻蚀工艺概述

光刻蚀工艺是和照相、蜡纸印刷比较接近的一种多步骤的图形转移过程。

首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶圆表面的每一层。

图形转移是通过两步来完成的。

首先，图形被转移到光刻胶层（图8.3）。

光刻胶是和正常胶卷上所涂的物质比较相似的一种感光物质。

曝光后会导致它自身性质和结构的变化。

如图8.3所示，光刻胶被曝光的部分由可溶性物质变成了非溶性物质。

这种光刻胶类型被称为负胶，这种化学变化称为聚合（polymerization）。

通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻胶层就会留下一个孔，这个孔就是和掩膜版不透光的部分相对应的。

图8.3第一次图形转移－掩膜/图形到光刻胶层

ProcessStep工艺步骤

Purpose目的

Alignmentandexposure对准和曝光（目的是掩膜版和图形在晶圆上的精确对准，和光刻胶的曝光。

负胶是聚合的）

Development显影（目的是去除非聚合的光刻胶）

Mask/Reticle掩膜/图形

Resist光刻胶

Oxidelayer氧化层

Wafer晶圆

第二次图形转移是从光刻胶层到晶圆层（图8.4）。

当刻蚀剂把晶圆表面没有被光刻胶盖住的部分去掉的时候，图形转移就发生了。

光刻胶的化学性决定了它不会在化学刻蚀溶剂中溶解或是慢慢溶解；它们是抗刻蚀的（etchresistant），因此它们称作Resist或是Photoresist。

在图8.3和图8.4的例子中，晶圆表面形成了空穴。

空穴的形成是由于在掩膜版上那一部分是不透光的。

如果掩膜版的图形是由不透光的区域决定的，称为亮场掩膜版（clearfieldmask）（图8.5）。

而在一个暗场掩膜版中，在掩膜版上图形是用相反的方式编码的。

如果按照同样的步骤，就会在晶圆表面留下凸起（图8.6）。

刚刚我们介绍了对光有负效应的光刻胶，称为负胶。

同样还有对光有正效应的光刻胶，称为正胶。

光可以改变正胶的化学结构从不可溶到可溶。

这种变化称为光溶解（photosolubilization）。

图8.7显示了用正胶和亮场掩膜版在晶圆表面建立凸起的情况。

图8.4第二次图形转移－从光刻胶层到晶圆层

ProcessStep工艺步骤

Etch刻蚀（目的是将晶圆顶层通过光刻胶的开口去除）

Purpose目的

Photoresistremoval（strip）光刻胶去除（目的是从晶圆上去除光刻胶层）

Oxidelayer氧化层

Resist光刻胶

Wafer晶圆

图8.5掩膜/图形的极性

Lightfield亮场

Darkfield暗场

图8.6光刻中的空穴和凸起

PhotomaskingHole光刻的空穴

Phtomaskingisland光刻的凸起

图8.8显示了用不同极性的掩膜版和不同极性的光刻胶相结合而产生的结果。

通常来讲我们是根据尺寸控制的要求和缺陷保护的要求来选择光刻胶和掩膜版极性，从而使电路工作的。

这些问题会在这一章的工艺部分讨论。

光刻十步法

把图像从掩膜版上转移到晶圆表面是由多个步骤来完成的（图8.9）。

特征图形尺寸、对准容忍度、晶圆表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻工艺的难易程度和每一步骤的工艺。

