基于单片机的俄罗斯方块设计与实现.docx
《基于单片机的俄罗斯方块设计与实现.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《基于单片机的俄罗斯方块设计与实现.docx（25页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
基于单片机的俄罗斯方块设计与实现
深圳市锦昌电子有限公司
1
一、液晶显示模块概述
DM12864M汉字图形点阵液晶显示模块，可显示汉字及图形，内置8192个中文汉字（16X16点阵）、
128个字符（8X16点阵）及64X256点阵显示RAM（GDRAM）。
主要技术参数和显示特性:
电源：
VDD3.3V~+5V（内置升压电路，无需负压）；
显示内容：
128列×64行
显示颜色：
黄绿
显示角度：
6：
00钟直视
LCD类型：
STN
与MCU接口：
8位或4位并行/3位串行
配置LED背光
多种软件功能：
光标显示、画面移位、自定义字符、睡眠模式等
二、外形尺寸
外观尺寸：
93×70×12.5mm视域尺寸：
73×39mm
外形尺寸图
外形尺寸
ITEMNOMINALDIMENUNIT
模块体积93×70×12.5mm
视域73.0×39.0mm
行列点阵数128×64dots
点距离0.52×0.52mm
点大小0.48×0.48mm
深圳市锦昌电子有限公司
2
二、模块引脚说明
128X64HZ引脚说明
引脚号引脚名称方向功能说明
1VSS-模块的电源地
2VDD-模块的电源正端
3V0-LCD驱动电压输入端
4RS（CS）H/L并行的指令/数据选择信号；串行的片选信号
5R/W（SID）H/L并行的读写选择信号；串行的数据口
6E（CLK）H/L并行的使能信号；串行的同步时钟
7DB0H/L数据0
8DB1H/L数据1
9DB2H/L数据2
10DB3H/L数据3
11DB4H/L数据4
12DB5H/L数据5
13DB6H/L数据6
14DB7H/L数据7
15PSBH/L并/串行接口选择：
H-并行；L-串行
16NC空脚
17/RETH/L复位低电平有效
18NC空脚
19LED_A-背光源正极（LED+5V）
20LED_K-背光源负极（LED-OV）
逻辑工作电压（VDD）：
4.5～5.5V
电源地（GND）：
0V
工作温度（Ta）：
0～60℃（常温）/-20～75℃（宽温）
三、接口时序
模块有并行和串行两种连接方法（时序如下）：
8位并行连接时序图
MPU写资料到模块
深圳市锦昌电子有限公司
3
MPU从模块读出资料
2、串行连接时序图
深圳市锦昌电子有限公司
4
串行数据传送共分三个字节完成：
第一字节：
串口控制—格式11111ABC
A为数据传送方向控制：
H表示数据从LCD到MCU，L表示数据从MCU到LCD
B为数据类型选择：
H表示数据是显示数据，L表示数据是控制指令
C固定为0
第二字节：
（并行）8位数据的高4位—格式DDDD0000
第三字节：
（并行）8位数据的低4位—格式0000DDDD
串行接口时序参数：
（测试条件：
T=25℃VDD=4.5V）
深圳市锦昌电子有限公司
5
四、用户指令集
1、指令表1：
（RE=0：
基本指令集）
指令码
指令R
S
R
W
DB
7
DB
6
DB
5
DB
4
DB
3
DB
2
DB
1
DB
0
说明
执行时
间
（540
KHZ）
清除显
示
0000000001
将DDRAM填满“20H”，并且
设定DDRAM的地址计数器
（AC）到“00H”
4.6ms
地址归
位
000000001X
设定DDRAM的地址计数器
（AC）到“00H”，并且将游
标移到开头原点位置；这个指
令并不改变DDRAM的内容
4.6ms
进入点
设定
00000001I/DS
指定在资料的读取与写入时，
设定游标移动方向及指定显示
的移位
72us
显示状
态
开/关
0000001DCB
D=1：
整体显示ON
C=1：
游标ON
B=1：
游标位置ON
72us
游标或
显示移
位控制
000001
S/
C
R/
L
XX
设定游标的移动与显示的移位
控制位元；这个指令并不改变
DDRAM的内容
72us
功能设
定
00001DLX
0
RE
XX
DL=1（必须设为1）
RE=1：
扩充指令集动作
RE=0：
基本指令集动作
72us
设定
CGRA
M地
址
0001
AC
5
AC
4
AC
3
AC
2
AC
1
AC
0
设定CGRAM地址到地址计数
器（AC）
72us
设定
DDRA
M
地址
001
AC
6
AC
5
AC
4
AC
3
AC
2
AC
1
AC
0
设定DDRAM地址到地址计数
器（AC）
72us
读取忙
碌标志
（BF）
和地址
01BF
AC
6
AC
5
AC
4
AC
3
AC
2
AC
1
AC
0
读取忙碌标志（BF）可以确认
内部动作是否完成，同时可以
读出地址计数器（AC）的值
0us
写资料
到
RAM
10D7D6D5D4D3D2D1D0
写入资料到内部的RAM
（DDRAM/CGRAM/IRAM/G
DRAM）
