模拟电子技术教案.doc

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模拟电子技术教案

信息工程系

目录

第一章 常用半导体器件

第一讲 半导体基础知识

第二讲 半导体二极管

第三讲 双极型晶体管三极管

第四讲 场效应管

第二章 基本放大电路

第五讲 放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理

第六讲 放大电路的基本分析方法

第七讲 放大电路静态工作点的稳定

第八讲 共集放大电路和共基放大电路

第九讲 场效应管放大电路

第十讲 多级放大电路

第十一讲习题课

第三章放大电路的频率响应

第十二讲 频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型

第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积

第四章 功率放大电路

第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路

第十五讲改进型OCL电路

第五章模拟集成电路基础

第十六讲 集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路

第十七讲 差动放大电路

第十八讲集成运算放大电路

第六章放大电路的反馈

第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图

第二十讲 深度负反馈放大电路放大倍数的估算

第二十一讲 负反馈对放大电路的影响

第七章信号的运算和处理电路

第二十二讲运算电路概述和基本运算电路

第二十三讲模拟乘法器及其应用

第二十四讲有源滤波电路

第八章 波形发生与信号转换电路

第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路

第二十六讲 电压比较器

第二十七讲非正弦波发生电路

第二十八讲利用集成运放实现信号的转换

第九章 直流电源

第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路

第三十讲 滤波电路和稳压管稳压电路

第三十一讲 串联型稳压电路

第三十二讲 总复习

第一章半导体基础知识

本章主要内容

本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。

首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。

其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。

然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。

本章学时分配

本章分为4讲，每讲2学时。

第一讲常用半导体器件

本讲重点

1、PN结的单向导电性；

2、PN结的伏安特性；

本讲难点

1、半导体的导电机理:

两种载流子参与导电；

2、掺杂半导体中的多子和少子

3、PN结的形成；

教学组织过程

本讲宜教师讲授。

用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。

主要内容

1、半导体及其导电性能

根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：

导体、半导体和绝缘体。

半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9W·cm。

典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：

当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。

2、本征半导体的结构及其导电性能

本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。

制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。

在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。

3、半导体的本征激发与复合现象

当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。

当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。

这一现象称为本征激发（也称热激发）。

因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。

游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。

在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。

4、半导体的导电机理

自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。

空穴导电的实质是:

相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。

由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。

5、杂质半导体

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

杂质半导体是半导体器件的基本材料。

在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成N型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成P型（空穴型）半导体。

杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。

在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

多子（自由电子）的数量＝正离子数＋少子（空穴）的数量

在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

多子（空穴）的数量＝负离子数＋少子（自由电子）的数量

6、PN结的形成及其单向导电性

半导体中的载流子有两种有序运动：

载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。

同一块半导体单晶上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下来，PN结就形成了。

当P区的电位高于N区的电位时，称为加正向电压（或称为正向偏置），此时，PN结导通，呈现低电阻，流过mA级电流，相当于开关闭合；

当N区的电位高于P区的电位时，称为加反向电压（或称为反向偏置），此时，PN结截止，呈现高电阻，流过μA级电流，相当于开关断开。

PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：

即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

这正是PN结具有单向导电性的具体表现。

7、PN结伏安特性

PN结伏安特性方程：

式中：

Is为反向饱和电流；UT为温度电压当量，当T＝300K时，≈26mV

当u＞0且u>>时，，伏安特性呈非线性指数规律；

当u＜0且︱u︱>>时，，电流基本与u无关；由此亦可说明PN结具有单向导电性能。

PN结的反向击穿特性：

当PN结的反向电压增大到一定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧增大。

PN结的反向击穿有两类：

齐纳击穿和雪崩击穿。

无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。

8、PN结温度特性

当温度升高时，PN结的反向电流增大，正向导通电压减小。

这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。

9、PN结电容效应

PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定:

一是势垒电容CB，二是扩散电容CD，它们均为非线性电容。

势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。

势垒电容与PN结的面积、空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。

扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。

扩散电容与PN结正向电流和温度等因素有关。

PN结电容由势垒电容和扩散电容组成。

PN结正向偏置时，以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主。

只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。

第二讲半导体二极管

本讲重点

1、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型）；

2、稳压管稳压原理及简单稳压电路；

3、二极管的箝位、限幅和小信号应用举例；

本讲难点

1、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题；

2、稳压管稳压原理；

教学组织过程

本讲以教师讲授为主。

用多媒体演示二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。

二极管的箝位、限幅和小信号应用举例可以启发讨论。

主要内容

1、半导体二极管的几种常见结构及其应用场合

在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。

二极管按结构分为点接触型、面接触型和平面型三大类。

点接触型二极管PN结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电路。

面接触型二极管PN结面积大，结电容大，用于工频大电流整流电路。

平面型二极管PN结面积可大可小，PN结面积大的，主要用于功率整流；结面积小的可作为数字脉冲电路中的开关管。

2、二极管的伏安特性以及与PN结伏安特性的区别

半导体二极管的伏安特性曲线如P7图1.9所示，处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。

1）正向特性：

当V＞0，即处于正向特性区域。

正向区又分为两段：

（1）当0＜V＜Uon时，正向电流为零，Uon称为死区电压或开启电压。

（2）当V＞Uon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。

2）反向特性：

当V＜0时，即处于反向特性区域。

反向区也分两个区域：

（1）当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。

（2）当V≤VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。

从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

3）二极管的伏安特性与PN结伏安特性的区别：

二极管的基本特性就是PN结的特性。

与理想PN结不同的是，正向特性上二极管存在一个开启电压Uon。

一般，硅二极管的Uon=0.5V左右，锗二极管的Uon=0.1V左右；二极管的反向饱和电流比PN结大。

3、温度对二极管伏安特性的影响

温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。

另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降UD大约减小2mV，即具有负的温度系数。

4、二极管的等效电路（或称为等效模型）

1）理想模型：

即正向偏置时管压降为0，导通电阻为0；反向偏置时，电流为0，电阻为∞。

适用于信号电压远大于二极管压降时的近似分析。

2）简化电路模型：

是根据二极管伏安特性曲线近似建立的模型，它用两段直线逼近伏安特性，即正向导通时压降为一个常量Uon；截止时反向电流为0。

3）小信号电路模型：

即在微小变化范围内，将二极管近似看成线性器件而将它等效为一个动态电阻rD。

这种模型仅限于用来计算叠加在直流工作点Q上的微小电压或电流变化时的响应。

5、二极管的主要参数

1）最大整流电流IＦ：

二极管长期工作允许通过的最大正向电流。

在规定的散热条件下，二极管正向平均电流若超过此值，则会因结温过高而烧坏。

2）最高反向工作电压UBR：

二极管工作时允许外加的最大反向电压。

若超过此值，则二极管可能因反向击穿而损坏。

一般取UBR值的一半。

3）电流IR：

二极管未击穿时的反向电流。

对温度敏感。

IR越小，则二极管的单向导电性越好。

4）最高工作频率fM：

二极管正常工作的上限频率。

若超过此值，会因结电容的作用而影响其单向导电性。

6、稳压二极管（稳压管）及其伏安特性

稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管，通过反向击穿特性实现稳压作用。

稳压管的伏安特性与普通二极管类似，其正向特性为指数曲线；当外加反压的数值增大到一定程度时则发生击穿，击穿曲线很陡，几乎平行于纵轴，当电流