许多光刻工艺都被定制成特定的工艺条件。

然而，大部分都是基本光刻十步法的变异或选项。

我们所演示的这个工艺过程是一个亮场掩膜版和负胶相作用的过程。

从第1步到第7步发生了第一次图形转移。

在第8,9,10步中，图形被转移到了晶圆表面层（第二次图形转移）。

图8.7图形用正光刻胶和亮场掩膜版转移以建立凸起

ProcessStep工艺步骤

Purpose目的

Maskreticle掩膜版/图形

AlignmentandExposure对准和曝光

目的是掩膜版和图形在晶圆上的精确对准，和光刻胶的曝光。

正胶被光溶解。

晶圆

Resist光刻胶

Oxidelayer氧化层

Development显影

去除非聚合光刻胶

晶圆

Etch刻蚀

表层去除

晶圆

Photoresistremoval光刻胶去除

光刻胶去除

晶圆

图8.8掩膜版和光刻胶极性的结果

MaskPolarity掩膜版极性

Clearfield亮场

Darkfield暗场

Negative负

Positive正

Hole空穴

Island凸起

PhotoresistPolartity光刻胶极性

通过把基本光刻十步法列出来，并且根据不同类型的掩膜版和不同极性的光刻胶的组合把相应的截面图出来，就会很容易理解本光刻十步法的工艺过程。

本书强烈建议读者，一定在精通基本光刻十步工艺之后再去学习先进的光刻工艺过程。

基本的光刻胶化学

光刻胶被应用在印刷工业上已经超过了一个世纪。

在二十世纪二十年代，人们才发现它在印刷电路板领域可以有广泛的应用。

半导体工业采纳这种技术来生产晶圆是在二十世纪五十年代。

在二十世纪五十年代末，EastmanKodak和Shipley公司分别设计出适合半导体工业需要的正胶和负胶。

光刻胶是光刻工艺的核心。

准备、烘焙、曝光、刻蚀和去除工艺会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果而进行微调。

光刻胶的选择和光刻胶工艺的研发是一项非常漫长而复杂的过程。

一旦一种光刻工艺被建立，是极不情愿改变的。

很少有光刻工程师会冒着失去整个工艺的风险去试用一种新的光刻胶来达到某种仅仅是边际的收获。

光刻胶的组成

光刻胶的生产既是为了普通的需求，也是为了特定的需求。

它们会根据不同的光的波长和不同的曝光源而进行调试。

光刻胶具有特定的热流程特点，用特定的方法配制而成来与特定的表面结合。

这些属性是由光刻胶里不同化学成分的类型、数量以及混合过程来决定的。

在光刻胶里面有四种基本的成份：

聚合物、溶剂、感光剂和添加剂（图8.10）。

图8.9十步光刻工艺

工艺步骤

目的

1.表面准备

清洁和干燥晶圆表面

2.涂光刻胶

在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻胶

3.软烘焙

加热部分蒸发光刻胶溶剂

4.对准和曝光

目的是掩膜版和图形在晶圆上的精确对准，和光刻胶的曝光。

负胶是聚合的

5.显影

非聚合光刻胶的去除

6.硬烘焙

对溶剂的继续蒸发

7.显影目检

检查表面的对准情况和缺陷情况

8.刻蚀

将晶圆顶层通过光刻胶的开口去除

9.光刻胶去除

将晶圆上的光刻胶层去除

10.最终目检

表面检查以发现刻蚀的不规则和其它问题

具光敏性和对能量敏感的聚合物。

对光刻胶光敏性有影响的成分是一些对光和能量敏感的特殊聚合物。

聚合物是由一组一组大而且重的分子组成的，这些分子里面包括碳、氢和氧。

塑料就是一种类型的聚合物。

普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应。

它们称为光学光刻胶（opticalresist）。

还有其它光刻胶可以与X射线或者电子束反应。

在一个负胶中，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。

实际上这些聚合物形成了一种相互连结的物质，它是抗刻蚀的物质（图8.11）。

在大多数负胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。

早期的负胶是基于橡胶类型的聚合物。

Hunt公司研发了第一个人工合成的聚异戊二烯聚合物结构。

当光刻胶被正常光照射也会发聚合反应。

为了防止意外曝光，负胶的生产是在黄光的条件下进行的。

正胶的基本聚合物是苯酚-甲醛聚合物，同样也称为苯酚-甲醛Novolak树脂（图8.12）。

在光刻胶中，聚合物是相对不可溶的。

在用适当的光能量曝光后，光刻胶转变成更为可溶状态。

这种反应称为光溶解反应（photosolubilization）。

光刻胶中光溶解部分会在显影工艺中用溶剂去掉。

图8.10光刻胶成份

成份

功能

聚合物

当被对准机光源曝光时，聚合物结构由可容变成聚合（或反之）

溶剂

稀化光刻胶，通过旋转形成薄膜

感光剂

在曝光过程中控制和/或调节光刻胶的化学反应

添加剂

各种添加的化学成分实现工艺效果，例如染色

图8.11负胶化学

（a）.Double-bond:

双键

（b）.Unpolymerized：

未聚合的

Polymerized:

聚合的

Energy:

能量

图8.12苯酚-甲醛Novolak树脂结构（由:

W.S.Deforest,Photoresist:

MaterialandProcesses,McGraw-HillNewYork,1975）

Orthoposition（2and6）:

邻位（2和6）

Metaposition（3and4）:

间位（3和4）

Paraposition（4）:

对位（4）

Meta-cresol:

间甲酚

Formaldehyde:

甲醛

光刻胶会和许多形式的能量反应。

这些形式的能量通常是指（光能，热能等等），或者是指电磁光谱中具体的某一部分光（如UV,DUV,I-Line等）（参见曝光源部分）。

在对准和曝光的章节中，会对曝光能量有详细的说明。

有很多策略是专门用来实现小图形曝光的（参见正胶和负胶的比较一节）。

一种是用狭波（或单波）曝光源。

传统的基于Novolak的正胶已经被微调过了可以用在I-Line曝光源上。

然而，在DUV曝光源上，这种光刻胶却不能很好的工作。

光刻胶生产商已经发明了化学放大光刻胶（chemicallyamplifiedresists）以用在DUV曝光源上。

化学放大的意思是光刻胶的化学反应会通过化学催化剂而被加快。

用于X射线和电子束上的光刻胶是不同于传统的正胶和负胶的聚合物。

图8.13的列表包括了用在光刻胶产品上的聚合物。

正胶和负胶相对的优点以及应用会在工艺部分结尾处介绍。

图8.13光刻胶比较表

光刻胶

聚合物

极性

感光性（Coul/cm2）

曝光光源

正性

酚醛树脂（间甲酚甲醛）

+

3-5x10-5

紫外

负性

聚（异戊二烯）

-

紫外

PMMA

聚（甲基甲基丙烯酸脂）

+

5x10-5

电子束

PMIPK

聚（甲基异丙烯基酮）

+

1x10-5

电子束/深紫外

PBS

聚（丁烯1砜）

+

2x10-6

电子束

TFECA

聚（三氟乙烷基氯丙烯酸脂）

+

8x10-7

电子束

COP（PCA）

共聚物（α氰乙基丙烯酸α氨基乙烷基丙烯酸脂）

-

5x10-7

电子束/X-射线

PMPS

聚（甲基戊烯1砜）

+

2x10-7

电子束

溶剂。

光刻胶中容量最大的成份是溶剂。

溶剂使光刻胶处于液态，并且使光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶圆表面。

光刻胶是和涂料相类似的，包含有染色剂，这种染色剂在适当的溶剂中会被溶解。

用于负胶的溶剂是一种芬芳的二甲苯。

正胶中，溶剂是乙氧基乙醛醋酸盐或者是二甲氧基乙醛。

光敏剂。

化学光敏剂被添加到光刻胶中用来产生或者控制聚合物的特定反应。

在负胶中，没有处理过的聚合物会和紫外光光谱上特定范围的光反应。

光敏剂被加到光刻胶中用来限制反应光的波谱范围或者把反应光限制到某一特定波长的光。

在负胶中，一种称为Bis-aryldiazide的混合物被加到聚合物中来提供光敏性。

在正胶中，光敏剂是O-naphthaquinonediazide。

添加剂。

不同类型的添加剂和光刻胶混合在一起来达到特定的结果。

一些负胶包含有染色剂，它在光刻胶薄膜中用来吸收和控制光线。

正胶可能会有化学的抗溶解系统。

这些添加剂可以阻止光刻胶没有被曝光的部分在显影过程被溶解。

光刻胶的表现要素

光刻胶的选择是一个复杂的程序。

主要的决定因素是晶圆表面对尺寸的要求。

光刻胶首先必须有产生那些所要求尺寸的能力。

除了那些还必须有在刻蚀过程中阻隔刻蚀的功能。

在阻隔刻蚀的作用中，在保持有特定厚度的光刻胶层中一定不能存在针孔。

另外，光刻胶必须能和晶圆表面很好的粘连，否则刻蚀后的图形就会发生扭曲，就像是如果在印刷过层中蜡纸没有和表面粘紧的话，就会得到一个溅污的图形。

以上那些，连同工艺纬度和阶梯覆盖度，都是光刻胶的表现要素。

在光刻胶的选择过程中，工艺工程师通常会在不同的表现因素中做出权衡的决定。

光刻胶是复杂化学工艺和设备的一部分，它们必须一起工作来产生好的图形结果，并且使生产高效。

分辨力

在光刻胶层能够产生的最小的图形通常被作为对光刻胶的分辨力（resolutioncapability）的参考。

产生的线条越小，说明分辨力越强。

一种特定光刻胶的分辨力，实际是指特定工艺的分辨力，它包括曝光源和显影工艺。

改变其它的工艺参数会改变光刻胶固有的分辨力。

总的来说，越细的线宽需要越薄的光刻胶膜来产生。

然而，光刻胶膜必须要足够厚来实现阻隔刻蚀的功能，并且保证不能有针孔。

光刻胶的选择是这两个目标的权衡。

纵横比（aspectratio）是用来衡量光刻胶的分辨力和光刻胶厚度之间关系的（图8.14）。

纵横比是光刻胶厚度与图形打开尺寸的比值。

正胶比负胶有更高的纵横比，也就是说对于一个给定的图形尺寸开口，正胶的光刻胶层可以更厚。

由于正胶的聚合物分子尺寸更小，所以它可以分解出更小的图形。

其实这就有点像用更小的刷子来画一条更细的线。

图8.14纵横比

Resist:

光刻胶

粘连能力

作为刻蚀阻隔物，光刻胶层必须和晶圆表面层粘连很好，才能够忠实地把光刻胶层的图形转移到晶圆表面层。

在半导体生产过程中，对于不同的表面，光刻胶的粘连能力是不同的。

在光刻胶工艺中，有好些步骤是特意的为了增加光刻胶对晶圆表面的自然粘连能力而设计的。

负胶通常比正胶有更强的粘连能力。

光刻胶曝光速度，灵敏性和曝光源

光刻胶对光或者射线主要的反应就是结构上的变化。

一个主要的工艺参数就是反应发生的速度。

反应速度越快，在光刻蚀区域晶圆的加工速度就越快。

负胶通常需要5到15秒的曝光时间，然而正胶需要用上3到4倍的时间。

光刻胶的灵敏性是与导致聚合或者光溶解发生所需要的能量总和相关的。

另外，这种与灵敏性相关的能量又是和曝光源特定的波长有联系的。

对这种属性的理解需要对电磁光谱的性质非常熟悉（图8.15）。

通过这些性质我们确定了一些不同类型的能量：

可见光、长波光、短波光等等。

实际上它们都是电磁能量（或者射线），并且根据它们波长的不同而被区分开来，波长越短的射线能量越高。

图8.15电磁光谱

名称

伽马射线

X-射线

紫外线（UV）

可见光

红外线

短无线电波

广播无线电波

波长（cm）

10-11

10-8

10-6

10-4

10-3

102

104

普通的正胶和负胶会和光谱中UV和DUV的部分反应（图8.16）。

有一些光刻胶是被设计成和某一范围内特定的光波波峰反应的（图8.18g,h,Ilines）。

有一些光刻胶被设计成和X射线或者电子束反应。

光刻胶灵敏性，作为一个参数，是通过能够使基本的反应开始所需要的能量总和来衡量的。

它的单位是毫焦每平方厘米2。

能够和光刻胶反应的那些特定的波长称为光刻胶的光谱反应特征。

图8.17是一种光刻胶的光谱反应特征图。

光谱图中的波峰部分是携带高能量的波长区域（图8.18）。

在光刻蚀工艺过程中所用的不同的光源会在“对准和曝光”章节中介绍。

工艺宽容度

在读者阅读光刻工艺的每一个工艺步骤的时候，应该时刻记住这样一个事实，那就是光刻工艺的根本目标就是在晶圆表面层忠实地再现所需要的图形尺寸。

每一

个步骤都会影响最终的图形尺寸，并且每一步工艺步骤都有它内部变异。

有些光刻胶对工艺变异容忍性更强，那就是说，它们有更宽的工艺纬度。

工艺纬度越宽，在晶圆表面达到所需要尺寸的可能性就越大。

图8.16紫外光和可见光光谱（由：

Elliott1）

Wavelength:

波长

DUV:

深紫外

UV:

紫外

NearUV:

近紫外

Visible:

可见

图8.17曝光反应曲线（源自：

ShipleyMegapositXP-89131Resist）

Wavelength:

波长

Absorbance:

吸收率

图8.18汞光谱（Hg）（来自：

SiliconProcessingfortheVLSIEra，WolfeandTauber）

WavelengthinNM:

波长（纳米）

Relativeintensity:

相对强度

针孔

针孔是光刻胶层尺寸非常小的空穴。

针孔是有害的，因为它可以允许刻蚀剂渗过光刻胶层进而在晶圆表面层刻蚀出小孔。

针孔是在涂胶工艺中由环境中的微粒污染物造成的，也可以由光刻胶层里结构上的空穴造成。

光刻胶层越薄，针孔越多。

因此，厚膜上的针孔比薄膜上的要少，但是它却降低了光刻胶的分辨力。

这两个因素是光刻胶厚度选择过程中的一个典型的权衡。

正胶的一个重要的优点就是更高的纵横比，这个特性能够允许正胶用更厚的光刻胶膜，达到想要的图形尺寸并且针孔更少。

微粒和污染水平

光刻胶，像其它的工艺化学品一样，必须在微粒含量、钠和微量金属杂质以及水含量方面能达到严格的标准。

阶梯覆盖度

晶圆在进行光刻工艺之前，晶圆表面已经有了很多层。

随着晶圆生产工艺的进行，晶圆表面得到了更多的层。

对于光刻胶阻隔刻蚀的作用，它必须在以前层上面保持有足够膜厚。

光刻胶用足够厚的膜覆盖晶圆表面层的能力是一个非常重要的参数。

热流程

在光刻工艺过程中有两个加热的过程。

第一个称为软烘焙，它是用来把光刻胶里的溶剂蒸发掉。

第二个称为硬烘焙，它发生在图形在光刻胶层被显影之后。

硬烘焙的目的是为了增加光刻胶对晶圆表面的粘连能力。

然而，光刻胶作为像塑料一样的物质，在硬烘焙工艺中会变软和流动。

流动的量会对最终的图形尺寸有重要的影响。

在烘焙的过程中光刻胶必须保持它的形状和结构，或者说在工艺设计中必须要考虑到热流程带来的尺寸变化。

工艺工程师的目标就是使烘焙尽可能达到高温来使光刻胶粘连能力达到最大化。

这个温度是受光刻胶热流程特性限制的。

总的来说，光刻胶热流程越稳定，它对工艺流程越有利。

正胶和负胶的比较

直到二十世纪七十年代中期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位。

随着超大规模集成电路和2微米到5微米图形尺寸范围的出现使负胶的分辨力变得吃紧。

正胶存在了20多年，但是它们的缺点是粘连能力差，而且它们良好分辨力和防止针孔能力在那时也并不需要。

到了二十世纪八十年代，正胶逐渐渐被接受。

这个转换过程是很不容易的。

转化到正胶需要改变掩膜版的极性。

不幸的是，它不是简单的图形翻转。

用掩膜版和两种不同光刻胶结合而在晶圆表面光刻得到的尺寸是不一样的（图8.19）。

由于光在图形周围会有衍射，用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸的要比掩膜版上的图形尺寸小。

用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。

这些变化必须在掩膜版的制作和光刻工艺的设计过程中考虑到。

换句话说，光刻胶类型的转变需要一个全新的光刻工艺。

图8.19图形尺寸的变化随着：

（a）亮场掩膜版和负胶组合，图形尺寸减小；（b）暗场掩膜版和正胶组合，图形尺寸增加

Wafer晶圆

Unpolymerizedresist非聚合光刻胶

Polymerizedresist聚合光刻胶

对于大多数掩膜版来说，图形大部分都是空穴。

用正胶和暗场掩膜版组合还可以在晶圆表面得到附加的针孔保护（图8.20）。

亮场掩膜版在玻璃表面会倾向于有裂纹。

这些裂纹称为玻璃损伤（glassdamage），它会挡住曝光源而在光刻胶表面产生不希望的小孔，结果就会在晶圆表面刻蚀出小孔。

那些在光刻胶透明区域上的污垢也会造成同样的结果。

在暗场掩膜版上，大部分都是被铬覆盖住的，所以不容易有针孔出现。

因此晶圆表面也就会有比较少的空穴。

图8.20（a）有污垢和玻璃损伤裂纹的亮场掩膜版；（b）显影后在负胶上的结果

Exposure曝光

Chrome铬

Dirt污垢

GlassCrack玻璃裂纹

Negativeresist负胶

Oxide氧化物

Wafer晶圆

负胶的另一个问题是氧化。

这是光刻胶和空气中氧气的反应，它能使光刻胶膜厚变薄20%。

而正胶没有这种属性。

成本一直是一个主要的考虑因素。

正胶比负胶的成本要高，但这种高成本可以通过高良品率来抵消。

这两种类型的光刻胶的显影属性也是不同的。

负胶所用的显影剂非常容易得到，聚合和非聚合区域的可溶性有很大的不同。

在显影过程中，图形尺寸相对保持恒定。

正胶相对来讲聚合区域和非聚合区域的可溶性区别较小，它需要用仔细准备过的显影剂来显影，并且在显影过程中需要进行温度控制。

溶解阻止系统被特意的加入进来，以便在显影过程中控制图形尺寸。

从下一步到最后一步光刻工艺是去处光