72us
读出
RAM
11D7D6D5D4D3D2D1D0
从内部RAM读取资料
（DDRAM/CGRAM/IRAM/G
72us
深圳市锦昌电子有限公司
6
的值DRAM）
指令表—2：
（RE=1：
扩充指令集）
指令码
指令
RS
R
W
DB
7
DB
6
DB
5
DB
4
DB
3
DB
2
DB
1
DB
0
说明
执行时间
（540KHZ
）
待命模
式
0000000001
将DDRAM填满
“20H”，并且设定
DDRAM的地址计数
器（AC）到“00H”
72us
卷动地
址或
IRAM地
址选择
000000001SR
SR=1：
允许输入垂直
卷动地址
SR=0：
允许输入IRAM
地址
72us
反白选
择
00000001R1R0
选择4行中的任一行
作反白显示，并可决定
反白与否
72us
睡眠模
式
0000001SLXX
SL=1：
脱离睡眠模式
SL=0：
进入睡眠模式
72us
扩充功
能设定
000011X
1
RE
G0
RE=1：
扩充指令集动
作
RE=0：
基本指令集动
作
G=1：
绘图显示ON
G=0：
绘图显示OFF
72us
设定
IRAM地
址或卷
动地址
0001
AC
5
AC
4
AC
3
AC
2
AC
1
AC0
SR=1：
AC5—AC0为
垂直卷动地址
SR=0：
AC3—AC0为
ICONIRAM地址
72us
设定绘
图RAM
地址
001
AC
6
AC
5
AC
4
AC
3
AC
2
AC
1
AC0
设定CGRAM地址到
地址计数器（AC）
72us
备注：
1、当模块在接受指令前，微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态，即读取BF标志时BF需为0，
方可接受新的指令；如果在送出一个指令前并不检查BF标志，那么在前一个指令和这个指令中间必须延
迟一段较长的时间，即是等待前一个指令确实执行完成，指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。
2、“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元，当变更“RE”位元后，往后的指令集将维持在最后
的状态，除非再次变更“RE”位元，否则使用相同指令集时，不需每次重设“RE”位元。
具体指令介绍：
深圳市锦昌电子有限公司
7
1、清除显示
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLLLLLH
功能：
清除显示屏幕，把DDRAM位址计数器调整为“00H”
2、位址归位
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLLLLHX
功能：
把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM
3、位址归位
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLLLHI/DS
功能：
把DDRAM位址计数器调整为“00H”，游标回原点，该功能不影响显示DDRAM功能：
执行该命令
后，所设置的行将显示在屏幕的第一行。
显示起始行是由Z地址计数器控制的，该命令自动将A0-A5位地
址送入Z地址计数器，起始地址可以是0-63范围内任意一行。
Z地址计数器具有循环计数功能，用于显示
行扫描同步，当扫描完一行后自动加一。
4、显示状态开/关
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLLHDCB
功能：
D=1；整体显示ONC=1；游标ONB=1；游标位置ON
5、游标或显示移位控制
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLHS/CR/LXX
功能：
设定游标的移动与显示的移位控制位：
这个指令并不改变DDRAM的内容
6、功能设定
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLHDLX0REXX
功能：
DL=1（必须设为1）RE=1；扩充指令集动作RE=0：
基本指令集动作
7、设定CGRAM位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLHAC5AC4AC3AC2AC1
AC0
深圳市锦昌电子有限公司
8
功能：
设定CGRAM位址到位址计数器（AC）
8、设定DDRAM位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1
AC0
功能：
设定DDRAM位址到位址计数器（AC）
9、读取忙碌状态（BF）和位址
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LHBFAC6AC5AC4AC3AC2AC1
AC0
功能：
读取忙碌状态（BF）可以确认内部动作是否完成，同时可以读出位址计数器（AC）的值
10、写资料到RAM
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
HLD7D6D5D4D3D2D1D0
功能：
写入资料到内部的RAM（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）
11、读出RAM的值
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
HHD7D6D5D4D3D2D1D0
功能：
从内部RAM读取资料（DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM）
12、待命模式（12H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLLLLLH
功能：
进入待命模式，执行其他命令都可终止待命模式
13、卷动位址或IRAM位址选择（13H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLLLLHSR
功能：
SR=1；允许输入卷动位址SR=0；允许输入IRAM位址
14、反白选择（14H）
深圳市锦昌电子有限公司
9
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLLLHR1R0
功能：
选择4行中的任一行作反白显示，并可决定反白的与否
15、睡眠模式（015H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLLLHSLXX
功能：
SL=1；脱离睡眠模式SL=0；进入睡眠模式
16、扩充功能设定（016H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLLHHX1REGL
功能：
RE=1；扩充指令集动作RE=0；基本指令集动作G=1；绘图显示ONG=0；绘图显示OFF
17、设定IRAM位址或卷动位址（017H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLLHAC5AC4AC3AC2AC1
AC0
功能：
SR=1；AC5~AC0为垂直卷动位址SR=0；AC3~AC0写ICONRAM位址
18、设定绘图RAM位址（018H）
CODE：
RWRSDB7DB6DB5DB4DB3DB2DB1DB0
LLHAC6AC5AC4AC3AC2AC1
AC0
功能：
设定GDRAM位址到位址计数器（AC）
五、显示坐标关系
1、图形显示坐标
水平方向X—以字节单位
垂直方向Y—以位为单位
深圳市锦昌电子有限公司
10
2、
汉字显示坐标
X坐标
Line180H81H82H83H84H85H86H87H
Line290H91H92H93H94H95H96H97H
Line388H89H8AH8BH8CH8DH8EH8FH
Line498H99H9AH9BH9CH9DH9EH9FH
3、字符表
深圳市锦昌电子有限公司
11
代码
（02H---7FH）
六、显示RAM
1、文本显示RAM（DDRAM）
1、文本显示RAM（DDRAM）
文本显示RAM提供8个×4行的汉字空间，当写入文本显示RAM时，可以分别显示CGROM、HCGROM
与CGRAM的字型；ST7920A可以显示三种字型，分别是半宽的HCGROM字型、CGRAM字型及中文
CGROM字型。
三种字型的选择，由在DDRAM中写入的编码选择，各种字型详细编码如下：
显示半宽字型：
将一位字节写入DDRAM中，范围为02H-7FH的编码。
显示CGRAM字型：
将两字节编码写入DDRAM中，总共有0000H，0002H，0004H，0006H四种编码
显示中文字形：
将两字节编码写入DDRAMK，范围为A1A0H-F7FFH（GB码）或A140H-D75FH（BIG5码）
的编码。
绘图RAM（GDRAM）
绘图显示RAM提供128×8个字节的记忆空间，在更改绘图RAM时，先连续写入水平与垂直的坐标值，
再写入两个字节的数据到绘图RAM，而地址计数器（AC）会自动加一；在写入绘图RAM的期间，绘图
显示必须关闭，整个写入绘图RAM的步骤如下：
1、关闭绘图显示功能。
2、先将水平的位元组坐标（X）写入绘图RAM地址；
再将垂直的坐标（Y）写入绘图RAM地址；
将D15——D8写入到RAM中；
将D7——D0写入到RAM中；
打开绘图显示功能。
绘图显示的缓冲区对应分布请参考“显示坐标”
游标/闪烁控制
ST7920A提供硬件游标及闪烁控制电路，由地址计数器（addresscounter）的值来指定DDRAM中的游标
或闪烁位置。
深圳市锦昌电子有限公司
12
八、中文字符表：
深圳市锦昌电子有限公司
13
深圳市锦昌电子有限公司
14
深圳市锦昌电子有限公司
15
深圳市锦昌电子有限公司
16
*************************************文档结束*******************************************
升级会员 